钬镱掺杂波导适用型锗酸盐玻璃上转换荧光光子定量

制备了适用于钾钠离子交换波导的钬镱离子掺杂锗酸盐玻璃,采用荧光光谱绝对测试系统在975nm激光泵浦下对玻璃的上转换发光性能进行表征,解析出样品的绝对光谱功率分布,并计算了光量子数分布和荧光量子产率等绝对荧光参量.测试与计算结果表明,当Ho3+/Yb3+掺杂的锗酸盐玻璃在370℃的KNO3熔盐中热离子交换4h时,K+-Na+离子交换有效扩散系数为0.068μm2/min.锗酸盐玻璃样品中,Ho3+主要发出548nm绿光和660nm红光,其中红色上转换荧光为支配性发射.当激光激发功率密度为1 227 W/cm2时,660nm红光绝对光谱功率和净发射光量子数分别为28.03μW和9.26×1013 cps.此时,548nm绿光和660nm红光发射的荧光量子产率分别为0.17×10-5和2.41×10-5,可见区总荧光量子产率达2.61×10-5.净发射光子数与激发功率密度的双对数曲线斜率表明Ho3+/Yb3+掺杂锗酸盐玻璃的红色和绿色上转换发射均属双光子激发过程.基于波导适用型锗酸盐玻璃实施的钬离子上转换荧光发射的绝对化表征,为稀土光电功能材料的进一步研发提供了可依赖的数据参考.     

例谈函数定义域对研究函数性质的影响

函数是高中阶段的重点内容．函数的定义域、解析式和值域统称为函数的三要素,其中定义域和解析式决定了函数的值域．许多同学在学习函数时总是比较重视函数的解析式,忽略函数的定义域,从而造成很多错解．实际上,函数的定义域改变了,函数也就改变了,它是函数不可忽视的重要组成部分,下面举例说明．     

不可压缩流问题低次元稳定有限体积数值方法研究

分析了R^d,d=2,3维不可压缩流Stokes问题低次元稳定有限体积方法,它主要利用局部压力投影方法对两种流行但不满足inf-sup条件的有限元配对(P_1-P_0和P_1-P_1)在有限体积方法的框架下进行稳定;利用有限元与有限体积方法的等价性进行有限体积方法理论分析.结果表明不可压缩流Stokes问题在f∈Hd,d=2,3维不可压缩流Stokes问题低次元稳定有限体积方法,它主要利用局部压力投影方法对两种流行但不满足inf-sup条件的有限元配对(P_1-P_0和P_1-P_1)在有限体积方法的框架下进行稳定;利用有限元与有限体积方法的等价性进行有限体积方法理论分析.结果表明不可压缩流Stokes问题在f∈H¹情况下,本文方法得到的解与稳定有限元方法解之间具有O(h1情况下,本文方法得到的解与稳定有限元方法解之间具有O(h²)阶超收敛阶结果,且稳定有限体积方法取得了与稳定有限元方法相同的收敛速度,与稳定有限元方法比较,稳定有限体积方法计算简单高效,同时保持物理守恒,因此在实际应用中具有很好的潜力。     

制备条件对MXene形貌、 结构与电化学性能的影响

以Ti₃AlC₂为原料, 采用LiF+HCl一步刻蚀-插层制备Ti₃C₂T_x, 进一步通过超声处理得到单层或少层的MXene. 利用X射线衍射(XRD)、 X射线光电子能谱(XPS)、 扫描电子显微镜(SEM)、 透射电子显微镜(TEM)和电化学测试对样品的结构、 形貌和电化学性能进行了研究. 通过改变刻蚀剂的比例及超声剥离时间, 研究了不同刻蚀条件和剥离条件对二维晶体Ti₃C₂T_x的形貌、 结构和电化学性能的影响. 结果表明, 制备条件对MXene的片层结构和性能具有较大的影响. 当HCl浓度为6 mol/L, LiF与Ti₃AlC₂的摩尔比为7.5, 超声时间为1 h时, 所得MXene具有较小的晶格常数和较大的片层尺寸, 片层尺寸可达1 μm, 具有较多的表面含氧官能团, 电化学性能最佳, 在0.5 A/g的电流密度下, 质量比容量达到342 F/g, 当电流密度提高至20 A/g时, 质量比容量仍可保持244 F/g, 在1 A/g电流密度下循环10000周后, 容量仍能保留87%左右, 表现出较好的倍率性能与循环稳定性.     

