全文获取类型
收费全文 | 50篇 |
免费 | 20篇 |
专业分类
化学 | 36篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 3篇 |
数学 | 2篇 |
物理学 | 28篇 |
出版年
2022年 | 2篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 2篇 |
2005年 | 2篇 |
2004年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 2篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
排序方式: 共有70条查询结果,搜索用时 15 毫秒
2.
3.
采用连续共沉淀与喷雾干燥成型技术相结合的方法制备了微球形Fe-Cu-K-SiO2催化剂,并考察了焙烧温度对催化剂的结构和织构性质的影响. 结果表明,催化剂具有较好的织构和结构热稳定性,粘结剂SiO2起到了分散和稳定α-Fe2O3晶相的作用. 随着焙烧温度的升高,催化剂的比表面积逐渐减小,α-Fe2O3晶粒逐渐增大,催化剂体相中的Cu和K原子向表面富集,且Cu向表面的迁移更明显; 同时,催化剂中的α-Fe2O3和CuO相发生了一定程度的离析,Cu的助剂作用减弱,使催化剂在合成气气氛下难于还原碳化. 催化剂在n(H2)/n(CO)=0.67,GHSV=2.0 L/(g·h),p=1.5 MPa和θ=250 ℃下的浆态床F-T合成反应评价结果表明,升高焙烧温度,催化剂的初活性和最高活性下降,但运行稳定性提高,而且有效地抑制了CH4的生成,明显促进了烃产物向高碳数方向移动. 反应600 h后卸载下的催化剂的形貌观测表明,催化剂的磨损主要是由化学磨损引起的,提高焙烧温度可明显改善其抗磨损性能,焙烧温度高于400 ℃时,催化剂具有较好的抗磨损性能. 相似文献
4.
5.
高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高 总被引:1,自引:1,他引:0
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝光LED样品。MOCVD外延生长时使用激光干涉仪实时监测薄膜反射率,外延片使用高分辨率X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线估算位错密度,并使用光致发光谱表征发光性能,制备成芯片后测试了正向电压和输出光功率。结果表明,高温预生长可促进薄膜的横向外延,使得三维岛状GaN晶粒在较小的薄膜厚度内实现岛间合并,有利于降低位错密度,提高外延薄膜质量,LED芯片的输出光功率的增强幅度达29.1%,而电学性能无恶化迹象;但高温预生长工艺中TMGa的流量应适当控制,过量的TMGa导致GaN晶粒过大,将延长岛间合并时间,降低晶体质量。 相似文献
6.
以三氧化二镧为原料, 经过醇化, 制备了三(月桂硫醇)镧及三(巯基乙酸异辛酯)镧, 并对合成方法进行了优化. 采用热失重分析、FTIR光谱、感应耦合等离子色谱、元素分析和1H NMR对目标产物进行了表征. 确定合成稀土异丙醇盐最佳反应条件为: 反应温度80 ℃, 反应时间2 h; 合成三(月桂硫醇)镧的反应条件为反应温度110 ℃, 反应时间2 h, 月桂硫醇的摩尔分数过量24%; 合成三(巯基乙酸异辛酯)镧的反应条件为反应温度60 ℃, 反应时间2 h, 月桂硫醇过量32%. 相似文献
7.
为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365 nm紫外LED的制备工艺。利用1 cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365 nm外延片上并完成电极生长,制备成14 mil×28 mil的正装LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15 eV。在600℃退火后,方块电阻降低6.2 Ω/□,透过率在356 nm处达到90.8%。在120 mA注入电流下,365 nm LED的电压降低0.3 V,功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能。 相似文献
8.
9.
10.
用共沉淀法合成了富锂正极材料Li[Li0.2Mn0.4Fe0.4]O2,并对其表面进行Al2O3包覆。采用XRD、SEM和电化学测试等方法对样品进行表征。结果表明,与Li[Li0.2Mn0.4Fe0.4]O2相比,包覆改性后的Li[Li0.2Mn0.4Fe0.4]O2具有较好的电化学性能,其初始放电容量未明显降低,而循环寿命大大提高,4.0%Al2O3包覆处理的富锂正极材料经50次充放电循环后,容量衰减量在9%左右。 相似文献