M50钢强流脉冲电子束Cr合金化的高温摩擦性能

结合磁控溅射与强流脉冲电子束辐照技术在M50钢表面制备了Cr合金化层。采用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对合金化层的组织结构进行表征分析,研究了Cr合金化层的高温摩擦行为及磨损机制.结果表明:Cr合金化层由表向内依次为Cr含量较高的体心立方(BCC)Fe-Cr固溶体、奥氏体和马氏体. M50钢与Cr合金化层的高温磨损机制均为氧化磨损。Cr合金化层高温摩擦系数在0.2～0.4之间,低于M50钢0.5～0.8,具有一定的自润滑效果. SEM和能谱分析表明:Cr合金化层在高温摩擦过程中优先生成与基体结合良好的低摩擦系数的氧化铬膜是其摩擦系数降低的主要因素.     

四维超混沌系统Hopf分岔分析与反控制

对超混沌系统进行分岔反控制的研究已成为当前一个重要研究方向,常采用线性控制器实现反控制。首先,对一个四维超混沌系统的Hopf分岔特性进行了分析,利用高维分岔理论推导出分岔特性与参数之间的关系式,以此判断系统的分岔类型。然后,设计一个由线性与非线性组合成的混合控制器对系统进行分岔反控制,控制参数取值不同时,系统会呈现出不同的分岔特性。通过分析得出,调控线性控制器参数可以使系统Hopf分岔提前或延迟发生;同时,调控混合控制器的两个控制参数,可以改变系统Hopf分岔特性,实现分岔反控制。     

基于质谱技术的食品过敏原检测方法研究进展

食品过敏原分析在食品安全领域具有重要的研究意义。质谱技术由于能够提供待分析物的化学结构信息等特点,已逐渐应用于食品过敏原等大分子检测领域,具有简单高效、高特异性、高通量和高灵敏度等优点,引起了研究者们的广泛关注。该文综述了近年来质谱技术在食品过敏原检测领域的最新研究进展情况。     

索-梁耦合结构Hopf分岔的反控制

本文研究了索-梁耦合结构的Hopf分岔的反控制,动态窗口滤波反馈控制器在反控制领域有着很广泛的应用。本文通过使用这种控制器,可以使得受控系统在指定的平衡点处产生Hopf分岔。最后,根据庞加莱截面和级数展开法,证明了上述方法的有效性及可行性。     

配合物[Eu(4-MOBA)3(terpy)(H2O)]2的合成、表征、热分解机理及性质

合成了一个新的配合物[Eu(4-MOBA)₃(terpy)(H₂O)]₂ (4-MOBA:4-甲氧基苯甲酸根, terpy:2, 2':6', 2"-三联吡啶)。采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱、元素分析和X射线粉末衍射(XRD)技术对标题配合物进行了表征,用X射线单晶衍射仪测定了配合物的晶体结构,在配合物中每个Eu³⁺离子与一个三联吡啶分子、一个水分子和三个羧酸分子结合,配位数为9,羧酸基团的配位模式包含三种:双齿螯合,桥连双齿,单齿。根据热重-差示扫描量热/傅里叶变换红外(TG-DSC/FTIR)联用技术,研究了配合物的热分解机理。配合物的发射光谱显示出Eu³⁺离子的特征荧光发射,表明三联吡啶和4-甲氧基苯甲酸在该体系中可作为敏化集团。另外,文中还讨论了配合物对白色念珠菌和大肠杆菌的抑菌活性。     

全共轭嵌段共聚物的合成组装与应用

全共轭嵌段共聚物体系将共轭聚合物的光电特性和嵌段聚合物的自组装优势相结合,是近几年发展起来的一类新型自组装光电功能材料,对其自组装机理、自组装结构与光电性能之间关系的研究,有利于共轭聚合物微观纳米结构的构筑以及未来光电器件的开发。本文主要介绍全共轭嵌段共聚物包括共轭聚电解质在内的合成发展过程,综述其在溶液中和薄膜状态下独特的自组装行为,介绍共轭聚合物在光电器件中的应用,并对其今后的研究方向做出展望。     

内外噪声扰动下放牧生态系统的稳态转换现象

生态系统的稳态转换可能会造成生态环境的退化和巨大的经济损失,研究稳态转换如何受随机因素影响非常必要.文章研究放牧模型在高斯噪声和Lévy噪声共同作用下的稳态转变现象.首先介绍了放牧模型的确定性方程,然后利用Janicki-Weron算法产生Lévy噪声,并通过四阶Runge-Kutta算法对放牧系统进行数值模拟,最后基于稳态概率密度分别分析了内噪声和外噪声对系统稳态转换行为的影响.研究发现两种噪声均可诱导系统产生稳态转换现象,但作用相反;高斯噪声强度的增大可以诱导放牧系统从高植被态向荒漠态转换,而Lévy噪声的强度、稳定性指标和偏斜参数的增大均可促进放牧系统从荒漠态向高植被态的恢复.     

药学专业药物化学实验教学现状与教学改革

从实验课与理论课相互关系、实验教学内容、与基础课的衔接、与相关课程的沟通和实验室管理等5个方面分析了药物化学实验教学中存在的问题,针对这些问题提出了改革措施,并对药学实验教学改革进行了展望。     

p型CdZnTe晶体(111)B面的Au/Zn复合电极的制备和研究

通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、Ⅰ-Ⅴ特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响.结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响.Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.     

PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.