(1+1)维强非局域非线性介质中的高阶模呼吸子

基于强非局域非线性介质中的Snyder-Mitchell模型,利用分离变量法得到了(1 1)维光束传输的厄米-高斯型解析解.比较厄米-高斯型解析解与非局域非线性薛定谔方程的数值解,证实了,在强非局域条件下,该厄米-高斯型解与数值解完全吻合.对厄米-高斯光束的传输特性进行研究,结果表明,光束束宽会出现周期性的压缩或者展宽现象.并且得到了实现厄米-高斯光束稳定传输的临界功率、厄米-高斯孤子解及传输常量,临界功率与厄米-高斯光束的阶数无关,但传输常量随阶数的增加而增加.高斯呼吸子和高斯孤子就是基模厄米-高斯呼吸子和基模厄米-高斯孤子.     

考前叮咛

高考复习一般分为三个阶段: 一知识复习这一阶段的复习主要是将高中阶段所学数学知识分章节按照各知识点进行复习,是对各个概念、定理、公式的一次全面、系统地重温。与初中数学相比,高中阶段数学知识内容     

固体氧化物燃料电池的工艺探索及相关的性能研究

对固体氧化物燃料电池(SOFC)的制备工艺进行了研究.摸索出一套研制SOFC的快速方便方法及制备工艺.对制得的单电池及其串联电池组的性能进行了测试和讨论.制得的单电池的最大开路电压达1.18V,短路电流密度达360 mA/cm²,7节电池串联的电池组,最大开路电压达7.30V、短路电流密度达400 mA/cm²,输出功率约2W.对制得的电池作了简单的应用.     

铈铕掺杂氯硅酸镁钙体系的相对光谱功率分布与色坐标定位

采用高温固相反应法合成铈铕掺杂氯硅酸镁钙系列粉体,利用X射线衍射(XRD)对晶体结构加以鉴定,并对其荧光光谱进行了测试和分析.通过光谱功率校准曲线,推演出样品的相对光谱功率分布,进而对粉体发光色坐标进行计算和表征.实验结果表明,合成粉体为面心立方晶体Ca8Mg(SiO4)4Cl2,铈铕单掺氯硅酸镁钙样品在紫外光激发下分...     

Electron delocalization enhances the thermoelectric performance of misfit layer compound (Sn1-xBixS)1.2(TiS2)2

The misfit layer compound (SnS)_1.2(TiS₂)₂ is a promising low-cost thermoelectric material because of its low thermal conductivity derived from the superlattice-like structure. However, the strong covalent bonds within each constituent layer highly localize the electrons thereby it is highly challenging to optimize the power factor by doping or alloying. Here, we show that Bi doping at the Sn site markedly breaks the covalent bonds networks and highly delocalizes the electrons. This results in a high charge carrier concentration and enhanced power factor throughout the whole temperature range. It is highly remarkable that Bi doping also significantly reduces the thermal conductivity by suppressing the heat conduction carried by phonons, indicating that it independently modulates phonon and charge transport properties. These effects collectively give rise to a maximum ZT of 0.3 at 720 K. In addition, we apply the single Kane band model and the Debye-Callaway model to clarify the electron and phonon transport mechanisms in the misfit layer compound (SnS)_1.2(TiS₂)₂.     

Designing power heterojunction bipolar transistors with non-uniform emitter finger lengths to achieve high thermal stability

With the aid of a thermal-electrical model,a practical method for designing multi-finger power heterojunction bipolar transistors with finger lengths divided in groups is proposed.The method can effectively enhance the thermal stability of the devices without sacrificing the design time.Taking a 40-finger heterojunction bipolar transistor for example,the device with non-uniform emitter finger lengths is optimized and fabricated.Both the theoretical and the experimental results show that,for the optimum device,the peak temperature is lowered by 26.19 K and the maximum temperature difference is reduced by 56.67% when compared with the conventional heterojunction bipolar transistor with uniform emitter finger length.Furthermore,the ability to improve the uniformity of the temperature profile and to expand the thermal stable operation range is strengthened as the power level increases,which is ascribed to the improvement of the thermal resistance in the optimum device.A detailed design procedure is also summarized to provide a general guide for designing power heterojunction bipolar transistors with non-uniform finger lengths.