AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究

采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随后,使用AlAsSb/AlAs/GaAs、AlAsSb/GaSb两种不同的外延再生长组合和单一的SiO₂薄层分别对刻蚀后的台面进行钝化,同时保留一个没有钝化的样品作为对照,最后对4种不同钝化条件下探测器的暗电流特性进行了测量.结果发现,使用AlAsSb/GaSb外延再生长钝化层的器件暗电流得到了进一步降低,使用SiO₂钝化层的效果次之,而使用AlAsSb/AlAs/GaAs外延再生长钝化层的性能相对较差.上述结果表明,外延再生长钝化技术是降低长波红外探测器暗电流的一种有效方法.     

ENDOCHRONIC ANALYSIS FOR COMPRESSIVE BUCKLING OF THIN－WALLED CYLINDERS IN YIELD REGION

ＥＮＤＯＣＨＲＯＮＩＣＡＮＡＬＹＳＩＳＦＯＲＣＯＭＰＲＥＳＳＩＶＥＢＵＣＫＬＩＮＧＯＦＴＨＩＮ－ＷＡＬＬＥＤＣＹＬＩＮＤＥＲＳＩＮＹＩＥＬＤＲＥＧＩＯＮＰｅｎｇＸｉａｎｇｈｅ（彭向和）ＣｈｅｎＹｕａｎｑｉａｎｇ（陈元强）ＺｅｎｇＸｉａｎｇｇｕｏ（曾祥...     

铁电薄膜存储材料的进展

在计算机中应用的半导体动态存储器(DRAM)和静态存储器(SRAM)具有快速存取信息的优势,但它们共同的缺点是,在断电时存储的信息会消失。现在人们正在研究开发用铁电薄膜电容器代替半导体存储器中的SiO_2电容器来存储信息,其目的就是使存储器具有同半导体存储器一样快或者更快的存取速度,并且在断电的情况下也能保留存储的     

锆钛酸铅(PZT)陶瓷的应用与发展

一、引言 锆钛酸铅压电陶瓷于1955年由美国的B.Jaffe等人发现之后,由于它具有机械耦合系数高、温度特性好、居里温度高(～300℃)等优点,大大推进了压电陶瓷的实用化。用Sr、Ca、Mg等元素取代Pb或添加Nb、La、Sb、Cr、Mn、Fe、Co、Ni等元素进行改性,可以得到许多不同用途的 PZT系压电陶瓷,如PZT-4,PZT-5,PZT-6,PZT-7及PZT-8等,利用它们各自不同的效应可以应用在不同的方面。     

羰基13C NMR化学位移的计算

根据核外电子云球对称效应原理,建立化学位移统一计算公式,计算了醛、酮、酰氯、羧酸和酯中羰基的¹³C NMR化学位移,在一定程度上说明了影响¹³C NMR化学位移的主要结构因素,并对一些反常现象作出了直观合理的解释。     

生物活性有机磷化合物31P NMR化学位移的计算

利用统一计算公式,计算了106个各类开环有机磷化合物的化学位移值,与文献值比较吻合.结果表明:统一计算公式比以往各种化学位移计算方程具有更普遍的意义.核外电子云球对称效应是影响³¹P NMR化学位移的主要因素之一.     

A Lay-up-Oriented CFRP-Substrate Metamaterial Absorber with High Insensitivity to Polarization

Metamaterial absorbers with carbon fiber reinforced polymer(CFRP)substrates, which are called metaCFRPs, have recently gained recognition for their excellent mechanical and electromagnetic performance. Different from traditional metamaterial absorbers with an isotropic substrate, meta-CFRPs with a highly anisotropic CFRP substrate are facing challenges in acquiring polarization-insensitive absorption. Here, a lay-up-oriented structure design method is proposed to solve this problem. Considering ...     

金催化化学概况及新进展

金催化的有机化学反应在最近的十几年内得到巨大发展.本文从金化学的两类重要概念出发,讨论了金化学反应的本质,同时结合亲核加成和碳氢活化两个反应类型进行探讨,并分析了目前该领域的热点.