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491.
极紫外光刻曝光光学系统是极紫外光刻机的核心部件,其设计直接影响极紫外光刻机的性能。极紫外光刻机曝光系统的设计难度大、研究周期长,国外极紫外光刻机产品已经用于高端芯片的制造,但国外对中国禁运相关产品。国内极紫外光刻机曝光系统的设计和研发始于2002年。国内相关领域的研究主要聚焦在极紫外光刻机曝光光学系统的光学设计、像差检测、公差分析、热变形分析等。结合国内外极紫外光刻机曝光光学系统设计研究的历史和现状,较为系统地综述了极紫外光刻投影物镜和照明系统的设计研究与进展,包括:极紫外光刻机投影物镜系统及其设计方法、极紫外光刻照明系统及其设计方法、极紫外光刻曝光光学系统的公差分析、热变形及其对成像性能的影响研究,这为我国从事极紫外光刻机研制、曝光系统光学设计与加工的学者、工程师等提供了极紫外光刻机曝光系统设计研究的历史、现状和未来趋势的相关信息,助力我国极紫外光刻机的设计和研制。  相似文献   
492.
对多种不同型号的安全绳、缓冲包及假人系统开展实验室坠落试验分析.研究发现,相邻二次冲击的冲量之比,及相邻二次冲击的自由抛体运动持续时间之比都近似为一个定值,利用该统计规律导出估算阻尼系数的近似方法,并利用首次冲击波形的试验结果得到了三次幂非线性刚度系数,相关结果可作为安全绳性能评估的重要依据.  相似文献   
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