表面形貌对GaAs生长速率测量的影响

本文利用Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)强度振荡测量GaAs同质外延生长,发现其生长速率随生长厚度按一定指数函数关系衰减.这种衰减与GaAs表面形貌的变化密切相关,表面台阶数量的增加使层状生长模式由2D成核模式逐渐转变为台阶流模式.由于RHEED强度振荡所测的生长速率与表面的粗糙程度密切相关,表面情况改变对生长速率会有一定的影响,导致测量的生长速率逐渐的衰减.根据生长速率随生长厚度的增加而衰减的拟合曲线,可以获得一个准确的生长速率.     

超痕量六价铬分析仪测定模拟唾液迁移玩具中的六价铬

唾液具有较强的离子交换能力,并且合适的pH值也有利于三价铬转化为六价铬,在日常的生活中,婴幼儿玩耍玩具时非常喜欢用嘴去探索新鲜事物,含咬玩具的情况非常常见。而另一方面,唾液对于玩具材料具有良好的迁移出六价铬的能力,但作为人体最常见也是最容易接触到的体液,却没有相关的标准或法规对其迁移六价铬的危害性进行有效的限制,这无疑给玩耍的婴幼儿增加了潜在的风险。针对此情况建立了使用超痕量六价铬分析仪测定模拟唾液迁移玩具材料中六价铬的方法,采用模拟胃液迁移特定元素的迁移模型,即在180 min－1的恒温水浴振荡器中,(37±2)℃恒温避光振荡1 h后,(37±2)℃静置1h,此迁移模型能最大程度的还原婴幼儿将玩具含入口中的过程。测试仪器方面,选择硝酸铵作为流动相,以Prin-Cen ONLY WATER Kit For Cr（Ⅵ） Test Fast column色谱柱作为分析柱,使用紫外可见光检测器进行测定。结果表明,六价铬浓度在0~2μg/L范围内线性关系良好,相关系数能达到1.0000,方法检出限为0.006μg/L,方法定量限为0.019μg/L。选取三种实际样品,在低浓度和高浓度的加标回收率能达到95%~105%之间,在0.5μg/L中等浓度水平下,加标样品的相对标准偏差在3.12%-4.36%之间。选取三种阳性样品使用该方法进行测定,均能检出较大的Cr（Ⅵ）。该方法具有良好的准确度和精密度,能应对常见的样品类型,有着较强的适用性。