TS-1分子筛酸性的固体核磁表征

钛硅分子筛是一种具有广泛用途的环境友好催化剂 .它的开发和应用 ,使分子筛由酸催化作用扩展到了催化氧化过程 .TS- 1作为氧化催化剂 ,在以双氧水为氧化剂的烯烃环氧化、芳烃环的羟基化、环己酮的肟化、醇以及饱和烃的氧化等反应中显示出优良的催化性能 ,因而倍受关注 [1～ 4 ] .然而 ,尽管钛以四配位的形式进入分子筛的骨架 ,但仍然存在弱酸中心 ,这种弱酸中心在一些催化氧化反应中起着一定的作用[5] .人们对分子筛的酸性进行了长期研究 ,从最初的化学滴定法到量热法以及 NH3- TPD,尽管可得到分子筛酸性位的一些信息 ,但无法区分酸的种…     

外场作用下吡咯分子的物理性质研究

吡咯分子是重要的有机半导体材料，适用于微电子和光电等多个领域，成功地引领了一场新的技术革命.本文基于密度泛函理论，使用B3LYP/6-311++g (d,p)方法研究了在0-0.03 a.u.的电场强度作用下，吡咯分子的物理特性变化规律.发现随着电场的增大，分子逐渐沿x轴方向被压缩，分子的偶极矩在减小，总能量在减小.分子的最高占据分子轨道能量基本保持不变，最低未占据分子轨道能量在不断地下降，致使分子的能带隙不断减小，无法保证能带隙的稳定性，从而降低了半导体材料的使用寿命.通过含时密度泛函计算可以发现:在不同的电场下，吡咯分子均出现两个紫外吸收峰，其中两个C=C双键的π-π^*跃迁占主要贡献.但随着电场强度的增大，其在跃迁中的占比越来越小.考察在0.02 a.u.的电场下，紫外吸收峰主要由第6、11、13、15等激发态决定.这为更好地研究和设计半导体材料提供了良好的理论依据.     

共轭涡旋光干涉精密位移测量方法与系统

为实现高精度大量程精密位移测量，提出了一种基于涡旋光共轭干涉的精密位移测量方法。通过建立位移过程中涡旋光共轭干涉图样的旋转角弧度与位移之间的数学关系，实现了对旋转角弧度的精确提取，得到了高精度的精密位移测量结果。基于该原理对测量方案进行了光学系统设计与仿真，研制了实验系统并进行了实验测试。当标准位移为20 nm时，实验测量结果的误差为25 pm，相对误差为0.13%，证明了所提亚纳米级精密位移测量方案的有效性。所提系统还可通过计量干涉图样旋转圈数进行大测量范围的精密位移测量。实验结果表明，所提方案可在30μm范围内实现精密位移测量。