Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

Rapid Fabrication of Three-Dimensional Woodpile Photonic Crystals by Means of Two-Photon Photopolymerization

Two-photon photopolymerization （TPP） of femtosecond laser is a promising method to fabricate three-dimensional woodpile photonic crystals （PCs）. We build micro-fabricatlon system based on the principle of TPP. Three- dimensional woodpile PCs consisting of in-plane rod distances ranging from 1000nm to 2000nm are fabricated by focusing femtosecond laser in photosensitive liquid resin ORMOCER. The properties of the PCs are also discussed, and fundamental photonic band gaps in middle-infrared range are measured, whose in-plane rod distances are 1500nm and 2000 nm. Three-dimenslonal woodpile PC devices with desired defects, such as cross-waveguide and micro-laser structures, are introduced easily by TPP. We fabricate the three-dimensional woodpile PCs in the liquid resin at the fast scanning speed of 120μm/s.     

α-羟基-1-萘乙酸的合成与拆分

以1-萘甲醛为原料,三乙基苄基氯化铵为相转移催化剂,合成了消旋的α-羟基-1-萘乙酸[(±)-2],收率51.4%.以光学活性(R)-( )-N-苄基苯乙胺为拆分剂,拆分(±)-2得(-)-2,拆分率45.5%.     

5,3'''',5''''-三磺酸基-2,3,4,4''''-四羟基脱氧安息香三钠盐的合成、晶体结构及性质研究

合成了水溶性很好的5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐(TTDB), 采用IR、 UV、 1H NMR和元素分析对其结构进行了表征, 并利用X射线单晶衍射仪测定了该化合物的晶体结构. 使用荧光光谱法检测了化合物对羟基自由基的清除作用. 用循环伏安法探讨了化合物的电化学性质. 实验结果表明, 5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐[C14H17Na3O18S3]属于单斜晶系, 空间群C2/c, a=1.422 3(4) nm, b=2.432 7(8) nm, c=1.359 6(4) nm, α=90°, β=113.044(5)°, γ=90°, Z=8, V=4.329(2) nm3, Dc=1.925 Mg/m3, F(000)=2 568, Mr=627.43, R1=0.095 0, wR2=0.264 8. TTDB的抗羟基自由基的氧化作用优于其相应的脱氧安息香THDB, 前者清除羟基自由基的半数有效浓度(EC50)为47.3 μmol/L, 而后者的EC50则为53.1 μmol/L. 电化学研究结果表明, THDB和TTDB的氧化还原过程有所差异, 前者负扫时在-1.016和-1.228 V处出现两个还原峰, 正扫时在0.219 V处出现一个氧化峰, 但后者负扫时仅在-0.999 V出现一个还原峰, 正扫时在0.193 V出现一个氧化峰.     

β-环糊精在TiO2上的吸附及其对光催化影响研究

用酚酞法测定TiO2悬浮液中β-环糊精(β-CD)的量以及用β-CD溶液平衡的TiO2经过滤、洗涤和干燥后进行漫反射红外光谱和XPS能谱表征．结果表明：β-CD分别在纳米和P25型TiO2表面通过羟基间作用形成化学吸附，吸附量与溶液pH值有关，且最大吸附量在TiO2等电点附近．β-CD可提高两种TiO2对甲基橙光催化脱色速率.提高的效率与溶液pH值有关．实质上，提高的效率与β-CD在TiO2表面吸附量和甲基橙在TiO2表面的静电吸附量有关，即与甲基橙-β-CD—TiO2三元间的相互作用有关。     

2-(4-氯苯基)-3-甲基丁酸的消旋

以酸酐及有机惰性溶剂作混合溶剂，少量叔胺等作催化剂，2-(4-氯苯基)-3-甲基丁酸能在比较温和的条件下基本完全消旋，收率接近90％。     

Al掺杂α-Fe2O3材料的制备、表征和气敏特性

采用均相沉淀法制备了纯α-Fe2O3(300 ℃煅烧)和Al掺杂α-Fe2O3(300和400 ℃煅烧), 使用SEM, XRD, ICP和红外光谱等手段进行表征, 并利用气敏仪测试无水乙醇和90＃汽油在不同条件下对材料的响应性能. 结果表明, 微量Al掺杂不改变α-Fe2O3材料的物相, 但会阻碍晶粒生长, 使颗粒变小及Fe2O3晶格间隙中的铁原子数目增多, 材料的导电率增大, 从而显著提高材料的气敏性能. Al掺杂α-Fe2O3对乙醇的响应性能优于对汽油的响应性能, 在乙醇气氛中, 材料对湿度仍然不敏感. 经400 ℃煅烧的Al掺杂α-Fe2O3稳定性较好, 可作为检测乙醇气体的半导体气敏材料.     

211At标记蛋白质或多肽的方法研究

α核素211At具有良好的辐射生物学性质,以对肿瘤细胞具有高亲和性的单克隆抗体或多肽类配体为载体则是实现211At肿瘤靶向治疗的最理想方式之一。本文介绍了211At标记蛋白质或多肽的方法的现状与进展,对存在的一些问题及今后的发展方向进行了讨论。     

放射性核素迁移研究的现状与进展

本文介绍了放射性核素迁移研究的方法、影响核素迁移的一些因素及一些重要核素迁移研究的现状与进展,对存在的一些问题及今后的发展方向进行了讨论。     

铁铬合金团簇点阵中与成分相关的磁性耦合

本文采用气相团簇束流沉积法制备了不同铁铬比的铁铬合金密集团簇点阵,研究了团簇点阵中复杂的多相结构和各种耦合效应.当合金中铬含量较大时,在团簇中能够观测到一种晶格失配的类四方结构,这种结构的出现导致了不同铁铬比的合金团簇中交换偏置效应的不同.随着铬的含量增加,合金团簇的交换偏置场减小,而团簇间的偶极相互作用增强.在合金团簇的铁磁-超顺磁转变温度以上,能明显观察到在类四方结构团簇中有更大的残存矫顽力与剩磁.在场冷条件下,对矫顽力和偏置场随温度变化的研究表明含有更多类四方结构的合金团簇有更好的热稳定性和更大的各向异性.