Cr(VI)在Mg-Al型类水滑石上的吸附-脱附性研究I.吸附性

研究了Cr(VI)在带结构正电荷的Mg-Al型类水滑石(HTlc)上的吸附性能,考察了pH、无机电解质添加剂NaCl,NaNO3,Na2SO4和Na3PO4及有机添加剂EDTA和柠檬酸等因素的影响,并结合红外光谱和XRD实验结果探讨了吸附机理.研究表明,Mg-Al型HTlc对Cr(VI)有很强的吸附能力,其吸附动力学和吸附等温线分别符合准二级速率方程和Langmuir方程,饱和吸附量达105mg/g,有望成为一种优良的含Cr(VI)污水处理剂和Cr(VI)污染土壤修复剂.初始pH增大,吸附量降低.无机电解质和有机添加剂均能明显抑制Cr(VI)在HTlc上的吸附,其抑制吸附作用的强弱顺序分别为Na3PO4≥Na2SO4≥NaCl>>NaNO3和柠檬酸>EDTA.Cr(VI)在HTlc上的吸附可分为层间的离子交换吸附和外表面的吸附,其中外表面的吸附层在微观上又可分为因化学键合作用而形成的内络合层和因静电作用而形成的外络合层.     

Regularity and Algebras of Analytic Functions in Infinite Dimensions

A Banach space ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img4.gif" > is known to be Arens regular if every continuous linear mapping from ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img5.gif" > to ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img6.gif" > is weakly compact. Let ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img7.gif" > be an open subset of ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img8.gif" >, and let ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img9.gif" > denote the algebra of analytic functions on ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img10.gif" > which are bounded on bounded subsets of ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img11.gif" > lying at a positive distance from the boundary of ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img12.gif" > We endow ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img13.gif" > with the usual Fréchet topology. ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img14.gif" > denotes the set of continuous homomorphisms athbb{C}}$" SRC="http://www.ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img15.gif" >. We study the relation between the Arens regularity of the space ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img16.gif" > and the structure of ams.org/tran/1996-348-02/S0002-9947-96-01553-X/gif-abstract/img17.gif" >.

     

On Hankel operators not in the Toeplitz algebra

In this paper we exhibit a class of Hankel operators, which is contained in the essential commutant of the unilateral shift, but disjoint from the Toeplitz algebra.

     

N-[5-(1-邻(对)氯苯氧乙基)-1,3,4-噻二唑-2-基]-N'-芳酰基硫脲的合成与生物活性

为了寻找高活性的杂环农药,通过2-氨基-5-(1-邻氯苯氧乙基)-1,3,4-噻二唑和2-氨基-5-(1-对氯苯氧乙基)-1,3,4-噻二唑与芳酰基异硫氰酸酯反应,合成了26种新的芳酰基硫脲.采用核磁共振氢谱、红外光谱及元素分析确证了它们的结构.初步的生物活性测定试验表明,部分目标化合物表现出良好的植物生长调节活性,其中3c,3d,3e,4b和4c具有优良的生长素活性.     

三维配位聚合物[Zn(HCO2)2(4,4''''-bipy)]∞的合成、晶体结构及性质研究

以ZnO,HCO_2H及4,4'-bipy(摩尔比1∶3∶1.25)溶于H_2O和DMF(体积比13∶1),并在60℃反应,合成了标题化合物[Zn(HCO_2)_2(4,4'-bipy)]_∞,对其进行了元素分析、红外光谱等表征,并测定了晶体结构.该化合物晶体属四方晶系,P4_32_12空间群,a=b=0.79675(5)nm,c=1.7627(2)nm,V=1.1190(3)nm~3,Z=4,Dc=1.850g/cm3,M_r=311.60,F(000)=632,μ=22.07cm-1,最终偏离因子R1=0.0183和wR_2=0.0483.该化合物中Zn原子和两个4,4'-bipy的N原子和四个甲酸根的O原子配位,形成的ZnN_2O_4八面体通过4,4'-bipy和甲酸根桥联,组成一种新颖的3D网络结构.同时,研究了该化合物的热性质和荧光性质.     

含铁的柱撑膨润土光催化降解甲基橙

将两种含铁柱撑膨润土(Fe-Al-Bent和Fe-Bent)用作复相光催化剂, 表征结果证实它们具有很高的比表面积, 铁以高催化活性的α-Fe₂O₃存在于复相催化剂中. 以甲基橙为目标降解物, 考察了不同类型的催化剂、催化剂用量以及H₂O₂浓度对其降解的影响, 并与相应的均相Fenton反应进行了比较. 结果表明: 两种复相光催化剂的催化脱色性能和COD_Cr去除率都很高, 明显优于相应的均相Fenton反应, 且复合铁铝柱撑膨润土(Fe-Al-Bent)比单一的铁柱撑膨润土(Fe-Bent)催化性能更好, 此外它们还具有分离简单、重复使用性好等特点.     

水中3-甲基-6-氨基-5-氰基-4-芳基-1-苯基-1，4-二氢吡喃[2，3-c]吡唑的洁净合成

在水溶剂中并有三乙基苄基氯化铵（TEBA）存在下，取代芳亚甲基丙二腈与3- 甲基-1-苯基-2-吡唑啉-5-酮缩合成为3-甲基-6-氨基-5-氰基-4-芳基-1-苯基-1， 4-二氢吡喃[2,3-c]吡唑，此法为相应化合物的合成提供了一种快速、方便、高效 和洁净的方法。     

水中2-氨基-3-氰基-4-芳基-7，7-二甲基-5-氧代4H-5，6，7，8-四氢苯并[b]吡喃的洁净合成

在水溶剂中在三乙基苄基氯化铵（TEBA）存在下，取代肉桂腈与5，5-二甲基- 1，3-环已酮反应为2-氨基-3-氰基-4-芳基-7，7-二甲基-5-氧代-4H，5，6，7，8- 四氢苯并[b]吡喃提供了一种快速、方便、高效和洁净的合成方法。     

(CH_3C_5H_4)_3Ln·THF(Ln=Sm,Ho,Tb,Yb)与环戊二烯生成(C_5H_5)_3Ln·THF的新反应

研究了(CH_3C_5H_4)_3Ln·THF (Ln = Sm,Ho,Tb,Yb)与环戊二烯高产率生成 (C_5H_5)_3Ln·THF的新反应。反应产物经过了元素分析、质谱和X射线的表征。产 物(C_5H_5)_3Ln·THF的特征结构参数，如五元碳环的碳原子与中心金属的平均距 离，五元碳环质心与中心金属距离，配位的四氢呋喃氧原子与中心金属距离，由于 “镧系收缩现象”，随着中心原子序数的增加而减小。     

Na离子和Cl离子引起He原子直接多重电离过程的研究

利用2～8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系.