二机器流水作业排序问题全部最优解的结构

排序问题F2||Cmax,Johnson条件只是最优解的充分条件，不是必要的．本文绘出一个充分必要条件，由此得到生成全部最优解的算法．主要理论是基于一种序论方法．     

基于异方差的自回归预测模型的参数估计及其应用

从齐性方差的线性回归模型参数估计的最小二乘法出发,通过对统计资料的适当变换,利用加权最小二乘法,获得了异方差的线性自回归模型和四种异方差的非线性自回归模型的参数估计公式,并举例阐述了估计公式的应用.     

编程解有关等比数列的问题

本文的目的是运用数学软件Ｍａｔｈｃａｄ编写解有关等比数列问题的程序．为此，需详细阐明编程的算法根据和算法分析；程序的编写和调用．本文还介绍了一些编程技巧，尽可能的给出等比数列的各个项．１ 算法的理论根据 对于任意一个等比数列； 首项α１末项αｎ，公比ｑ，项数ｎ及ｎ项和ｓｎ这五个基本量之间具有下列基本关系式： ２ 算法分析与设计 由上述基本夫系式可知，ａ１，ａｎ，ｑ，ｎ和ｓｎ这五个量中，任意给定三个，可求出其余的两个量．因而可按以下几类情况进行编程． 注意到前六种情形的求解，只需将上述基本关系式变形后…     

由三氯丙烷粗馏分制取三醋酸甘油酯

三醋酸甘油酯工业上历来是用甘油与醋酸酯化制得[1],三醋酸甘油酯用作纤维素树脂和乙烯基聚合物、共聚物的增塑剂。主要用于增塑醋酸纤维素作卷烟过滤嘴,可提供良好的弹性、透气性和合适的硬度。工业上由氯丙烯生产环氧氯丙烷过程中,生产相当量的三氯丙烷(以下简称ＴＣＰ),1,3二氯2丙醇等副产品[2]。以齐鲁石化公司氯碱厂3.2×104ｔ/ａ环氧氯丙烷装置为例,副产物ＴＣＰ达2000ｔ/ａ。它们在生产中成为一个馏分分离出来。这一馏分没有什么用处,用燃烧法处理时还生成ＨＣｌ等废气污染环境[3],我们考虑将它转化为三醋酸甘油酯,既可以变废为宝又…     

弱光拍摄全息图的实验研究

本文用正交实验设计方法对弱光拍摄全息图的记录条件和显影条件进行了综合研究,从中得到一组较优参数,解决了拍摄低反射物体所遇到的困难。     

Fe/Cu修饰氮掺杂碳纳米管的构筑及催化性能

通过简单的原位化学合成法结合离子交换法制备了Cu修饰氮掺杂碳（Cu-N-C）和Fe/Cu修饰氮掺杂碳纳米管（Fe/Cu-N-C/CNT）,并系统评估了2种催化剂作为染料敏化太阳能电池（dye-sensitized solar cells,DSSCs）对电极在I₃^-/I^-体系中的电化学特性和光伏性能。采用X射线衍射（XRD）、拉曼（Raman）、X射线光电子能谱（XPS）和场发射扫描电镜（FESEM）对合成的催化剂进行组分和形貌表征。结果表明：纳米管状的Fe/Cu-N-C/CNT的石墨化程度比纳米颗粒状的Cu-N-C更高,更有利于I₃^-还原反应中电荷的传输。光伏性能测试结果表明：基于Fe/Cu-N-C/CNT对电极的DSSCs的光电能量转换效率（power conversion efficiency,PCE）达到7.55%,高于相同测试条件下Cu-N-C（6.99%）和Pt（6.76%）对电极的PCE。50圈连续循环伏安测试结果表明：Fe/Cu-N-C/CNT催化剂具有比Cu-N-C更好的电化学稳定性。     

Mn掺杂GaN稀磁半导体的电磁特性研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法计算了不同浓度Mn掺杂GaN（Ga1-xMnxN, x=0.0625和0.1250）的晶格常数、能带结构和态密度,分析比较了掺杂前后GaN的电子结构和磁性。结果表明：Mn掺入后体系仍为直接带隙半导体,带隙宽度随Mn含量的增加逐步增大。Mn掺杂GaN均使得N 2p与Mn 3d轨道杂化,产生自旋极化杂质带,自旋向上的能带占据费米面,掺杂后的Ga1-xMnxN表现为半金属铁磁性,适合自旋注入;随着Mn掺杂浓度的增加,体系的半金属性有所增强。     

针对预警机的主客观权重相结合的TOPSIS法多目标排序

针对传统威胁评估模型主要适用于战斗机的现状,根据预警机作战特点及敌机战术方法,提出了针对预警机的威胁评估模型;传统TOPSIS法确定指标权重存在人为因素偏大的不足,根据GD-AHP法考虑多位专家意见并结合信息熵得到综合权重,进而对目标更客观地进行威胁评估并排序;算例分析表明,该方法合理、有效。      

Switching plasticity in compensated ferrimagnetic multilayers for neuromorphic computing

Current-induced multilevel magnetization switching in ferrimagnetic spintronic devices is highly pursued for the application in neuromorphic computing. In this work, we demonstrate the switching plasticity in Co/Gd ferrimagnetic multilayers where the binary states magnetization switching induced by spin-orbit toque can be tuned into a multistate one as decreasing the domain nucleation barrier. Therefore, the switching plasticity can be tuned by the perpendicular magnetic anisotropy of the multilayers and the in-plane magnetic field. Moreover, we used the switching plasticity of Co/Gd multilayers for demonstrating spike timing-dependent plasticity and sigmoid-like activation behavior. This work gives useful guidance to design multilevel spintronic devices which could be applied in high-performance neuromorphic computing.