全文获取类型
收费全文 | 221篇 |
免费 | 99篇 |
国内免费 | 55篇 |
专业分类
化学 | 111篇 |
晶体学 | 3篇 |
力学 | 21篇 |
综合类 | 4篇 |
数学 | 24篇 |
物理学 | 212篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 11篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 7篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 19篇 |
2017年 | 15篇 |
2016年 | 16篇 |
2015年 | 19篇 |
2014年 | 36篇 |
2013年 | 29篇 |
2012年 | 28篇 |
2011年 | 25篇 |
2010年 | 25篇 |
2009年 | 19篇 |
2008年 | 17篇 |
2007年 | 14篇 |
2006年 | 7篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 13篇 |
2003年 | 11篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 11篇 |
2000年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
排序方式: 共有375条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
无论是在微机电系统(MEMS)还是集成电路(IC)领域,SU-8厚胶光刻已经成为制造高深宽比结构的主流工艺。为了取代昂贵而耗时的光刻实验,一套能够良好预测显影形貌,从而为优化光刻制造提供有效帮助的光刻仿真软件就成为必要而有价值的工具。基于严格电磁场波导法的理论,给出一种针对SU-8光刻胶在紫外光下的三维光刻仿真模型。利用该模型,能很好地预测显影后的光刻胶内光强分布和立体形貌。并完成了一系列仿真和实验结果来验证模型的有效性。仿真结果给出横截面光强分布图和显影立体形貌模拟图形,并与相应的实验结果进行对照。结果验证了本文提出的仿真模型的正确性,并且表明三维混合模型在保证精确性的前提下,较之其他仿真算法运算速度更快。 相似文献
42.
43.
珠算技术在我国有着悠久的历史,早在唐朝我国劳动人民就开始借助算盘进行运算,到17世纪中叶出现计算尺和机械计算器,19世纪末、本世纪初发明手摇计算机、电动计算器和卡片计算器等,20世纪中叶,随着现代科学技术发展出现了电子计算机。尽管计算工具发生巨大变革,但是珠算以其独具的魅力和在广大群众中的深厚基础以及其计算准确、迅速、简便易懂、携带方便和启发智力等因素,使得在当今电子计算机时代,珠算仍具有旺盛的生命力,对于人脑智能开发,珠算有着电子计算机无法替代的作用。不仅 相似文献
44.
45.
46.
根据高性能计算机全天候温控的需要,提出了综合应用蒸气压缩和动力型分离式热管制冷技术的复合冷源方案。在冬季及春、秋过渡的低温季节,运行热管循环不仅大幅降低环控装置的能耗,而且可以避免在低温环境运行压缩式制冷易发生的冷启动、回油润滑等问题。提出了蒸气压缩制冷、蒸气压缩/热管复合制冷和热管制冷的分区工作模式,引入复合制冷模式有效拓宽了热管运行温区,大幅提高了制冷系统的综合COP。模拟分析了在北京地区应用热管复合制冷技术的节能性能,相比常规的压缩制冷节能率高达40%。研究表明:热管复合制冷系统具有显著的节能减排优势,特别适用于全天候工作的机房、基站等高热密度电子集成系统的温控。 相似文献
47.
The properties of six kinds of intrinsic point defects in monolayer GeS are systematically investigated using the“transfer to real state”model,based on density functional theory.We find that Ge vacancy is the dominant intrinsic acceptor defect,due to its shallow acceptor transition energy level and lowest formation energy,which is primarily responsible for the intrinsic p-type conductivity of monolayer GeS,and effectively explains the native p-type conductivity of GeS observed in experiment.The shallow acceptor transition level derives from the local structural distortion induced by Coulomb repulsion between the charged vacancy center and its surrounding anions.Furthermore,with respect to growth conditions,Ge vacancies will be compensated by fewer n-type intrinsic defects under Ge-poor growth conditions.Our results have established the physical origin of the intrinsic p-type conductivity in monolayer GeS,as well as expanding the understanding of defect properties in lowdimensional semiconductor materials. 相似文献
48.
为了研究强脉冲激光在镁合金中诱导冲击波的衰减,采用Nd:Glass脉冲激光(1054 nm,23 ns)对AZ31B变形镁合金试样表面进行冲击,并利用响应快、测量范围大的PVDF压电膜传感器以及示波器实时测量了强脉冲激光在镁合金靶中诱导激光冲击波的相对压力.根据冲击波每次在靶材背面反射时,所经过距离的不同得到激光冲击波在镁合金中的衰减规律.结果表明,在激光能量为5J的强脉冲激光作用下,镁合金中冲击波衰减的平均速度为5.83×103 m/s,与镁合金中应力波纵波的传播速度相符;强脉冲激光诱导冲击波在镁合金中是以指数规律衰减的.试验所得分析结果对激光冲击强化镁合金的应用具有重要意义.
关键词:
激光
镁合金
压电膜传感器
衰减规律 相似文献
49.
采用移位算子方法把时域有限差分法推广应用于二维磁各向异性色散介质—磁化铁氧体中.证明了电磁波横向入射二维轴向磁化铁氧体目标情形下,电磁波可按目标的轴向分解为横电波(TE波)和横磁波(TM波),且TE波的散射特性与铁氧体介质无关,而TM波的散射特性与介质电磁参量密切相关,同时对其物理原因进行了分析.通过采用移位算子方法处理磁化铁氧体频域本构关系,得到该情形下目标电磁散射的移位算子时域有限差的迭代计算公式,同时解决了电磁波在各向异性和频率色散介质中传播的问题.计算了轴向磁化铁氧体涂敷VonKarman型导体柱的TM波双站雷达散射截面,分析了铁氧体参量对目标双站雷达散射截面的影响.结果表明:恰当地选择铁氧体参量能有效地减少目标的雷达散射截面,本文时谐因子取exp〔jωt〕. 相似文献
50.