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81.
运用密度泛函理论(DFT)的Dmol3方法, 计算了甲醇钠引发的环氧乙烷开环聚合的反应过程. 并运用前线轨道理论对该聚合反应的各步反应历程进行了分析. 计算结果表明, 链引发为无能垒的放热反应, 放出的能量达到92.560 kJ·mol-1, 而链增长过程则需越过100.951 kJ·mol-1的反应能垒, 链增长物种与环氧乙烷的前线轨道相对称, 可以使开环聚合反应继续进行下去. 当向反应体系中加入草酸、磷酸等质子酸时, 会立即发生链终止反应. 此外, 还对链增长过渡态的合理性进行了确认, 绘出了相应的反应势能曲线. 相似文献
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基于修正的应变梯度理论和精化的高阶剪切变形理论,提出了一种含尺度效应的功能梯度三明治微梁模型。功能梯度材料的等效弹性参数由Mori-Tanaka均匀化方法描述。针对微梁的高阶边值问题,融合微分求积和Gauss-Lobatto求积准则,建立了一种2节点18自由度的微分求积有限元。通过对比性研究,验证了理论及数值模型的有效性。最后,讨论了边界条件、材料尺度参数、功能梯度指数、长细比、各层厚度比等对功能梯度三明治微梁静动态特性的影响。结果表明,功能梯度三明治微梁的静力响应、振动频率、屈曲荷载以及模态均呈现出显著的尺度效应,所得结果有望为微机电系统中承载器件的设计提供数据积累和方法依据。 相似文献
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85.
86.
为了抑制平面带通滤波器的二次谐波,实现高温超导滤波器的小型化,本文提出了两种新型的准分形结构谐振器,并分别将其应用到微带滤波器的设计与仿真之中.第一种谐振器由希尔伯特分形结构改变而来,由于其相对紧凑度更高,并且保留希尔伯特分形结构的基本性质,因此仿真结果不仅具有更好的二次谐波抑制效果还有更小的体积优势.第二种谐振器由Minkowski分形结构改变而来,基于此谐振器设计了一款八阶带通滤波器,仿真及测试结果表明:基于此谐振器所设计滤波器与传统的微带滤波器相比,二次谐波被推迟了1.5GHz左右,并且体积减小约三分之一.结果证明两种滤波器均具有良好的二次谐波抑制效果和小型化的优势. 相似文献
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Formation of epitaxial Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10) superconducting films by dc-magnetron sputtering and triple post-annealing method 下载免费PDF全文
For obtaining pure phase T12Ba2Ca2Cu3O10 (T1-2223) films with good superconducting properties, the growth technique is improved by dc magnetron sputtering and a triple post-annealing process. The triple post-annealing process comprises annealing twice in argon and once in oxygen at different temperatures. In the first low-temperature annealing phase in argon, T12Ba2CaCu2O8 (T1-2212) is obtained to effectively minimize evaporation in the next step. With the increase of temperature in the second annealing stage in argon, the previously prepared T1-2212 inter-phase is converted into T1-2223 phase. An additional annealing in oxygen is also adopted to improve the properties of T1-2223 films, each containing an optimal oxygen content value. The results of X-ray diffraction (XRD) θ-2θ scans, 09 scans and rotational φ scans show that each of the T1-2223 films has a high phase purity and an epitaxial structure. Smooth films are observed by scanning electron microscopy (SEM). The critical temperatures Tc of the films are measured to be about 120 K and the critical current densities Jc can reach 4.0 MA/cm2 at 77 K at self field. 相似文献
90.
Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multinle auantum wells at room temnerature 下载免费PDF全文
Tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells (MQWs) were grown on a Ge-on-Si virtual substrate using ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on an n+-Si (001) substrate. Direct-bandgap electroluminescence from the MQWs light emitting diode was observed at room temperature. The quantum confinement effect of the direct-bandgap transitions is in good agreement with the theoretical calculated results. The redshift mechanism of emission wavelength related to the thermal effect is discussed, 相似文献