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81.
p型透明导电氧化物CuCr1-xCaxO2的制备与光电性质研究 总被引:2,自引:0,他引:2
系统报道了铜铁矿CuCrl-xCaxO2单相多晶材料的制备和光电性质研究结果、X光衍射(XRD)以及电导的测量.结果表明,适当的Ca^2取代Cr^3+不改变材料的晶体结构,但能显著提高材料的导电性能,χ=0.06的原始Ca^2+掺杂样品在室温的电导率达到3.2×10^-2S/cm,几乎比不掺杂样品的电导率提高了近3个数量级.所有掺杂样品的电导率随温度的变化曲线在200~300K,很好地符合Arrhenius关系,其Seebeek常数均为很大的正数,这表明所有样品均为典型的P型半导体,其热激活能为0.27~0.36eV. 相似文献
82.
83.
本文报道一种基于双层介质界面极化机理的新型驻极体注极技术: 借助辅助层对PP薄膜进行注极. 采用表面电位测试方法考察了注极温度、注极电压对所获PP薄膜驻极体电荷存储性能的影响, 并利用热刺激放电技术研究了其高温电荷存储性能, 同时测试了PP薄膜驻极体在X和Y方向的静电场分布. 结果表明: 界面极化注极是一种比电晕注极更为优异的驻极体形成方法. 在一定温度下, 驻极体表面电位随注极电压的增加而增加, 而且两者呈线性关系, 这一结果与注极过程的电荷积聚方程的分析完全一致. 注极温度的影响研究表明, 在保持注极电压不变(注极电压范围为0.5–3.0 kV)的情况下, 温度低于75 ℃时, 温度的变化对于注极效果的影响不明显; 当注极温度大于75 ℃ 时, PP薄膜驻极体的表面电位随注极温度的增加而增加. 表面电位随时间的变化研究表明, PP薄膜驻极体具有良好的电荷存储稳定性. 对其表面电位分布的测试表明, 界面极化注极所形成的PP薄膜驻极体呈现均匀的静电场分布. 相似文献
84.
采用水热法合成了BaZr1-xAlxO3(x=0~0.08)中空微球,通过XRD,SEM,TEM,PL,FTIR等测试手段对样品进行了表征。XRD结果表明,铝成功地掺杂进入了BaZrO3晶格中,占据了B位ZrO6八面体中Zr4+的位置,铝的掺入导致晶胞参数的减小。TEM结果证实了微球的空心结构,产物的平均粒径为150 nm。中空微球在355 nm激光的激发下,均发出波长为423 nm的紫光。与未掺杂的BaZrO3相比,铝掺杂引起的晶格收缩使发光强度呈整体下降趋势,而不等价掺杂引起的氧空位变化导致发光强度随着铝掺杂量的增加出现先增强后减弱的现象。 相似文献
85.
86.
返波管器件在x波段高功率微波研究具有代表性,在返波管中返波辐射随着离阴极距离的减小而增加,使该器件不利于在高功率下工作;为了克服这种问题,采用类周期加微波腔,通讨结构优化,使电子束同前向波作用,在微波腔中微波场主要集中在输出端,利于器件在高功率下工作。近期研究工作将类周期加载微波腔设计工作在X波段,模拟微波输出功率为1.67GW,束波转换效率达到36%;同时用从俄罗斯引进了SNUS-700加速器驱动的初步实验, 相似文献
87.
用SHML模型计算了在局域热力学平衡条件下钨等离子体在温度为0.3~10keV、密度为0.001~0.1 g.cm-3范围内的平均离化度,研究了钨等离子体平均离化度随温度、密度的变化规律.结果表明,钨等离子体的平均离化度随着密度的增加而减小,随着温度的升高而增大,并且在增大的过程中出现了三个平台.研究了电离势对离化度的... 相似文献
88.
分析了同轴腔体间隙束流与电场的相互作用,推导了同轴腔体间隙的耦合系数和电子负载电导,并设计了104 W级注入微波驱动的X波段三重轴相对论速调管放大器,产生了GW级的微波功率输出.通过三维粒子模拟,设计了工作频率为9.37 GHz的三重轴相对论速调管放大器,在注入微波功率为70 kW、束压为600 kV、束流为5 kA的条件下,获得的输出微波功率达到1.1 GW,效率为37%,增益为42 dB.
关键词:
同轴腔体
束波互作用
X波段
三重轴相对论速调管放大器 相似文献
89.
在器件设计上,针对低功率驱动的高功率微波放大器或高增益放大器中的高次模激励和自激振荡问题,采取了降低电子束同器件前端结构耦合等措施,来保证器件在工作区间完全处于放大状态,通过PIC模拟,设计了低功率驱动的S波段高功率微波放大器(电子束:流强7.5 kA,电子能量750 kV),注入微波6.8 kW时,模拟微波输出功率1.7 GW,增益53.9 dB.在Sinus加速器平台上开展了相应的实验研究: 注入微波62 kW时,微波输出功率达到2.04 GW(电子束:流强8 kA,电子能量800 kV), 输出频率
关键词:
高功率微波
微波器件
高增益
模式控制 相似文献
90.