稀土元素对Cu-6%Ag及Cu-24%Ag合金微观组织的影响

制备了Cu-6％Ag及Cu-24％Ag合金铸锭并进行了均匀化处理。通过在合金中添加0．1％混合稀土的方法，研究了稀土元素对高Ag含量和低Ag含量两种合金原始组织的影响。稀土元素可在一定程度上使共晶体数量增加，细化低Ag含量合金的铸态α基体晶粒，降低高Ag含量合金中被连续网状共晶组织包围的枝晶轴问距。在均匀化退火过程中，稀土元素可明显细化在α基体中析出的次生相，并使共晶组织更趋于分散和向离异共晶形态发展。     

一种飞轮扰振对成像像移影响的数值分析方法

为了实现像移大小的可靠预估,建立了一种对从扰振源到成像像移的传递函数进行估算的数值分析方法.首先利用Kistler微扰振测力平台对飞轮扰振进行测量,获得了各向扰振的高精度实测数据.将飞轮安装在高仿真度的整星样机中进行试验,获得了受飞轮微振动影响的图像像移数据.利用飞轮扰振数据和像移数据中的谐波数据建立并求解了一系列以传递函数为待求变量的线性方程组.最后利用所得传递函数对相同批次不同飞轮产品扰振所致像移进行预估.对比预估值和该飞轮实测像移值发现:预估结果和实测结果中谐波特性一致.相对于实测值,预估值在典型响应处误差不高于10%,大部分预估值的绝对误差不超过0.1个像素,所得传递函数可较好的对成像像移进行预估.相较于传统理论建模方法,该方法具有更高的可信度和更快的分析速度.     

高速TDI CCD空间相机焦平面设计与实验

时间延迟积分(TDI)CCD焦平面组件是空间相机的重要组成部分,主要完成光电转换,输出模拟CCD视频信号,是影响相机成像质量高低的关键部件之一。现有TDI CCD的像素数量有限,不能满足大视场、宽覆盖的要求,需要对CCD进行拼接。从结构和热控两方面入手针对空间相机高速TDI CCD焦平面组件开展了设计工作,分析了影响拼接精度的因素,针对相机恶劣的发射条件和苛刻的在轨工作温度,设计了特殊的拼接结构来保证TDI CCD拼接精度。开展了动力学环境实验和热真空环境实验来验证拼接结构的可靠性,结果表明:焦平面组件完全能够克服相机力学环境,保证TDI CCD的拼接精度;在热真空实验中,TDI CCD器件在1.5min工作时间内最高温度为30℃,CCD能够正常工作。动力学环境实验和热真空实验后对TDI CCD的拼接精度进行了检测,得到TDI CCD拼接的直线性精度3.5μm,搭接精度4μm,两行TDI CCD平行精度3.5μm,4片TDI CCD共面精度5μm,拼接精度完全满足光学设计要求。外场成像实验得到的清晰图像进一步验证了焦平面组件设计的合理性和可行性,实现了TDI CCD的高精度拼接。     

Zn3(OH)2V2O7·2H2O纳米片的水热制备

采用硝酸锌、五氧化二钒和氢氧化钠作为反应物,通过一个简单的CTAB辅助的水热方法制备了Zn₃(OH)₂V₂O₇·2H₂O纳米片。运用XRD,ICP-AES,FTIR,HRTEM,EDS,FE-SEM对产物的晶相和形貌进行了表征。结果表明CTAB在控制产物的形貌、尺寸分布和自组装过程中起着关键作用。同时我们研究了产物的晶体生长行为和自组装过程。     

