内部审核在计量体系中的作用

介绍内部审核制度在计量测试工作中的目的和作用，提出了内部审核工作应注意的事项，如内部审核工作计划的完整性，内部审核工作的有效性，管理者工作内容的全面性，以及后续工作的完善性。     

关于高职物理教材建设的几点思考

高等职业技术教育是我国高等教育的一部分 .高职学历教育的定位是 :“人才类型—实施型应用型 ,人才专业—职业技术性 ,人才去向—一线性 .”本文就高职物理教材建设问题 ,谈几点思考 ,与同行们切磋 .1　物理教材应突出技术性高职教育强调知识的应用 .将课程改名为“技术物理基础”很有道理 .高职院校培养应用型人才 ,讲究“学以致用” .物理知识博大精深 ,高职院校专业众多 ,如何选编教材内容 ,使两者结合起来 ,不是易事 ,需要广泛调查物理知识在相关专业的应用 ,合理选择知识点 .高职物理教材难度应有所降低 .广度应有所增加 ,以广度换难…     

’94北京检测技术交流会在京召开

由北京机械工程学会无损检测分会、中国声学学会检测声学分会、中国机械工程学会无损检测分会超声专业委员会和促进无损检测器材发展工作委员会联合主办，北京NDT技术交流中心承办的“’94北京检测技术交流会”于1994年10月8日一10日在北京国际会议中心隆重召开．这是无损检测学会与声学检测学会第一次在北京联合召开的全国性大规模学术交流会，也是第一次由从事无损检测与声学检测两个方面的科技工作者联合参加的检测技术交流会．出席大会的代表近200人．大会共收到论文110篇．特邀大会报告6篇：中科院院士应崇福先生的“激光超声研究与…     

华中师范大学物理科学与技术学院

华中师范大学物理科学与技术学院源于华中大学1903年创立的理学院物理系,历经百年,经过几代学人的共同奋斗,已发展成为具有基础理论研究优势、工科应用研究亮点的特色学院。学院拥有教育部批准挂牌的国家理科(物理学)基础科学研究和教学人才培养基地、物理学博士后流动站、物理学一级学科博士学位点(主要在理论物理、粒子物理与原子核物理、凝聚态物理、光学、无线电物理、原子与分子物理、天体粒子物理二级学科招收硕士、博士学位研究生)以及电子科学与技术(工学)一级学科硕士学位点(主要在电路与系统、物理电子学、电磁场与电磁波二级学科招收硕士学位研究生)。拥有物理学科教学论(教育学)、天体物理(天文学)、材料物理与化学(工学)、通信与信息系统(工学)4个二级学科硕士学位点。拥有湖北省重点学科“理论物理”、“粒子物理与原子核物理”,湖北省重点实验室“高能物理实验室”、“湖北省教育信息化研究中心”。挂靠学院的单位有中南地区理论物理学术交流中心。物理科学与技术学院设有物理学系、电子与信息工程系、粒子物理研究所、纳米科技研究院、湖北省教育信息化研究中心和信息资料中心。学院还设有复杂性科学研究中心、数字空间研究所、天体物理研究所、应用物理研究所、物理教育研究所、光电集成技术研究中心、电子与计算机研究所等科研机构。物理科学与技术学院拥有物理学、电子信息科学与技术、通信工程三个本科专业。国家物理学基础科学和教学人才培养基地班(择优保送硕博连读)学生主要从这三个专业中选拔。学院培养的学生综合素质高、科研能力强。1999年,96级基地班受到教育部、团中央联合表彰,被评为“全国先进优秀班集体标兵”。     

基于PROFIBUS注塑车间分布式监控系统的研究

随着塑料产品产量的增加,许多企业都建有一定规模的注塑车间.对车间内的注塑机进行有效的计算机监控管理,能及时掌握注塑机的运行状况,提高生产效率,提升企业信息化程度.采用一种基于PROFIBUS现场的总线技术,给出了注塑车间分布式监控系统的硬件组成原理、监控系统的功能及系统组态的实现,该系统可同时对多台注塑机进行现场及远程监控.     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

浅水中污染物扩散的自适应有限元分析法

介绍浅水中污染物扩散分析中的有限元法.分析包括两个部分:1)流场速度、水面高度的计算;2)根据扩散模型计算污染物浓度场.联合使用了自适应网格技术以期提高解的精度,同时减少计算时间和计算机内存的消耗.通过几个有已知解的实例验证了有限元公式和计算机程序.最后,使用这种联合方法分析泰国Chao Phraya河附近海湾中的污染物扩散.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.