短尾蝮新突触前毒素和细胞毒素的纯化及部分序列

用反相高效液相色谱技术对中国产短尾蝮蛇(Agkistrodon blomhoffii brevicaudus)毒中的毒性蛋白重新进行了纯化,结果从中获得了3个由约122个氨基酸残基构成的毒蛋白(AgTx-1,AgTx-2和AgTx-3)。三者对小鼠的LD_(50)分别为0.075,0.51和6.6mg/kg。在小鸡颈二腹肌标本上的毒理分析表明,AgTx-1和AgTx-2均在阻遏接头传递之后,亦不影响肌肉对乙酰胆碱的敏感性。在AgTx-3的作用下,标本的间接收缩则由于舒张不全而逐渐变小,最后停止在挛缩状态。部分氨基酸序列测定结果又表明,AgTx-1和AgTx-2的N-端32肽序列完全相同。考虑到AgTx-1的LD_(50)在粗毒中的含量及其序列等均与前文报道的β-AgTx极为相似,故我们认定它们为同一毒素,并定名为β_1-AgTx。而AgTx-2则应是新的突触前毒素,相应地定名为β_2-AgTx,至于AgTx-3便是新发现的细胞毒素。     

甲基丙烯酸八氟戊酯乙烯基咪唑共聚物的合成及与钴卟啉复合物的氧结合性能

研究了甲基丙烯酸八氟戊酯单体及其与乙烯基咪唑共聚物的合成与表征 ,以及该共聚物与氧载体钴卟啉配位复合物的氧结合性能 .共聚物分子量和乙烯基咪唑含量分别由GPC和元素分析方法测定 ,结果为5 0× 10 4 和 2 5mol % .共聚物中的咪唑基与钴卟啉在溶液中配位 ,复合物具有快速、可逆的氧结合特性 .溶剂对复合物的氧结合性能影响较大 ,复合物在四氢呋喃中的氧结合亲合力大于在N ,N 二甲基甲酰胺中的亲合力     

广义Lucas序列的重复度与相关的不定方程的解数

用ｐ－ａｄｉｃ分析方法讨论了广义Ｌｕｃａｓ序列的重复度,并由此证明了不定方程ａｘ＾２＋Ｄ＝ｃｐ＾ｎ,ｘ〉０,ａＤ〉０,ｃ＝１,２,４,ｐ为素数,除四种例外情形外,最多只有两组解（ｘ,ｎ）。     

四杆型射频四极场加速器的极间电压调谐及测定北大核心CSCD

为了提高射频四极场加速器(RFQ)的束流传输效率,需要对纵向分布不均匀的极间电压进行补偿,并且准确测量束流实验中极间电压的绝对数值。考虑到极间电压分布不均匀是由于分布电容和端部效应造成的,而采用调谐块可以调节分布电感,通过电磁场数值模拟研究了调谐块对极间电压分布的影响,最终极间电压的平整度被调整到优于95%。在束流实验中,通过测量轫致辐射谱测定了极间电压的数值,通过束流动力学模拟研究了多能峰产生的原因,并最终标定了70kV极间电压对应的输入功率值284kW。     

三个新茂钛催化剂的合成及苯乙烯间规聚合

合成了三个新茂钛催化剂:茂基三呋喃甲氧基钛,茂基三(四氢呋喃甲氧基)钛,茂基三苄氧基钛,其结构均经元素分析、^1HNMR、^1^3CNMR、IR及MS确证。它们与甲基铝氧烷(MAO)组成的催化体系对苯乙烯间规均聚合有良好的催化活性。     

含螯合型双膦配体羰基Fe（Ⅱ）化合物紫外—可见光谱性能的研究

地双膦配体羰基铁化合物的紫外－可有收峰作发属,讨论了确定金属有机化合物ＵＶ－ＶＩＳ、Ｍ－ＬＣＴ带的方法,研究了卤素对Ｍ－ＬＣＴ带,ｄ－ｄ跃迁吸收的影响以及ＣＴ带的浓度效应。     

实施再创造教学的一些策略

“再创造”相对于“原始创造”而言，它不是机械地去重复历史，而是指每个人在学习数学的过程中，根据自己的体验，用自己的思维方式，重新创造有关的数学知识。也就是说，由学生本人把要学的东西发现或创造出来。     

以耦合量子点体系模块构造量子逻辑非门

我们使用处于居里温度附近的耦合量子点体系模块,并利用旋进磁场与其相互作用,构造一个二能级量子体系,使用驻波形式的电磁激励使其发生拉比振荡.由于该量子体系在统计力学上本质是一个纯粹系综,通过控制电磁激励作用时间的手段,我们可以实现一个输出信号易于被磁强计检测的量子逻辑非门.特别地,该量子逻辑门具备一定抗干扰性质.     

遮蔽效应对抛射沉积模型标度性质的影响

在表面粗糙化生长过程中粒子非垂直入射产生的遮蔽效应是一种长程相互作用, 实验发现非垂直入射时生长表面形貌和生长性质都受到遮蔽效应的影响. 本文通过模拟倾斜入射的抛射沉积模型得到了其标度指数、 表面统计的偏度和峰度以及生长体的多孔性与入射角度的关系, 模拟结果显示标度指数与入射角度的关系是非单调的, 而偏度和峰度的有限尺寸效应也取决于入射角度的大小. 同时本文对以上模拟结果进行了定性的分析.     

直流三极溅射法制备CuInS2 薄膜

采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS₂薄膜, 其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]/[In]混合靶,反应气体采用CS₂气体. 本文中主要研究了0.02 Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[In]混合靶和沉积基板温度对CuInS₂薄膜结构和成分的影响, 其中CuInS₂薄膜制备所用时间为2 h生长的厚度为1—2 μm. 通过对CuInS₂薄膜的EPMA, X射线衍射测试分析表明, 最佳的CuInS₂薄膜可在面积比[Cu]/[In]混合靶为1.4:1和可控温度(150, 250和350 ℃)的条件下制备获得, 并且其结构被确认为黄铜矿结构. 通过实验结果计算出CuInS₂薄膜层有约为8.9%的C杂质含量.