首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   27篇
  免费   40篇
  国内免费   17篇
化学   24篇
晶体学   2篇
力学   2篇
综合类   1篇
数学   6篇
物理学   49篇
  2024年   1篇
  2023年   2篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2020年   3篇
  2019年   3篇
  2018年   1篇
  2017年   3篇
  2016年   3篇
  2014年   4篇
  2013年   1篇
  2012年   10篇
  2011年   9篇
  2010年   4篇
  2009年   3篇
  2008年   8篇
  2007年   5篇
  2006年   3篇
  2005年   8篇
  2004年   2篇
  2003年   3篇
  2002年   2篇
  2001年   3篇
  1991年   1篇
排序方式: 共有84条查询结果,搜索用时 156 毫秒
51.
N/P沟道MOSFET1/f噪声的统一模型   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的1/f噪声特性进行了实验和理论研究.实验结 果表明,虽然nMOSFET的1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级,但是其噪声幅值均表现出和 有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律.基于该实验结果 ,认为MOSFET的1/f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷 阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致 沟道载流子迁移率的涨落.在这两种涨落机理的基础上,引入了氧化层陷阱的分布特征及其 与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式,建立了MOSFET l/f噪声的统一模型.实验结果 和本文模型符合良好. 关键词: 1/f噪声 MOSFET 氧化层陷阱 涨落  相似文献   
52.
杜磊  史娟 《数学通讯》2003,(1):21-21
1问题的提出 某保密工作室,安装了电子门锁,这个电子门锁有n个密码特征数,不妨用0,1,2,…,n-1来表示;每个密码钥匙卡上都记着若干个密码特征数.当且仅当插入的k(k∈N^ ,k≤n~1)个密码钥匙卡能使n个数同时出现时,门锁才能被打开,此时,这个电子门锁的保密级数为k.  相似文献   
53.
发光二极管可靠性的噪声表征   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
胡瑾  杜磊  庄奕琪  包军林  周江 《物理学报》2006,55(3):1384-1389
通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率 是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声 中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1 /f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上,建立了发光二极管的电性能模型及1/ f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声,实验结果与理论模型符 合良好.通过对其测量结果分析,深入研究了噪声和发光二极管性能与可靠性的关系,证明 了噪声幅值越大,电流指数越接近于2,器件可靠性越差,失效率则显著增大. 关键词: 1/f噪声 发光二极管 陷阱 光功率  相似文献   
54.
唐冬和  杜磊  王婷岚  陈华  贾晓菲 《物理学报》2011,60(9):97202-097202
传统散射理论在研究器件噪声特性时,并没有考虑非相干输运和库仑作用对散粒噪声的抑制,而在实际纳米器件中这两种效应不可忽略.本文基于散射区等效接触端模型推导了考虑上述两种效应的电流噪声散射理论统一模型,该模型适用于从相干输运到非相干输运的整个输运区,并同时考虑了泡利不相容原理和库仑作用对散粒噪声的抑制.本文也提出了一种基于统一模型的电流噪声数值模拟方法,该方法所得散射区特性与散射区等效接触端模型特性一致. 关键词: 电流噪声 散射理论 统一模型  相似文献   
55.
提出了一种改进的光纤光栅应变传感器结构,用有限元分析软件对其进行建模和静力仿真,得到其应力分布和光栅区域的应变情况.在整体宽度与厚度相等的情况下,此结构的灵敏度约为传统"工"字型结构的600倍.进一步分析了其关键区域的6个结构参量对应变灵敏度及量程的影响.筛选、设计并加工出不同尺寸的两种应变片,分别用UV胶与玻璃焊料对光栅进行封装,得到灵敏度分别为:249 pm/N、330 pm/N和1.1 pm/N.比较分析表明,本文提供的分析方法与数据,可为不同工程应用场合的最优结构设计提供依据.  相似文献   
56.
