三元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响

在宏观介电连续近似下，采用转移距阵方法，研究了三元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响.在这种有限超晶格结构中，可以清楚地看到所有界面模的演化轨迹.结果表明：存在两类局域模，它们的宏观静电势波函数分别局域在缺陷层和表面层附近，且这些模随着超晶格组分层和缺陷层的相对厚度和介电常数的改变，其局域位置和特性发生显著变化.此外，发现虽然能隙中局域模的数目不守恒，但所有界面模的总数守恒.     

抗析晶高增益Er3+,Yb3+共掺氟磷酸盐光纤材料性能研究

设计了一种新型的铒、镱共掺高增益光纤材料,分析了各种组分对氟磷酸盐体系发光性能的影响,制备出热稳定性和机械性能较好(ΔT=141℃)、无析晶、透过率较高的光纤材料。光谱测试结果表明:所制备的光纤芯材料具有较高的吸收截面(2.075 pm2)、较高的发射截面(1.11 pm2)、较长的荧光寿命(7.30 ms)和高的增益品质系数(74.099×103pm3),是优良的高增益、宽带宽的光纤放大器增益材料。     

电弧炉制备的Sm2Fe17-xCrx化合物的结构与磁性

通过X射线衍射、磁测量等手段对电弧炉制备的不同热处理条件的Sm₂Fe_17-xCr_x（x=1—3）化合物的结构和磁性进行了研究.结果表明1050 ℃下退火5 d的Sm₂Fe_17-xCr_x（x=1—3）化合物具有菱方相的Th₂Zn₁₇型结构,同样温度下退 关键词： 2Fe_17-xCr_x化合物')" href="#">Sm₂Fe_17-xCr_x化合物 磁体积效应 居里温度 磁晶各向异性     

磁台阶势垒结构中二维电子气的自旋极化输运

运用散射矩阵方法,研究了台阶磁势垒量子结构中二维电子气的隧穿输运性质.结果表明：在零偏压下,电子传输概率的自旋极化曲线随入射能量的增加而振荡衰减;随着磁台阶数的增加,电子传输概率的自旋极化度最大值减小,同时电子传输概率的自旋极化度振荡衰减也越来越慢;随着磁台阶的总宽度增加,电子传输概率的自旋极化曲线出现更明显的振荡,电子隧穿磁台阶势垒表现出明显的量子尺寸效应;在偏置电压的作用下,电子传输概率的自旋极化度在宽广的入射能量区出现明显的振荡增大,电子隧穿磁台阶势垒表现出更明显的自旋过滤效应. 关键词： 磁台阶势垒 自旋极化 自旋过滤     

考虑不确定因素影响的沉淀池优化设计

沉淀池是污水处理流程中一个必不可少的重要环节,设计中存在着大量的不确定因素.本文在沉淀池设计中引入了不确定性模糊非线性规划模型.该模型利用处理效率与沉淀池尺寸之间的非线性关系,求解过程引入区间数和模糊算子,尝试在沉淀池设计中考虑不确定性因素,并取得满意的结果.     

截尾子样下的检验方法在可靠性中的应用

<正> 由于产品可靠性日益提高,使用寿命不断延长,所以在寿命试验中,一般只能进行截尾试验,不易得到全子样数据,因而如何利用截尾数据对产品的寿命分布和有关参数进行假设检验,是可靠性数学问题中值得研究的课题.本文将讨论几种检验方法,并用实例说明这些方法在可靠性工程中的应用.     

威布尔分市场合无失效数据的可靠性分析

拿文综合了近几年来对威布尔分布和指数分布的无失效数据处理的几种方法这些方法是经典方法、贝叶斯方法、最小x~2方法、等效失效敷方法,并对这些方法作了适当的分析,提出进一步需研究的问题。     

威布尔分布下恒加试验中的区间估计

在恒定应力下加速寿命试验中，假定在各应力下产品的寿命分布为威布尔分布Ｗ（ｍ，η），对于定数截尾样本，求分布参数和加速方程中系数的线性无偏估计（ＢＬＵＥ或ＧＬＵＥ），在此基础上本文通过构造某些枢轴量，并用Ｍｏｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法给出了正常应力下产品可靠性特征量的置信区间，最后给出了一个数值例子。     

纳米晶Gd2O3：Eu^3＋的制备及发光性能

采用低温燃烧合成法制备了Gd2O3：Eu^3＋纳米晶。用X射线衍射仪（XRD）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）和荧光光谱仪分别对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明，改变甘氨酸与稀土离子的比例（G／M）、退火温度可以制备出不同结构和晶粒尺寸的Gd2O3：Eu^3＋纳米晶。在退火温度为800℃，G／M等于0．83和1．0时，均得到了纯立方相的Gd2O3：Eu^3＋纳米晶，随着G／M的增加，Gd2O3：Eu^3＋从立方相逐渐向单斜相转变。粉末的晶粒尺寸随着退火温度的增高而增大，晶粒尺寸在10-30nm之间。立方相的Gd2O3：Eu^3＋纳米晶主发射峰位置在612nm（^5D^0→^7F2跃迁），激发光谱中电荷迁移态发生了红移。     

退火温度对ZrO2纳米材料中Eu3+离子发光的影响

研究了退火温度对ZrO2纳米材料中Eu3+离子发光性质的影响.材料的结构、晶粒尺寸和形状以及晶格的排列分别由XRD,TEM表征.结果表明:用共沉淀法制备的ZrO2纳米材料具有不随退火温度变化、稳定的四方结构;材料的晶粒尺寸随退火温度的提高而增大;品格的排列由无序逐渐变为有序;发射光谱表明其主要发射在595 nm和604 nm处;在394 nm的紫外光辐照下得到了不同样品的604 nm荧光发射强度的变化不同.这种现象与样品中O2-离子含量和样品表面的表面缺陷有关;另外,电荷迁移带随退火温度的变化而变化.