Synthesis and Crystal Structure of a Two—dimensional Polymeric Holmium

The title polymeric complex [Ho(H2saln)1.5(NO3)3](H2saln=N,N'-bissalicyclidene-ethylenediamine) C24H24N6O12Ho was prepared and its crystal was characterized by X-ray diffraction. The ligand is dischiff base from salicylaldehyde and ethylenediamine. The complex crystallizes in trigonal system, space group Pc1(No. 165), Mr=753.42, a=15.818(2), c=16.978(3) , V=3681(2) 3, Dx=1.360 g/cm3, Z=4, μ=2.2286 mm-1, F(000)=1492, R=0.049, Rw=0.061. In the complex the coordination number of Ho(Ⅲ) is 9 with the geometry of a tricapped trigonal prism. All of the coordination atoms are oxygen atoms. The Ho(Ⅲ) ions are bridged by the dischiff base to form an infinite two-dimensional polymeric network, parellel to the (001) plane.     

脂环族酸酐在不同极性气相色谱柱上的性能研究

研究了甲基四氢苯酐、甲基六氢苯酐、萜烯马来酸酐及氢化萜烯马来酸酐等脂族酸酐在HP-1、HP-5、OV-17和FFAP四种不同极性毛细管色谱柱上的色谱性能。分析结果表明,这四种脂环族酸酐均能在OV-17毛细管色谱柱上获得很好的峰形和分离效果。     

Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究

采用第一性原理的超软赝势方法，研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明，Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现，Zn 4s态决定导带底的位置，Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因. 关键词： 密度泛函理论 赝势 Mg掺杂ZnO     

多级孔IM-5分子筛的简易制备及其在甲烷芳构化中的催化性能

采用一步水热晶化法、不添加第二模板剂、仅通过控制合成条件,制备了具有多级孔道结构的IM-5-H分子筛。多级孔IM-5-H材料展现了与常规IM-5-C分子筛不同的形貌、结构和酸性质。由于IM-5-H分子筛载体介孔结构的促进作用,钼基Mo-IM-5-H催化剂在甲烷无氧芳构化反应中表现出较高的甲烷转化率（13.1%）、芳烃产率（7.5%）和稳定性。该研究为合成多级孔IM-5材料提供了一种简便的方法,同时扩展了微孔-介孔复合材料在甲烷芳构化反应中的应用。     

Mn和Zr助剂对介孔碳负载钴基催化剂费托合成反应性能的影响

采用浸渍法制备了Mn和Zr改性的介孔碳负载钴基催化剂,采用X射线衍射（XRD）、比表面积测定、H₂程序升温还原（H₂-TPR）、H₂/CO程序升温脱附（TPD）及X射线光电子能谱（XPS）等手段对催化剂的物化性质进行了表征,采用固定床反应器对其F-T反应性能进行了研究。结果表明,Mn或Zr助剂的添加均降低了CH₄的选择性。其中,Mn助剂的添加提高了C_2-4的选择性,提高了烯烷比,而Zr的添加提高了钴物种的分散度,增加了反应活性位点,显著提高了钴基催化剂的F-T反应活性和C₅₊选择性。     

定积分几何应用的几个问题

一、旋转体体积1°由两条曲线y=f(x),y=g(x)和直线x=a,x=b(a相似文献   

时钟反应

在无机化学反应机理的研究中,人们发现有这样一种类型的反应,即在一定温度下,将一定浓度的试剂混和,在某一确定的时间,突然观察到产物出现。(一般用指示剂指示产物的生成。)这一类型的反应称为时钟反应。     

计算定积分应注意的一个问题

例1 计算定积分解显然,上述结果是错误的,因为时,积分.导致上述错误的原因是:例1·本来是常义积分,被积函数经过适当变形后成了广义积分,利用计算定积分方法去计算广义积分必然出错.从另一方面来看,在应用Newton-L(?)ibniz公式计定算积分时应注意条件,公式要求:若f(x)在[a,b]上可积,F(x)在[a,b]上连续且在(a,b)内有F′(X)=f(x),则有     

纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析

运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n-型纳米硅（n+-nc-Si:H）/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.分析表明，界面缺陷态是决定电池性能的关键因素，显著影响电池的开路电压（VOC）和填充因子（FF），而电池的光谱响应或短路电流密度（JSC）对缓冲层的厚度较为敏感.对不同能带补偿（bandgap offset）的情况所进行的模拟分析表明，随着ΔEc的增大，由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除，当ΔEc达到05eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖.界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究.最后计算得到了这种电池理想情况下（无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1）的理论极限效率ηmax=3117% (AM15，100mW/cm2，040—110μm波段).     

钕、铽(Ⅲ)硝酸盐、水杨醛乙二胺双席夫碱、二甲亚砜三元配合物的NMR研究

用NMR的方法研究了新型稀土配合物:钕、铽(Ⅲ)硝酸盐与N,N-二亚水杨基乙二胺双席夫碱、二甲亚砜三元配合物的结构,并利用二维质子NOE谱和异核多量子相关谱完全归属了它们的质子和¹³C信号.