自旋极化电子碰撞谱仪的研制进展

与电子自旋相关的效应在散射过程中起着十分重要的作用，但却常常被较强的库仑相互作用所淹没，使得以自然电子为探针的散射实验很难对其进行直接观测。以极化电子作为探针，研制极化电子碰撞谱仪，将为开展自旋相关效应的实验研究奠定基础。本简述了极化电子与原子分子碰撞研究的意义，并介绍了清华大学物理系极化物理实验室自行开发的GaAs极化电子源及基于该极化电子源的碰撞谱仪的研制情况。     

极限疑难

在■的定义中不可缺少的任意小正数■必须具有(0,1/n)的性质,但(0,1/n)=φ(空集)。在(x)=+∞的定义中不可缺少的任意大正数G必须具有(n,+∞)的性质。而(n,+∞)=φ。因而在极限定义中不可缺少的任意小正数(?)或任意大正数G具有矛盾的性质,一方面是(0,+∞)中的元素,另一方面又是空集的元素,即不是(0,+∞)中的元素,构成极限疑难。     

齐权方程及其解法

一般教科书中都讲了一类可化为变量可分离的微分方程即齐次方程.如果将齐次函数概念推广,就得到另一类可化为变量可分离的方程即本文将要介绍的齐权方程.     

切花泥主成分的色谱—质谱联用分析

本文通过切花泥的高温裂解，利用色谱－质谱联用方法对其成分进行了结构分析。     

测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率

报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.     

无机溶致液晶研究进展

目前发现的液晶多数为有机液晶,无机液晶非常少见。非球形无机胶体(棒状或盘状)体系在排斥体积熵的作用下可形成液晶相,即无机溶致液晶。由于其具有的理论意义和潜在的应用价值,无机液晶近年来引起了人们的关注。本文综述了无机溶致液晶的研究历史和最新进展。     

混合价态Eu(+2,+3)离子激活的单一组分发光材料:设计合成、发光性质及机理

作为绿色照明光源的典型代表,白光发光二极管(LED)被誉为21世纪的新一代照明光源。而作为白光LED重要组成部分的荧光粉,对其性能要求也不断被提升。Eu~(2+)和Eu~(3+)由于其电子结构上的差别导致其截然不同的发光性质。其中,Eu~(2+)的特征发射为4f–4f跃迁,而Eu~(3+)离子的特征发射为4f–5d跃迁。为了结合两者各自的发光特性,近年来对于混合价态Eu离子的研究成为热点。混合价态Eu离子掺杂荧光粉结合了Eu~(2+)和Eu3+离子各自的发光特点,具有颜色灵活可调的优良性质。本文主要从Eu~(2+)、Eu~(3+)各自性质出发,从不等价取代、晶场调控等三个方面综述了混合价态Eu(+2,+3)离子激活的单一基质发光材料近年来的研究进展。此外,对不同方法制备的混合价态Eu离子掺杂荧光粉的发光性能及发光机理也进行了归纳总结,为无机荧光材料的发展提供了新的思路。     

单位球上F(p,q,s)空间的分解和刻画

设p>0,s ≥ 0,q>max{-n-1,-s-1},本文探讨了单位球上F（p,q,s）空间的一种等价刻画和分解问题.具体结果为：（1） f∈ F（p,q,s）当且仅当f∈ H（B）,且I^p=sup_a∈B∫_B|R^α,γf（z）|^p（1-|z|²）^q+pγ-p（1-|φ_a（z）|²）^sdv（z）<∞,其中α>-1 和γ>max{0,1-（q+s+1）/p,1-（q+n+1）/p}. （2） 若{d_k}∈ ∫^p,则存在序列{w_k}⊂B,使得 f（z）=∑_k=1^∞（d_k（1-|w_k|²）^t+1）/（1-k>）^{t+（q+n+1）/p}）（z∈B）属于F（p,q,s）,其中t>max{1-1/p,0}（q+n+1）+max{1/p,1}s-1.