紫外光谱法快速测定生物质提取液中的糠醛和羟甲基糠醛

提出了一种基于紫外光谱快速测定木质生物质预提取液中糠醛(F)和羟甲基糠醛(HMF)的方法。研究中发现,在浓的冰醋酸介质中,276 nm是F和HMF的等吸收点波长;生物质预提取液中的酸溶木素是测定F和HMF光谱的主要干扰。然而,进一步研究发现,酸溶木素在250 nm到500 nm的光谱范围内均有吸收,而F和HMF在325 nm后便没有吸收。因此酸溶木素的影响可以通过其在325 nm的吸光度值乘上一个系数加以矫正。最终,基于等吸收点波长(276 nm)和F的最大吸收波长(272 nm),以及酸溶木素在325 nm(F和HMF均无吸收)处的波长,采用简单的三波长法就可定量检测出生物质提取液中F和HMF的含量。该方法测定前无需加入有毒的酚类物质作为显色剂,且简单、快速,测定F和HMF的相对偏差及回收率分别为3.02%和2.72%,95%～107%和96%～101%,因此很适合用于生物质精炼中木质生物质预提取半纤维素领域的研究。     

化学教学中学生思维方式的建构研究

反思化学学科教学,主要的教学方式仍依赖教师讲解,重视知识和解题技巧的传授,忽略思维方法的培养与训练。本课题旨在探索在高中化学教学中,如何以学科知识为载体,利用学生思维方式的意义建构提高学习质量,为新一轮课程改革所倡导的学习方式变革提供借鉴与参考。     

电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响

本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响.结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803;增加到6.833;.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因.     

衰减全反射-紫外/可见光谱传感技术

阐述了衰减全反射法(ATR)的光学原理、衰减全反射一紫外／可见光谱方法(ATR-UV)的特征及其应用中的校正方法。ATR-UV传感器能够同时检测化工过程中体系的多种主要组成的含量,其方法简单、迅速、准确,无需对试样进行预处理或稀释,该技术对于在线或内置传感监测化学化工过程方面具有很好的应用前景。     

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.     

溴代作用对竹红菌乙素分子性质影响的量子化学研究

用半经验量子化学方法AM1和PM3对竹红菌乙素及其溴代物进行了对比计算,考察了溴代作用对竹红菌乙素分子性质的影响。两种方法所得结果均表明,溴代作用使分子的生成热、前线轨道能级及偶极矩等参数都有所降低,溴代作用也影响了竹红菌乙素分子内氢键的性质,并能使其对光的吸收产生红移。     

真菌漆酶及其催化对苯基苯酚聚合条件的研究

白腐菌Panus conchatus在液体培养条件下产生了漆酶,经纯化分离后用于对苯基苯酚的催化聚合,探讨了反应温度、缓冲溶液pH以及反应体系中溶剂二氧六环的含量对漆酶催化对苯基苯酚聚合的影响。结果表明,漆酶催化对苯基苯酚聚合反应的最佳反应条件为：温度为40℃,混合溶剂中二氧六环的体积百分数为85％。缓冲溶液为pH=4的0．2mol／L HAc-NaAc溶液。在此条件下用漆酶催化对苯基苯酚聚合,得到了重均分子量Mw=80533的聚酚产物。得率为75.5％。     

甲烷气体传感器的性能研究

本文研究了材料和工艺对甲烷气体传感器性能的影响。结果表明,当气体探测元件涂Pt-Pd复合催化剂而参比元件用Al2O3制作时,传感器的性能良好。     

Comparison of two kinds of active layers for high-power narrow-stripe distributed feedback laser diodes

Usually GaAs/AlGaAs is utilized as an active layer material in laser diodes operating in the spectral range of 800--850 nm. In this work, in addition to a traditional unstrained GaAs/AlGaAs distributed feedback (DFB) laser diode, a compressively strained InGaAlAs/AlGaAs DFB laser diode is numerically investigated in characteristic. The simulation results show that the compressively strained DFB laser diode has a lower transparency carrier density, higher gain, lower Auger recombination rate, and higher stimulated recombination rate, which lead to better a device performance, than the traditional unstrained GaAs/AlGaAs DFB laser diode.