正定型超曲面上双曲闭特征的Maslov型指标的迭代公式

本文给出了R~(2n)中规范正定型超曲面上双曲闭特征的Maslov型指标的迭代公式.结果包含了凸超曲面和星形超曲面上已有的相应结论。     

空盘穿梭乘法

空盘乘法因其不置被乘数和乘数，直接拨加乘积求得结果，减少了拨珠次数，提高了计算效率．成为诸多珠算乘法中的姣姣者，受到经济核算人员和珠算选手们的睛睐。     

双狭缝相机对线状等离子体均匀性的监测

首次使用双狭缝相机对“神光”装置南路倍频线聚焦激光打靶所形成的线状等离子体均匀性进行了监测。由于实验条件的限制，相机的测量位置不太理想。为此，我们进行了修正，本文即是在修正基础上给出实验结果。修正后的结果表明，“神光”装置南路倍频线聚焦激光打靶部分发次所形成的线状等离子体均匀性不够理想。     

双卟啉金属铑配合物的合成

本文报道二种新的配体：双四苯基卟啉基对苯二甲亚胺（Ｉ），双［（５，１０，１５－三甲苯基）－２０－苯基）卟啉基］对苯二甲亚胺（Ⅱ），并合成了相应的单金属铑配合物Ⅲ．Ⅳ，进行了元素分析，电子光谱，红外光谱．质子核磁共振及光助还原水放氢实验．     

复函数的微分中值公式

<正> 实分析中有一套重要而优美的微分中值公式,我们希望复分析中也有相应的结果.本文在[1]的基础上得到关于复分析的一个概括性的微分中值公式,由它可导出与实分析中值公式类似的若干复分析微分中值公式.文[1]给出定理1.设函数 f(z)在区域 A 内解析,a 为 A 内任意一点,那么对于点 a 的某邻域     

SOI新结构——SOI研究的新方向

SOI（silicon-on-insulator：绝缘体上单晶硅薄膜）技术已取得了突破性的进展，但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层，以硅作为顶层的半导体材料，这样导致了一些不利的影响，限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件／电路的要求，探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM，GPSOI，GeSiOI，SionAlN，SiCOI，GeSiOI，SSOI等。文章将结合作者的部分工作，报道SOI新结构研究的新动向及其应用。     

关于可拓集合的运算

根据蔡文提出的可拓集合的新定义,给出了可拓集合的包含、并、交、非运算的新定义,并讨论了有关运算性质,进而获得可拓域与稳定域的几个交并运算结果.     

In-Plane Thermal Diffusivity Measurement of Thin Films Based on the Alternating-Current Calorimetric Method Using an Optical Reflectivity Technique

An advanced ac calorimetric method to measure thermal diffusivity of a thin sample is developed by using an optical reflectivity technique. A modulated infrared laser is used to heat the front surface of a foil specimen. The reflectivity of a continuous-wave He-Ne laser at the rear surface of the specimen is detected by a photoreceiver.     

激光沉积超导薄膜过程中出射粒子速度的飞行时间谱分析

采用飞行时间谱技术,测量了准分子激光烧蚀沉积高温超导薄膜过程中,由靶面出射粒子的飞行速度。研究了粒子速度与充氧压及其激光能量密度的关系。讨论了高能粒子在薄膜原位低温外延生长中的作用。