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报道了在(311)A腐蚀图形衬底上,用分子束外延(MBE)生长高度规则的三种点状结构的实验研究.样品表面的原子力显微镜和剖面的扫描电子显微镜测试结果表明,在不同尺寸的方形凹面腐蚀图形区域,原凹面之间形成了沿[233]晶向不完全和完全收缩的尖角形点状外延结构;而在方形台面腐蚀图形区域,台顶面之间形成了沿[233]方向收缩的脊形点状结构.分析认为这些均匀有序的三角形点状结构的形成是由非平面(311)A衬底上生长各向异性导致的必然结果,而构成这些点结构的晶面取向与原图形的取向相关.低温阴极荧光谱测试结果清晰地表
关键词: 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs graded index sparate confinement beterostruc-ture single quantum well(GRIN-SCH SQW)激光器的深中心.结果表明,在激光器的n-ALGaAs层里除众所周知的DX中心外,还存在着较大浓度和俘获截面的深(电子或空穴) 陷阱,它们直接影响着激光器的性能.其中MBE生长的激光器里的深空穴陷阱H1可能分布在x_(A1)=0.22→0.43和x (A1)=0.43的n-AlGaAs层里x_(A1)值不连续的界面附近,而深电子陷阱E3则可能分布在x_(A1)=0.43的n-AlGaAs层里x_(A1)值不连续的界面附近.MOCVD生长的激光器量子阱的AlGaAs层存在着DX中心和深电子陷阱.其中深电子陷阱E3可能分布在x_(A1)=0.22→0.30和x_(A1)=0.30的n-AlGaAs层里,而DX中心则分布在x_(A1)(x_(A1)=0.22→0.30和x_(A1)=0.30)值不连续的n-AlGaAs层界面附近. 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。 相似文献
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Coherent tunnelling is studied in the framework of the effective mass approximation for an asymmetric coupled quantum well. The Hartree potential due to the electron-electron interaction is considered in our calculation. The effects of the longitudinal and transverse magnetic field on coherent tunnelling characteristics are discussed. It has been found that the external field plays an important role in modulating the electron states. 相似文献
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双随机相位加密系统的选择明文攻击 总被引:3,自引:0,他引:3
在光学信息安全领域,双随机相位加密方法最引人注目并得到广泛研究,但由于双随机相位加密系统是基于傅里叶变换的系统,其本质上是一种线性变换系统,明文、密文之间的函数依赖关系比较简单,这就为其安全性留下了很大的隐患。双随机相位加密方法可以用光学和数字的方式实现,提出了一种选择明文攻击的方法,利用多个冲击函数作为选择的明文,成功破解了基于数字方法实现的双随机相位加密系统,并给出了恢复密钥的解析式,此方法最大的优点在于解密图像的无损性,并从理论上加以证明,给出了实验结果。 相似文献
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