排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响，利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟，近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势：β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)²+3,其中h为纳米导线的高度，ρ为纳米导线的半径，W是以R为自变量的函数，R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小，而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素：当R<R₀时，场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小；当R>R₀时，场发射增强因子基本不变，其中R₀为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势，但是随着阵列数目的增加，R₀会有一定程度的减小，场发射增强因子也会降低. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目     

相干梯度敏感干涉测量技术及在静态断裂力学实验中的应用

介绍了相干梯度敏感(CGS)干涉测量技术的基本原理及其在静态Ⅰ型断裂实验中的应用,验证了该方法对裂纹尖端局部变形场和断裂特性进行定量研究的可行性。给出了代表静态Ⅰ型裂纹尖端奇异场光力学信息的CGS控制方程,模拟并分析了Ⅰ型裂纹尖端的CGS条纹模式,对静态Ⅰ型裂纹尖端变形场和断裂特性进行了三点弯曲的CGS试验,并提取了应力强度因子KⅠ。结果表明,试验结果与理论分析结果相吻合。     

信息技术和物理学科整合以实现教学优化

随着信息技术的快速发展，网络魅力的无限度增强，信息技术和各学科的整合已成为教育现代化的一个亮点，信息技术和物理学科的整合也给物理教学带来了新的生命和契机，使物理教学的优化效果日趋明显．     

部分相干光束通过硬边光阑的推广光束传输M2因子

给出部分相干光通过硬边光阑后的强度二阶矩的计算公式，由此可得到部分相干光通过硬边光阑后的推广光束传输M^2因子。以部分相干高斯－谢尔模型光束为例，推导出相应的M^2因子，并作了数值计算和分析讨论。     

~（23）Na~（39）K分子D~1∏→X~1∑~＋激光感生荧光光谱及强度研究

实验获得了Ａｒ＋激光５１４．５ｎｍ线诱导２３Ｎａ３９Ｋ分子产生的Ｄ１∏→Ｘ１∑＋跃迁荧光谱．通过测量激光感生荧光光谱强度随泵浦功率、热管炉温度及缓冲气压变化规律，详细研究了其跃迁机制．用最小二乘法拟合获得２３Ｎａ３９Ｋ分于Ｘ１∑＋态振动常数．理论计算了各跃迁谱支波长值及Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ因子和光谱强度值，与实验观测值符合得相当好，充分表明本文对激光感生荧光光谱的归属以及对各支谱线振、转量子数的赋值是合理的．     

对科学读写能力教育课程的一点看法

据介绍在日本，各个学科领域的教育工作对高中学生是否进行科学读写能力教育这个问题一直存在着争论。例如：在一九九四年，日本物理学会，日本应用物理学会和日本物理教育学会的主席发表了一个联台声明，该声明极力主张培养所有作为普遍公民的高中学     

厄米-双曲余弦-高斯光束的瞄准稳定性

用失调叠加积分的方法 ,对厄米双曲余弦高斯光束的瞄准稳定性作了研究 ,得到了厄米双曲余弦高斯光束失调因子 ηm2 的精确解析公式和近似解析公式 ,并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子ηm2 的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。     

环上矩阵的分解

将复数域及四元数体上矩阵的积因子分解推广到上矩阵，并指出[1]中的定理2的证明是错误的，由此可知[1]中定理2的结论不成立。     

关于有限Abel群直接因子的平均数

对于有限Ａｂｅｌ群Ｇ，ｔ（Ｇ）定义为其直接因子的个数，在［５］中，Ｅ．Ｋｒａｔｚｅｌ对于和式得到一渐近公式，对应余项为△＿１（ｘ）．本文利用Ｅ．Ｆｏｕｖｒｙ和Ｈ　．Ｉｗａｎｉｅｃ的方法，得到了关于△＿１（ｘ）的一个新的估计，改进了Ｈ．Ｍｅｎｚｅｒ等人的结果．