硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究

本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究. 结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL波长始终大于硅基板芯片约6 nm,在300 K 状态下随着驱动电流的加大铜基板芯片的EL波长会由大于硅基板芯片3 nm左右而逐渐变为与硅基板芯片重合;当驱动电流不变时,环境温度由13 K升高到320 K,两种基板芯片的EL波长随温度升高呈现S形变化并且波谱逐渐趋于重合;在100 K以下温度时铜基板芯片的Droop效应比硅基板芯片明显,在100 K 以上温度时硅基板芯片的Droop效应比铜基板芯片明显. 可能是由于两种芯片的基板具有不同的热膨胀系数和热导率导致了其变温变电流的EL特性不同. 关键词： GaN 热膨胀系数 内量子效率 热导率     

综合管廊早龄期混凝土温度应力仿真模拟

以汉中市综合管廊为工程背景,通过有限元软件,首先模拟分析综合管廊早龄期温度场,随后将温度场结果附加到管廊结构中求解温度应力,从而分析综合管廊早龄期混凝土温度应力与浇筑长度的关系。模拟分析发现:综合管廊在混凝土浇筑早期,温度场沿长度方向变化不显著,且随着浇筑长度的增加,温度场不变;在墙体温度上升阶段,墙体内部沿长度方向的应力主要为压应力,当墙体混凝土内部温度达到最高,混凝土开始降温,结构内变形由膨胀逐渐变为收缩,内力由压应力逐渐变为拉应力,随着时间的变化,墙体内外温差趋于稳定,墙体温度应力也逐渐平稳,此时温度应力主要受外界环境变化影响;当综合管廊浇筑长度在60m范围内,浇筑长度越大,温度应力越大,但当浇筑长度超过60m,温度应力不再增加。     

在LiCl-KCl共晶熔体中电化学制备钬镍金属间化合物(英文)

采用循环伏安、方波伏安和开路计时电位等方法研究了Ho(Ⅲ)离子在LiCl-KCl共晶熔体中的电化学行为及Ho-Ni合金化机理。在惰性W电极上,Ho(Ⅲ)离子在-2.06 V(vs Ag/Ag Cl)发生电化学还原,该还原过程为3个电子转移的一步反应。与惰性W电极上的循环伏安相比,Ho(Ⅲ)离子在活性Ni电极的循环伏安曲线上还出现了3对氧化还原峰,是Ho与Ni形成了金属间化合物,导致了Ho(Ⅲ)离子在活性Ni电极发生了欠电位沉积。在不同的电位进行恒电位电解制备的3个不同的Ho-Ni合金,采用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜-能谱仪(SEM-EDS)等测试手段进行表征,结果表明:制备的3种合金分别是Ho2Ni17,Ho Ni5和Ho Ni23种合金化合物。     

镧系和锕系元素在离子液体中电化学行为研究进展

在核燃料后处理中,离子液体作为"新一代绿色溶剂"可以替代强腐蚀性的高温熔盐用于干法后处理电解回收金属离子。本文总结了近年来国内外在离子液体中锕系和镧系元素的电化学行为。通过对比各研究结论的异同,评述了几类离子液体作为电解液电沉积金属及合金薄膜的优劣势;展望了离子液体作为电解液用于镧系和锕系元素分离实现提取铀和钚的研究前景和目前需要解决的问题。     

镧系和锕系元素在离子液体中电化学行为研究进展

在核燃料后处理中,离子液体作为“新一代绿色溶剂”可以替代强腐蚀性的高温熔盐用于干法后处理电解回收金属离子。本文总结了近年来国内外在离子液体中锕系和镧系元素的电化学行为。通过对比各研究结论的异同,评述了几类离子液体作为电解液电沉积金属及合金薄膜的优劣势。展望了离子液体作为电解液进行镧锕分离实现提取铀和钚的研究前景和目前需要解决的问题。     

Zn/Cu反应扩散系数的影响因素

研究了460 ℃时Zn(液)/ Cu(固)扩散偶反应扩散.利用金相显微镜、能谱仪EDS和Zn/Cu平衡相图分析研究了所出现的新相.通过非平衡态扩散边界条件,导出了各单相反应扩散系数的计算方程,并对其影响因素进行了分析研究.结果表明:各相之间反应扩散系数有较大不同,且远大于Arrhenius方程计算的扩散系数.反应扩散系数的主要影响因素是各单相相变反应速率,同时单相边界浓度和扩散时间对反应扩散系数也有一定影响.     

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N₂ ∶O₂=4 ∶1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变 关键词： 氮化镓 发光二极管 牺牲Ni退火 p型接触     

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管P型接触影响的研究术

本文通过在硅衬底发光二极管（LED）薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2：O2=4：1的气氛中、400℃-750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Nj覆盖层之后制备Pt／p-GaN欧姆接触层．实验结果表明：退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜P型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低P型层中Mg受主的激活温度．经牺牲Ni退火后,P型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1．5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6．1×10^-5Ω·cm。．     

辐射诱发体内旁效应特征的研究进展

大量的细胞生物学研究显示, 辐射诱发旁效应的传输信号包括活性氧自由基（ROS）、 一氧化氮自由基（NO）以及一些细胞因子。 近年来,越来越多的文献报道关于体内旁效应特征的研究, 并已经证实在生物体内辐射诱导的旁效应不仅能发生在相邻组织, 还可发生在远源器官。这些体内旁效应包括DNA损伤、表观遗传学改变、miRNA及基因表达改变、 细胞增殖和凋亡等。 为了总结和分析辐射诱发体内旁效应的特征, 本文综述了辐射诱发体内旁效应的特点, 包括其与性别、 传播途径、辐射品质的关系以及相关机制的研究。 Radiation induced bystander effect is defined as the induction of damage in neighboring non hit cells by signals released from directly irradiated cells. ROS, NO and cytokines are involved in signaling pathways of bystander effects. Recently, the bystander effects in vivo have been reported more and more. It has been indicated that radiation induced bystander effect was localized not only in bystander tissues but also in distant organs. This effect includes many biological endpoints such as DNA damage, epigenetic, miRNA and gene expression changes, cell proliferation and apoptosis. In this review we described different aspects of ionizing radiation induced bystander effects such as its characteristics, sex specific, signaling transfer, dose and LET dependence, and related mechanisms.     

不同热处理的Cu-0.8Cr-0.05Y合金形变时效行为

对铸造Cu-0.8Cr-0．05Y合金采用了两种处理工艺：铸态＋固溶处理＋冷轧＋时效（工艺A）；铸态＋冷轧＋时效（工艺B）。通过对显微组织观察、硬度和导电率的分析，研究了经上述工艺处理后该合金的形变时效行为。结果表明，经工艺B处理的试样在时效过程中由于第二相析出、长大先于再结晶进行，因而具有更好、更稳定的综合性能，经90％冷轧变形，在480℃时效3min后，显微硬度可达150HV，导电率达90％IACS。