聚焦导数定义

导数是高中数学的新增内容,为高中数学 注入了新的活力,利用导数可从更深的角度来 研究函数的性质.本文聚焦导数定义,对平时 遇到的有关导数概念的题目分类分析,以期加 深对导数概念的理解和应用. f(x)在点x0处的导数:     

Gd~(3+)离子在氨基多膦酸配合物溶液中的敏化发光研究

对 Gd3+离子与氨基多膦酸配体 (乙二胺四亚甲基膦酸和氨三亚甲基膦酸 )配合物溶液荧光的研究表明 ,在碱性溶液中 2种配体可使 Gd3+离子的荧光强度分别增强 9倍和 7.4倍 ,比氨基多羧酸的荧光敏化作用要强得多。其激发和发射峰分别在 2 74 nm和 310 nm,与 Gd3+水合离子相应谱峰的位置相同。表明这种荧光增强来源于氨基多膦酸配体对 Gd3+强烈的配位作用所引起的 f→ f跃迁的部分解禁。由于 Gd-氨基多膦酸配合物十分稳定 ,因此配合物溶液荧光强度基本不受其他共存阴阳离子的影响 ,在一定范围内受 p H值变化的影响也很小。     

应用于微电机的共烧多层压电陶瓷的制备及分析

设计了一种新型棒板复合结构微电机,并对应用于微电机的共烧多层压电陶瓷进行了设计、制备、极化及性能分析。本文中使用Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3低烧瓷料,d33=300 pC/N,机电耦合系数KP约为0.70~0.74,TC=185℃,设计制备了尺寸为8.5 mm×1.2 mm,d33=3000 pC/N的共烧多层压电陶瓷器件。应用该多层压电陶瓷驱动的微电机尺寸为14.0 mm×12.1 mm,谐振频率为31.34 kHz,最低驱动电压为2 V,相应输出力为10 mN,在10 V电压下性能趋于稳定,响应时间为3.2 ms,输出力为85 mN。而在其他因素不变的条件下,单层压电陶瓷块体驱动的电机最低驱动电压为10 V,相应输出力为7 mN。通过本文研究得出,共烧多层压电陶瓷应用于超声微电机具有可行性,且与单层压电陶瓷块体驱动的电机相比具有驱动电压低和输出力大的优越性。     

L-拓扑空间的相对Nβ-紧性

在L-拓扑空间中引入相对Nβ-紧性的概念,得到了它的一些性质,如它是L-好的推广,对子集遗传,被连续的广义Zadeh型函数所保持等.     

L-拓扑空间的局部Fuzzy紧性

定义了L-拓扑空间的局部Fuzzy紧性, 证明了这种局部Fuzzy紧性是L-好的推广, 是闭可遗传的, 在连续的、开的、满的L值Zadeh型函数下保持不变.     

关于有限域上多项式方程组的解数估计

本给出有限域上多项式方程组零点个数的一个结果，改进了由Ｃｈｅｖａｌｌｅｙ，Ｗａｒｎｉｎｇ，Ａｘ，Ｋａｔｚ古典结果的Ｏ．Ｍｏｒｅｎｏ－Ｃ．Ｊ．Ｍｏｒｅｎｏ最近结果。     

一种新的L-fuzzy仿紧性

在L-fuzzy拓扑空间上引入了S-紧和S-仿紧的概念,证明了Tychonoff定理对S-紧是成立的;证明了弱诱导的L-fuzzy拓扑空间是S-仿紧的,当且仅当(X,[δ])是仿紧的。并且证明了满足S-T2分离性的S-仿紧的L-fuzzy拓扑空间是S-正则。     

单材料各向异性一维光子晶体缺陷态的局域特性研究

运用光学传输矩阵理论,深入研究了由一种各向异性材料组成的一维光子晶体中TE模式和TM模式中缺陷态的频率分布与缺陷层宽度之间的关系。与布拉格带隙相比,这种新型的光子晶体可以通过改变偏振方向实现缺陷态密度的改变。得出将高折射率层与外界接触时态密度最低并最适合于滤波特性的结论。对制作偏振变化滤波器方面和缺陷宽度控制滤波频率方面有重要的指导意义和应用价值。     

双F-拓扑中的分离性(Ⅰ)

介绍在双F-拓扑中的T0-,T1-,T2-,T3-,T4-,R0-,R1-,R2-分离性,给出了它们一些等价刻画,研究了它们之间的关系。