全文获取类型
收费全文 | 2411篇 |
免费 | 942篇 |
国内免费 | 551篇 |
专业分类
化学 | 750篇 |
晶体学 | 81篇 |
力学 | 480篇 |
综合类 | 123篇 |
数学 | 461篇 |
物理学 | 2009篇 |
出版年
2024年 | 49篇 |
2023年 | 154篇 |
2022年 | 173篇 |
2021年 | 138篇 |
2020年 | 109篇 |
2019年 | 96篇 |
2018年 | 63篇 |
2017年 | 95篇 |
2016年 | 116篇 |
2015年 | 146篇 |
2014年 | 268篇 |
2013年 | 161篇 |
2012年 | 156篇 |
2011年 | 174篇 |
2010年 | 221篇 |
2009年 | 195篇 |
2008年 | 199篇 |
2007年 | 130篇 |
2006年 | 154篇 |
2005年 | 138篇 |
2004年 | 134篇 |
2003年 | 137篇 |
2002年 | 109篇 |
2001年 | 102篇 |
2000年 | 74篇 |
1999年 | 55篇 |
1998年 | 70篇 |
1997年 | 39篇 |
1996年 | 49篇 |
1995年 | 50篇 |
1994年 | 41篇 |
1993年 | 18篇 |
1992年 | 24篇 |
1991年 | 17篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 21篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有3904条查询结果,搜索用时 265 毫秒
91.
依据地面设备标定的需要,介绍了一种高精度、有限空间、全光谱的星等模拟器实现方法。该星等模拟器的光学系统结构采用紧凑结构空间设计,其控制采用脉宽调制(PWM)技术,应用白光XLamp LED作为光源,并以PT4115作驱动,实现了对LED光照强度在640 lx~1.0 lx范围内数字化任意调整。所设计的星等模拟器与传统模拟调节的星等模拟器相比,该星等模拟器具有体积小、热量低、稳定性高等特点。通过在暗室环境中进行应用验证,分析和测试结果表明:该星等模拟器可实现0m~7m等星控制,光谱范围覆盖整个可见光,星等的控制精度高达0.1m。 相似文献
92.
《理化检验(化学分册)》2014,(5):660
安捷伦科技公司近日隆重推出独立气路设计的IDP-15干式涡旋泵。IDP-15的抽速为15.4m3/h(60Hz),真空获得速度快,是学术、研究、分析仪器和工业应用的理想选择。该产品显著降低了噪声,无震动,单面涡轮设计使其具有极低的使用成本,年度维护非常简单。IDP-15是安捷伦公司广受欢迎的TriScroll 相似文献
93.
高熵合金由于多主元元素混合引起高熵结构效应,使其具有优异的物理、力学和化学特性,如高强度、高耐磨性、耐蚀性、热稳定性、优异的抗辐照性能等。然而,辐照诱发高熵合金材料的硬化行为和力学性能预测仍缺少相关研究,严重地限制了对其长期服役后材料性能的评估。基于晶体塑性理论结合实验结果,研究了空洞形状依赖的硬化行为、位错环诱发的硬化行为以及氧化物弥散增强的高熵合金力学性能。研究发现,考虑多面体空洞与位错的概率依赖的空间交互作用,能够更加准确地预测辐照金属的屈服应力;晶格畸变对屈服强度,有着重要的贡献;氧化物弥散相对位错运动起强烈钉扎的作用,从而对强度产生影响,直接决定抗辐照性能。高熵合金作为一种具有综合优异力学性能的新型结构材料,在先进核能系统中有望被广泛应用,比如核反应堆的核燃料包壳管。 相似文献
94.
本文中研究了不同固溶处理后7055铝合金在3.5%NaCl溶液中的耐腐蚀行为,在3.5%NaCl溶液下进行了静态腐蚀试验及腐蚀磨损试验,并通过扫描电子显微镜对磨痕形貌进行分析. 结果表明:固溶处理后试样的耐腐蚀性能均有不同程度的提高,其中以双级固溶处理试样的耐腐蚀性能最好. 在动极化、开路电位以及阴极保护和阳极加速腐蚀试验中,固溶处理后材料自腐蚀电位正移,腐蚀电流密度减小,耐腐蚀磨损性能提高. 在不同加载电位下,腐蚀电流密度和磨损率随着电位的增加而增大,在?1.2 V时摩擦系数最小. 同时随着电位的升高,腐蚀作用促进了合金的磨损. 在较低电位时,合金的腐蚀磨损机制主要是磨粒磨损;而较高电位下,合金的腐蚀磨损机制主要是黏着磨损和腐蚀磨损. 相似文献
96.
97.
Controllable synthesis,characterization,and growth mechanism of hollow Zn_x Cd_(1-x) S spheres generated by a one-step thermal evaporation method 下载免费PDF全文
Novel hollow ZnxCdl xS spheres that are uniform in size are synthesized through the one-step thermal evaporation of a mixture of Zn and CdS powder. From an X-ray diffraction (XRD) study, the hexagonal wurtzite phase of ZnxCdl_xS is verified, and the Zn mole fraction (x) is determined to be 0.09. According to the experimental results, we propose a mechanism for the growth of Zn0.09Cd0.91S hollow spheres. The results of the cathodoluminescence investigation indicate uniform Zn, Cd, and S distribution of alloyed Zn0.09Cd0.91S, instead of separate CdS, ZnS, or nanocrystals of a core- shell structure. To the best of our knowledge, the fabrication of ZnxCd1-xS hollow spheres of this kind by one-step thermal evaporation has never been reported. This work would present a new method of growing and applying hollow spheres on Si substrates, and the discovery of the Zn0.09Cd0.91S hollow spheres would make the investigation of ZnxCd1-xS micro/nanostructures more interesting and intriguing. 相似文献
98.
Towards understanding the carbon trapping mechanism in copper by investigating the carbon-vacancy interaction 下载免费PDF全文
We propose a vacancy trapping mechanism for carbon-vacancy (C-V) complex formation in copper (Cu) according to the first-principles calculations of the energetics and kinetics of C-V interaction. Vacancy reduces charge density in its vicinity to induce C nucleation. A monovacancy is capable of trapping as many as four C atoms to form CnV (n=1,2,3,4) complexes. A single C atom prefers to interact with neighboring Cu at a vacancy with a trapping energy of 0.21 eV. With multiple C atoms added, they are preferred to bind with each other to form covalent-like bonds despite of the metallic Cu environment. For the CnV complexes, C2V is the major one due to its lowest average trapping energy (1.31 eV). Kinetically, the formation of the CnV complexes can be ascribed to the vacancy mechanism due to the lower activation energy barrier and the larger diffusion coefficient of vacancy than those of the interstitial C. 相似文献
99.
100.