合成了两种单体双酚A二炔丙基醚与4,4′联苯二苄叠氮,研究了一种新的低温聚合体系———双酚A二炔丙基醚与4,4′联苯二苄叠氮在烘箱中的本体聚合行为.通过红外、核磁共振以及质谱、元素分析等表征了单体的结构.利用傅立叶红外技术(FTIR)跟踪了聚合反应过程中特征基团的变化,采用差示扫描量热技术(DSC)研究了聚合反应工艺及其动力学,热失重分析(TGA)考察了聚合产物的热稳定性能.通过Kissinger法和0zawa法获得了反应的一些动力学参数.结果表明,双酚A二炔丙基醚与4,4′联苯二苄叠氮易发生1,3偶极环加成聚合反应,在聚合物结构中形成三唑五元环,它们的聚合起始温度在70℃左右,聚合反应的主反应是一级反应,表观活化能ΔE=84.6kJmol,指前因子A=4.865×1010min-1.同时发现,聚合物具有较好的热稳定性能.  相似文献   
57.
提出了用Hellmann-Feynman静电力描述分子轨道成键能力的方法, 从能量梯度和静电力两种观点论述了分子轨道对化学键的作用。H-F力的矢量特性从数值和方向两方面反映了分子轨道的成键性质。同一分子轨道对不同化学键可能有不同的作用。用从头算法计算了乙烯和环丙烷的各分子轨道的H-F力, 指出了H-F力与分子轨道不可约表示闻的关系, 提出了用前线轨道的H-F力判断激发态分子构型畸变的方法。  相似文献   
58.
高分子膜燃料电池是一类很有发展前景的可提供可再生能源的装置,这主要得益于它的零排放、无毒性和较低的操作温度。在高分子膜燃料电池的部件中,电催化剂对于提高输出能量密度和/或工作寿命起到至关重要的作用。在过去的几十年中,科学家提出了很多办法和策略以解决电催化剂的活性和稳定性问题。尽管基于聚电解质的层层自组装制备膜电极的方法已经研究多年,但聚电解质在催化剂制备方面的作用仍需更多的关注。最近几年,已有很多人将聚电解质应用于催化剂设计制备,其中聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)的研究较为系统,因此,本文重点关注 PDDA,目的是总结出一些有用的信息,以便为该领域未来的研究发展提供一些参考。
  本文收集了一些聚电解质在电催化剂纳米颗粒和载体材料两方面应用的文献,不仅讨论了聚电解质在催化剂颗粒粒径、形貌和组成方面的影响,还总结了其在修饰载体材料方面的应用。最后,本文还展望了聚电解质在催化剂设计制备领域的发展。通常,聚电解质有三个主要的特征:(1)在水溶液中容易解离为带相反电荷的长链结构和离子;(2)长链结构中带有独特的官能团结构;(3)当溶液浓度变化时其结构会发生转变。因此,聚电解质可以在电催化剂层面作为纳米反应器来控制金属纳米颗粒的生长,可功能化或掺杂纳米颗粒以及载体材料,可以保护纳米颗粒或载体不衰减,同时还可使其他物质带电,利用自组装方法制备有序的催化剂。然而,相关研究大都集中于 PDDA,因此,其他聚电解质还需要进一步的系统研究,以便了解聚电解质特征、制备的催化剂以及催化性能之间的关系。
   PDDA在该领域的研究还需在如下几个方面继续进行。(1)聚电解质通常不是电子的良导体,其在催化剂表面的吸附会造成活性位的损失。尽管已经提出一些相对有效的方法,例如热处理、化学洗涤或光降解等,但仍需继续进行系统的研究和提出有效的方法。(2)先进的研究手段,如原位观测和模拟等还需进一步发展,尤其是研究聚电解质在催化剂形成过程中的功能和影响,这有利于构效关系的研究。(3)目前该领域制备的催化剂大都使用半电池或三电极体系来评价,但与实际的燃料电池装置有本质不同。由于复杂的工作条件,例如水热管理、不同组件的界面耦合等,聚电解质制备催化剂在膜电极中有可能不能表现出优良的性能。因此,上述催化剂的研究还应考虑燃料电池的实际运行情况。  相似文献   
59.
运用围道积分方法将边界元非线性特征值问题转化为规模很小的广义特征值问题,从而构造出一种边界元特征值分析方法。数值算例验证了该方法的求解精度。针对外声场问题,通过对常规、法向导数和Burton‐Miller边界积分方程的虚假特征频率的计算和比较,揭示了Burton‐Miller法规避虚假特征频率的本质,并对其中的叠加常数的最优取值给出了一种新的解释。  相似文献   
60.
刘宇安  杜磊  包军林 《物理学报》2008,57(4):2468-2475
研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sf 关键词: 金属氧化物半导体场效应管 热载流子 fγ噪声')" href="#">1/fγ噪声  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号