胺基功能化咔唑共轭聚合物的合成及其光电性能研究

发展了新型含有胺基的支化烷基修饰的咔唑单元,并且与芴、咔唑、苯等单元通过Suzuki偶联反应共聚得到不同主链结构的水/醇溶共轭聚合物界面修饰材料,研究了主链结构的变化对材料光物理、电化学性能的影响.所有聚合物均被用作阴极界面材料应用于器件结构为ITO/PEDOT：PSS/P-PPV/界面层/Al的聚合物发光二极管中.在相同器件制备条件下,系统比较了不同主链结构的界面修饰材料在器件中的性能,并研究了性能差异的原因.器件研究结果表明,在高功函数金属Al阴极的聚合物发光二极管中,含胺基功能化咔唑单元的水/醇溶共轭聚合物材料由于界面偶极的形成,均表现出很好的电子注入/传输性能,与之对应的器件性能得到大幅提升.     

新型含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能

采用Suzuki偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基芴的衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BTDZ);通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得到了其相应的聚电解质衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNBr-BTDZ)。通过对它们的电致发光性能的研究,发现所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件具有和用钡/铝作阴极的器件相近的发光性能,说明这类聚合物具有良好的电子注入性能。不同比例的2,1,3-苯并噻二唑(BTDZ)的引入使聚合物中发生有效的能量转移,调节了聚合物的发光颜色;同时也提高了聚合物的器件性能。其中聚合物PCzN-BTDZ1在器件结构为ITO/PEDOT/PVK/Polymer/BaAl时的效率达0.99%,高于PCzN在相同器件结构时的效率(0.14%)。     

基于萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑共轭聚合物的高效光探测器

利用基于萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑共轭聚合物(NTOD)为给体, 富勒烯衍生物PC71BM为受体, 制备本体异质结聚合物光探测器. NTOD与PC71BM 的共混薄膜吸收范围为300 ~ 830 nm. 通过 对NTOD:PC71BM活性层厚度的调控实现器件暗电流密度的显著降低,增强了探测器的二极管性能,同时保持较高的外量子转化效率. 当活性层厚度为385 nm时,聚合物光探测器在?0.1 V偏压下的暗电流为6.69 × 10–10 A cm?2. 在–0.1 V偏压下器件在440 ~ 800 nm的工作波段的比探测率均超过1013 cm Hz1/2 W?1,处于750 nm的工作波长下达到最大比探测率为1.50 × 1013 cm Hz1/2 W?1,光响应率为0.22 A W?1,这些结果表明基于NTOD:PC71BM的有机光探测器具有广阔的应用前景.     

用计算机求同科电子形成的原子态

通过分析nd^3组态的电子状态组合,具体介绍如何利用计算机来求出同科电子所形成的原子态。     

基于膜厚与分子量优化策略实现高效近红外有机光探测器

利用基于[1,2,3]三唑并[4,5-f]异吲哚-5,7(2H,6H)-二酮(TzBI)共轭聚合物PTzBI-Cl为给体,非富勒烯小分子Y6DT为受体,制备基于倒装结构的有机本体异质结光探测器.基于高分子量聚合物PTzBI-Cl-H制备的器件比低分子量材料制备的器件具有更低的暗电流和更高的光探测性能.通过对PTzBI-...     

p-n型NiWO4/ZnIn2S4异质结光解水析氢性能

采用水热/水浴两步法构筑了p-n型Ni WO₄(NWO)/Zn In₂S₄(ZIS)异质结,研究了不同含量的NWO对ZIS物相组分、形貌结构、能带结构、光谱吸收及光解水析氢性能等的影响,并采用一系列表征手段探讨了NWO/ZIS异质结的光催化机理.结果表明,负载NWO后,ZIS物相组分及形貌结构未发生显著变化,两种材料界面接触紧密且分布均匀;在可见光辐照下,NWO/ZIS异质结光解水析氢性能得到了显著提升,其中,最佳样品NWO-35/ZIS析氢速率达到5204.8μmol·g^-1·h^-1,为纯相ZIS(1566.4μmol·g^-1·h^-1)的3.32倍;循环实验结果表明,NWO/ZIS样品具有很好的光稳定性;能带结构和光电子动力学表征结果证实了p-n型异质结内建电场驱动的光生载流子的传输机制.     

格的模糊素理想的度量

本文主要研究了模糊代数中格的模糊素理想的度量。首先给出了模糊素理想的新概念,并利用模糊素理想度讨论了格的模糊子集是模糊素理想的程度。其次,利用格的模糊集的(强)水平集得到了模糊素理想的等价刻画。最后,讨论了任意多个模糊子集的交、直积的模糊素理想度以及格的模糊子集在同态映射下像与原像的模糊素理想度的性质。     

手征SU(3)夸克模型研究低能Nπ散射相移

在手征,SU(3),夸克模型中,通过求解共振群方程动力学地研究了同位旋,I=1/2,和,I=3/2,道,Nπ,的,S,波和,P,波低能弹性散射相移.所用的模型参数由基态八重态和十重态重子的能量定出, 并能给出不同分波的,KN,散射相移.除了有明显共振态的道以外, 计算得到的各个分波的,Nπ,散射相移和实验值定性一致.     

光电高分子专辑前言

<正>随着时代的进步,电子产品的更新换代大幅提升了人们的工作效率与生活品质.各类电子元件都和半导体材料有着密不可分的联系,但这些半导体材料均基于硅、锗、砷化镓等无机材料.与无机半导体材料不同,有机/聚合物半导体材料由π共轭单元结构构建而成,具有化学结构与器件性能可控的独特优点,在制备低成本、轻柔、大面积的光电器件时,具有极大的优势.因此,有机半导体材料在有机发光二极管、聚合物太阳电池、有机场效应晶体管