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在190K,220K和300K3个不同温度下测量了K3C60单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱.样品温度为190K时,能够观察到导带有规律的角散,并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样.而在220K附近,导带的许多子峰消失,色散不再存在.这两个温度的实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合,并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解.这种模型的定量分析结果还首次对K3C60在200K的相变机理作出了解释,即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40%)的混合.室温光电子谱与低温下的结果显著不同,对应于C60分子取向在室温附近的动态无序. 相似文献
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We report the results of first-principles calculations on the electronic structure in ferromagnetic and non-magnetic hexagonal MnV (V=As, Sb, Bi). The calculations are based on the local-spin-density approximation (LSDA) of the density-functional theory (DFT) as well as the atomic sphere approximation (ASA) in the linear muffin-tin orbitals (LMTO) method. For the non-spin-polarized case, the calculated bands in these compounds exhibit p-d mixing in the vicnity of Fermi energy and the Mn 3d bands dominate the antibonding parts of p-d hybride. The spin-polarization in ferromagnetic states are mainly due to the splitting of anti-bonding bands from p-d mixing. The calculated spin moments in these compounds agree fairly well with experimental values and refine previous band calculations. In the spin-polarized band structure, the Mn 3d electrons are found to exhibit week dispersions. 相似文献
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本工作用氦Ⅰ和氦Ⅱ紫外光电子谱对高温超导材料(T_c=89.5K)——钇钡铜氧化合物价态附近的电子结构进行了分析。 结果表明随着样品从室温(300K)冷却到80K,除了二个能量位置分别在费米能级以下4.6ev和9.6ev的谱峰向较高的结合能方向有0.4ev的微小移动以外,没有观察到其它的变化。该二个谱峰随温度下降的移动是连续的。本工作对不同烧结工艺的同种材料样品进行了分析,紫外光电子谱的结果表明:价态附近的电子结构有明显的不同。在弗米能级附近的光电子谱表明,样品整体来说是半导体性的。 相似文献
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