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本工作用化学气相淀积方法在AlN/Si(100)复合衬底上生长SiC薄膜.外延生长过程中,采用C4H4和SiH4作为反应气源,H2作为载气.样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的SiC薄膜.俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的Al和N元素.样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03eV和3.17eV处的发光峰,这分别相应于4H-SiC能带中电子从导带到Al受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-SiC. 相似文献
732.
Bucky onions were fabricated by the DC discharge method and their behaviors and electric properties on Highly Oriented Pyrolytic Graphite (HOPG) were studied by using an atomic force microscope (AFM), a scanning tunneling microscope (STM) and a transmission electron microscope (TEM). Small-sized Bucky onions demonstrated the properties of semiconductors and as the size increased their metallicity became stronger. AFM and STM images revealed the tendency of Bucky onions to form dimers. 相似文献
733.
利用分形几何理论对煤的介质损失角正切的特征作了深入的探讨·结果表明,煤的介质损失角正切tgδ具有分形特征;通过类比和实验证实的方法得到了tgδ与f间的定量关系:tgδf(D-d)/2,借此求得了煤分形介质损失角正切维数。 相似文献
734.
CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异 总被引:4,自引:1,他引:3
用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加.而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关.研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中,(111)B面上得到的EPD能较为正确的反映CdZnTe材料中的位错密度. 相似文献
735.
736.
737.
化学计算从定量的角度上考查考生对基本概念、理论、元素化合物和化学实验知识的理解,同时考查学生的思维逻辑性、敏捷性、发散性和创造性。1999年高考化学试题中,与化学计算有关的题目占了60分,题型有选择题、填空题和计算题。 相似文献
738.
739.
现行中学教材中关于硝酸铜加热分解产生氧气的验证方法由于NO2也能使带火星的木条复燃因而是不正确的。 相似文献
740.
等离子体加工过程中尘埃微粒行为的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在等离子体加工过程中产生的尘埃微粒是影响半导体集成电路生产质量的关键问题,近年来吸引了不少科学家的注意力.尘埃等离子体已成为等离子体物理中一个重要的前沿分支.本文综述低气压等离子体加工过程中关于尘埃微粒的形成及生长过程、带电机制、作用力、输运特性及尘埃等离子体的强耦合性质等方面的研究进展,并介绍其主要测量手段,观测结果及理论模型 相似文献