181Hf(n,γ)182Hf反应截面测量

在中国原子能科学研究院重水研究堆上用活化法对反应堆中子引起的181Hf (n,γ)182Hf反应截面进行了测量. 反应堆中样品照射位置的热中子与超热中子的通量比值约为10. 照射后样品中的182Hf/180Hf和 181Hf/180Hf的原子数比值是用热电离质谱测量的. 本工作以180Hf (n,γ)181Hf反应截面(14.80±0.60 b)为标准，测得的反应堆中子引起的181Hf (n,γ)182Hf反应截面值为80.0±5.6 b.     

通过36Cl的AMS测定研究灰岩的侵蚀速率

36Cl是一种长寿命放射性核素,它广泛存在于大气圈和岩石圈中. 通过测定岩石样品中的36Cl含量,可以计算岩石的侵蚀速率以及暴露年龄. 目前,加速器质谱是测量36Cl的唯一有效方法. 本文对36Cl的加速器质谱(AMS)测量方法进行了研究,并通过36Cl的AMS测量计算出了北京石花洞地区灰岩表面的侵蚀速率,其数值为(1.33±0.28)×10-5 m·a-1.     

马来西亚教育与UCMAS学院的进展

本文概述了“世界中国珠算心算学院”在马来西亚建立、发展过程和有关教育活动，还记述了这个学院引起马国领导人重视及在国内外的广泛影响。1     

Magnetointersubband Oscillations of the Two-Dimensional Electron Gas in AlxGa1-xN／GaN Heterostructures

Shubnikov-de Haas (SdH) measurements are performed over a temperature range of 1.5-20 K in Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures with two subbands occupied. In addition to an intermodulation between two sets of SdH oscillations from the first and second subbands, a beating in oscillatory magnetoresistance at 12K is observed, due to the mixing of the first subband SdH oscillations and ‘magnetointersubband‘ (MIS) oscillations. A phase shift of π between the SdH and MIS oscillations is also clearly identified. Our experimental results, i.e. that the SdH oscillations dominate at low temperature and MIS oscillations dominate at high temperature, fully comply with the expected behaviour of MIS oscillations.     

一般三元二次方程给出的实椭球体积公式

用三种方法得到了一般三元二次方程给出的实椭球体积公式.     

单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性

研究了双子带占据的In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_{0 .47}As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应，获得了不 同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B＜1.5T)下由迁移率谱和 多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d ²ρ/dB²-1/B的快速傅里叶变换 关键词： InAlAs/InGaAs单量子阱 SdH振荡 二维电子气 磁致子带间散射     

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率.用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象.同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG迁移率的主要散射机理.     

关于扇和完全等二部图联图的边染色

得到了扇和完全等二部图联图的边色数.     

光学玻璃研抛用磁流变液的研究

利用智能材料之一的磁流变液 (MRfluids)作为加工工具对光学玻璃进行了精密抛光加工。讨论了适用于光学玻璃抛光的磁流变液的配制机理及磁流变液对光学玻璃抛光效果的影响因素。针对光学玻璃磁流变的抛光原理和特点 ,开发配制了适合于光学玻璃加工用的磁流变液 ,并用该磁流变液对光学玻璃进行了实验加工。结果表明 ,最终得到的光学玻璃表面经过AFM测试 ,得到Ra =1 0 1 5nm。