窄带光纤光栅的写入

改进相位掩模法写入光栅的装置，提高其机械稳定性和温度稳定性，不仅提高了光纤光栅的反射率，而且降低了带宽，特别是能在国产的光敏光纤上写出了大于９９％反射率和小于０２ｎｍ带宽的高质量的光纤光栅这种光栅特别适用于光纤光栅传感方面的应用     

新型光纤光栅线性调谐方法

报道了一种线性度极佳的光纤光栅波长调谐技术，调谐范围在１０ｎｍ，线性拟合度达到０．９９９８，并首次利用材料力学原理推导了这种线性调谐的理论关系式，此种技术在可望在光纤传感，光纤通信及激光技术等方面有重要应用前景。     

光纤光栅的温度增敏实验

用热膨胀系数较大的聚合物材料对光纤光栅进行封装处理,极大地提高了光纤光栅的温度灵敏度。我们将光纤光栅封装于两种不同的聚合物材料中,其温度灵敏度分别提高6倍和23倍之多。这是迄今有文献报道的最大的光纤光栅温度灵敏度。     

PrGa1-xMgxO3作为燃料电池固体电解质的研究

用固相反应法合成了具有正交钙钛矿结构的PrGa1-xMgxO3（x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25)通过掺杂,样品的电导率显著提高,活化能降低,所有样品均以离子导电为主,其中PrGa0.9Mg0.1O3的氧离子电导率最高,在800℃达到0．05S／cm,PrGa0.8Mg0.2O3的导电活化能量低,为24．19kJ/mol。随着温度的升高,样品的离子迁移数增加,PrGa0.9Mg0.1O3作为电解质的燃料电池在940℃短路电流密度为0．45A／cm^2,最大功率密度达0131W／cm^2,镁掺杂的PrGaO3是一种性能优良的固体电解质。     

大调谐范围的等强度梁光纤光栅波长调节器

利用等强度梁原理,实现了光栅中心波长双向无啁啾调谐,调谐量可达12.52nm,实验结果与理论分析一致,装置构形简单,成本低,易于定标和操作,在已在自制的可调谐激光器,传感网络中的寻址器以及分插复用器中获得诸多应用。     

一种新颖的光纤光栅带宽调谐方法

提出了一种新颖有效的光纤光栅带宽调谐方法,将光纤布拉格光栅斜向粘贴到矩形截面弹性梁的侧面上,通过调节弹性梁的曲率,实现了对光纤布拉格光栅的线性带宽调谐,调谐后的光纤光栅带宽可达11．32nm,中心波长的变化小于0．1 nm。     

三氯醋酸钕与8-羟基喹啉配合物的热化学研究

用溶解量热法 ,在自行研制的具有恒定温度环境的新型反应量热计中 ,测定了NdCl3·6H2 O(s)、CCl3COOH(s)和Nd(TCA) 3·3H2 O(s)在1mol/LHCl中的溶解焓。再根据盖斯定律设计了一个热化学循环 ,计算得到了六水合氯化钕与三氯醋酸反应的反应焓ΔrHmθ(2 98.15K) =2 0 1.688kJ/mol,并求出了Nd(TCA) 3·3H2 O(s)的标准生成焓ΔfHmθ[Nd(TCA) 3·3H2 O ,s ,2 98.15K ] =-3 0 5 3 .3kJ/mol。同时测定了Nd(TCA) 3·3H2 O(s) ,C9H7NO(s) ,Nd(TCA) (C9H6 NO) 2 (s)和CCl3COOH(s)在 4mol/LHCl、二甲亚砜和无水乙醇混合溶剂中的溶解焓 ,再根据盖斯定律设计了一个热化学循环 ,计算得到了三氯醋酸钕与 8 羟基喹啉反应的反应焓ΔrHmθ(2 98.15K) =-3 .2 2 6kJ/mol,并求出了Nd(TCA) (C9H6 NO) 2 (s)的标准生成焓ΔfHmθ[Nd(TCA) (C9H6 NO) 2 ,s ,2 98.15K] =-13 5 5 .6kJ/mol。     

偏苯三甲酸铕（Ⅲ）系列四元配合物的合成及相关性能研究

合成了Eu（Ⅲ）与偏苯三甲酸（TLA）、2-噻酚甲酰三氟丙酮（HTTA）和邻菲罗啉（Phen）形成的两个新的四元配合物。运用元素分析、红外光谱、扫描电镜、热重与荧光光谱等手段对它们进行了系统的表征。研究结果表明,偏苯三甲酸与2-噻酚甲酰三氟丙酮Eu（Ⅲ）和邻菲罗啉形成的四元配合物,具有比偏苯三甲酸Eu（Ⅲ）和邻菲罗啉形成的三元配合物更强的荧光强度与更宽的紫外激发,比配合物Eu（TTA）3Phen更好的热稳定性。得到了两种热稳定性较好的鲜艳红色荧光材料。     

超声波扩散角的测量方法改进

为了提高利用小孔反射法测量超声波扩散角的准确度,采用多点测量获得小孔反射波强度分布曲线,通过数据处理软件得到此分布曲线的半峰全宽,在此基础上校正小孔尺寸对测量结果的影响.     

离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响

 基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50~140 V范围内,在［100］单晶硅片和紫外石英（JGS1）基板上制备了HfO₂单层膜。分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明：当APS源偏转电压在120~140 V及50~90 V两个范围内变化时,HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小,而为110~90 V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感;偏转电压在50~140 V的范围内时,制备的HfO₂薄膜表面及纵向化学成分无明显变化;当偏转电压为100 V时,HfO₂薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26.2 nm及5.79 nm,其后,随着偏转电压的降低,二者均逐渐减小。