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61.
This paper is concerned with the number and distributions of limit cycles of a cubic Z2-symmetry Hamiltonian system under quintic perturbation.By using qualitative analysis of differential equation,bifurcation theory of dynamical systems and the method of detection function,we obtain that this system exists at least 14 limit cycles with the distribution C91 [C11 + 2(C32 2C12)]. 相似文献
62.
63.
随着手机市场对高像素手机镜头的需求增大,利用Zemax光学设计软件设计一款大相对孔径800万像素的广角镜头。该镜头由1片非球面玻璃镜片,3片非球面塑料镜片,1片滤光镜片和1片保护玻璃构成。镜头光圈值F为2.45,视场角2ω为68°,焦距为4.25 mm,后工作距离为0.5 mm。采用APTINA公司的MT9E013型号800万像素传感器,最大分辨率为3 264×2 448,最小像素为1.4 μm。设计结果显示:各视场的均方根差(RMS)半径小于1.4 μm,在奈奎斯特频率1/2处大多数视场的MTF值均大于0.5,畸变小于2 %,TV畸变小于0.3 %。 相似文献
64.
一种基于模型检查的入侵检测方法 总被引:1,自引:0,他引:1
在分析系统行为以及其动作序列的语义的基础上,利用时序逻辑公式描述攻击特征,提出了一种基于模型检查的入侵检测方法,该方法解决了检测中的重复验证等问题,通过增加推理链的长度约束,引入时序算子处理统计攻击,从而优化了入侵检测过程。 相似文献
65.
66.
67.
含席夫碱桥联配体的双核金属钌配合物的合成及其性能研究 总被引:2,自引:2,他引:0
合成了3种双核钌配合物[Ru(bpy)2]2{[(PyCHN)-Ph-O-C6H4-]2R}(ClO4)4,bpy=2,2′-联吡啶,PyCHN=N-2-吡啶亚甲基,R=无(1),-C(CH3)2(2),-SO2(3)并进行了有关表征。电化学研究表明:配合物3的ΔE和Kc值最大,说明苯环和硫原子之间存在着较强的(p(π)-d)π相互作用,有助于获得较强的金属-金属相互作用。配合物1,2,3都有混合价,通过Hush方程可以得到Vab的值大概为320~420 cm-1。这些结果表明:Schiff碱作为桥配体对于调配金属-金属相互作用并将其作为分子导线起着特殊的作用。 相似文献
68.
滕建厚张燕革艾勇胡国元陈晶 《光学与光电技术》2021,19(5):9-14
针对污染气体监测系统中机动车尾气排量计算问题,提出了基于光流法的气体排量计算模型。该方法先通过红外相机获取多帧气体图像序列,再经过光流法处理得到气体羽流一段时间之内的光流速度场矩阵,最后与二维气体浓度图相结合处理得到气体瞬时排量。经过使用不同的光流法进行实验对比可知Farneback光流法在该模型中的适应性更好,能够得到更好的处理效果,该光流法计算得到的气体排量拟合度最大达到了93%,并且在保证处理精度的同时运算速度也优于Lucas-Kanade光流法和Horn-Schunck光流法,在低排放速度和高排放速度的气体排量计算中也有更好的稳定性。该方法为非接触式气体监测提供了新的思路。 相似文献
69.
用Nd:YAG脉冲激光器1 064 nm激发光在二次去离子水中制备了Pd胶体.此体系中Pd颗粒表面不存在杂质离子,为"化学纯净".刻蚀后将Pd胶体沉积在铝基底上形成一层Pd岛膜.紫外-可见吸收光谱表明Pd胶体在200~800 nm测量范围内没有出现特征吸收峰,说明Pd胶体的吸收光谱并不能反映Pd胶体中Pd颗粒的粒径分布等信息.SEM显示Pd岛膜由Pd纳米颗粒组成,其平均粒径在200 nm左右.以101-3mo/·L-1的4-巯基吡啶(4MPY)为探针分子对Pd胶体和Pd岛膜的表面增强拉曼散射(SERS)进行了研究.结果显示,在Pd胶体中没有获得4MPY的SERS信号;Pd岛膜是一种非常高效的活性增强基底,从实验数据估算得出其增强因子约为8.7×104.SERS光谱分析显示4MPY分子通过S原子以倾斜的方式吸附于Pd岛膜表面;与Pd岛膜表面相比,4MPY分子在Ag岛膜上更趋于采用垂直于表面的吸附取向. 相似文献
70.
Film Thickness Dependence of Rectifying Properties of La1.85Sr0.15CuO4/Nb-SrTiO3 Junctions 下载免费PDF全文
In this work, p-n junctions are made from directly depositing optimal doped La1.85Sr0.15CuO4 (LSCO) films on n-type Nb-doped SrTiO3 substrates. Film thickness controlled rectifying behaviors are strikingly displayed. The starting points of the diffusion voltage reduction Vd-on change clearly with varying film thickness. Vd-on and Tc coincide with each other when the film thickness is larger than 300 nm, indicating a close relation between the two parameters. However, when the film is very thin (〈 350 nm) a departure between the two parameters was also observed. A possible reason for this is discussed within the framework of an inhomogeneous Sehottky contact. Enhanced interface inhomogeneity due to the tensile strain appears to be the origin. 相似文献