苯胺在酪氨酸功能化的玻碳电极表面的聚合及应用——推荐一个综合化学实验

用电化学氧化法将酪氨酸（Tyr）通过C—N键共价键合在玻碳电极（GCE）表面,制备Tyr单层分子功能化的GCE（Tyr/GCE）。用循环伏安法在Tyr/GCE表面对苯胺进行电化学聚合,制备掺杂态聚苯胺（PAN）修饰的GCE（PAN-Tyr/GCE）。由于Tyr对PAN的掺杂作用,使PAN在中性甚至碱性介质中仍有较好的电化学活性,拓宽了聚苯胺的应用范围。用X射线光电子能谱（XPS）、红外光谱（IR）、紫外光谱（UV-Vis）及电化学方法对所得电极的结构和性能进行了表征。并研究了在中性介质中PAN-Tyr/GCE对抗坏血酸（AA）的电催化氧化。     

绿宝石晶体自旋二重态对基态能级的影响及Jahn-Teller效应

应用不可约张量方法和群的理论构造了三角对称晶场中考虑自旋 轨道相互作用,自旋 自旋相互作用和自旋 其它轨道相互作用的3d3/3d7态离子的可完全对角化的120阶微扰哈密顿矩阵.利用该矩阵计算了绿宝石晶体的基态能级、零场分裂参量,研究了自旋二重态对基态能级的贡献.理论计算值与实验值相符合,证明二重态对基态的贡献是不可忽略的.在此基础上,进一步研究了自旋 自旋相互作用、自旋 其它轨道相互作用和自旋 轨道相互作用对绿宝石晶体的光谱精细结构和零场分裂参量的影响,发现自旋 自旋和自旋 其它轨道相互作用对绿宝石晶体基态能级和零场分裂参量的影响都是不可忽略的.从而通过理论计算值和实验值的比较,证实了在绿宝石晶体中Jahn Teller效应的存在,它能够对光谱精细结构的分裂提出一些更加合理的解释.     

非线性薄壁复合曲梁广义变分原理之研究

应用拉氏乘子法建立了两端边界均为完全约束的复合材料自然弯曲闭口薄壁细长梁大位移变形弹性理论的非完全广义变分原理的泛函￣［１，２］，其中考虑了对叠层复合材料变得敏感的横向剪切变形以及和扭转有关的翘曲变形的影响，分析中还包括了拉压、弯曲和扭转的相互耦合。由泛函驻值条件可以导出所给问题的平衡方程及全部边界条件。上述方法还可以方便地推广到其它各种非完全约束边界的情况。此外，广义变分原理建立也有助于扩大有限元法和其它近似方法在薄壁复合曲梁中的应用。     

R值测量中束流相关本底的扣除方法

利用北京谱仪R值扫描数据,研究了束流相关本底的特征及其扣除方法.采用f因子方法和拟合强子事例顶点z分布的方法来扣除残余束流相关本底,并讨论其对R值测量误差的贡献.结果表明,两种方法对R值测量误差的影响约为0.3%至2.3%.     

Ni2+：CsMgCl3晶体的光谱精细结构、零场分裂参量及Jahn-Teller效应

应用不可约张量理论构造了三角对称晶场中3d2/3d8态离子的45阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵,研究了CsNiCl3单晶掺入CsMgCl3晶体后光谱精细结构、晶体结构、零场分裂参量、Jahn-Teller效应以及自旋单重态对Ni2+离子基态能级的影响,理论与实验相符合.研究了自旋-自旋耦合作用和Trees修正对Ni2+:CsMgCl3晶体的光谱精细结构和零场分裂参量的影响,发现有五种机理会影响零场分裂参量:(1)自旋-轨道耦合机理;(2)自旋-自旋耦合机理;(3)自旋-轨道与自旋-自旋联合耦合机理;(4)自旋-轨道与Trees修正联合耦合机理,(5)自旋-自旋作用与Trees联合耦合机理.其中自旋-轨道耦合机理是最主要的,其它几种机理也是不可忽略的.     

不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备

利用高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,分别在n-(111)Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳米晶粒多晶Si薄膜表面上,制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、密度分布与择优取向等结构特征.结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状态.本实验获得的最好的薄膜中,Si晶粒平均尺寸约为2.3 μm,密度分布约为3.8×107/cm2.对薄膜的沉积机理分析表明,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着大晶粒多晶Si膜的生长.