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41.
第十八次全国电化学大会组委会 《电化学》2015,21(5):498
由中国化学会电化学委员会主办、哈尔滨工业大学承办、黑龙江大学协办的第十八次全国电化学大会于2015年8月7日-10日在哈尔滨工业大学隆重召开. 厦门大学田昭武院士、解放军防化研究院杨裕生院士、中国科学院长春应用化学研究所汪尔康院士、中国科学院长春应用化学研究所董绍俊研究员(第三世界科学院院士)、南京大学陈洪渊院士、中国科学院长春应用化学研究所杨秀荣院士、中国科学院化学研究所李永舫院士、厦门大学田中群院士、北京大学刘忠范院士、国家自然科学基金委化学部常务副主任梁文平研究员、中国电化学委员会主任万立骏院士、电化学委员会主任孙世刚教授、电化学委员会副主任陈军教授、电化学委员会副主任夏永姚教授、哈尔滨工业大学副校长韩杰才教授、黑龙江大学副校长付宏刚教授和来自全国高等院校、科研院所、企事业单位共计240余家机构的近2000名代表参加了此次盛会. 此外,会议还邀请了日本山梨大学Masahiro Watanabe教授、法国国家科学研究院Jean-Marie Tarascon教授等来自于日本、法国、美国、英国、加拿大、新加坡和香港等7个国家和地区的大学及研究机构的专家参会. 相似文献
42.
次烟煤与木质素共热溶物的液化及其Ni-Mo-S/AlO催化剂循环利用性能 《燃料化学学报》2019,47(1):23-30
对神府次烟煤与木质素共热溶得到的四种具有不同热溶产率的热溶物进行元素分析、红外光谱、同步荧光光谱等表征,对四种热溶物和神府原煤的加氢液化性能进行比较,并进行了催化剂在热溶物液化过程的循环利用性能研究。结果表明,神府煤热溶物较同一温度得到的神府煤与木质素共热溶物具有更多的芳香组分和四环及其以上的多环芳烃。热溶物较神府原煤在液化时具有更高的转化率和油收率。在催化剂Ni-Mo-S/Al2O3作用下,热溶物在液化过程中几乎全部转化,并具有很高的油收率,且神府煤与木质素共热溶物较神府煤热溶物具有更高的油收率。在神府煤与木质素共热溶物的液化过程中,催化剂Ni-Mo-S/Al2O3表现出优异的可循环利用性能,经过四次循环利用后没有观察到催化剂表面的炭沉积现象。 相似文献
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探索和开发廉价替代铂对电极催化材料已经成为染料敏化太阳能电池(DSCs)研究的热点.人们已经证明过渡金属硒化物(TMSes)是一种很有发展潜力的非铂对电极催化材料而在DSCs体系中得以应用.然而目前对过渡金属硒化物作为对电极催化材料在DSCs中的研究尚不够深入,同时对硒化物材料还缺乏系统的研究.利用热溶剂法合成了两种过渡金属硒化物Cr5.6Se8和HfSe3并用作高效DSCs对电极催化材料.电化学测试结果表明这两种硒化物对I-3/I-电对的还原反应具有良好的催化活性,组装的器件能量转换效率分别为7.27;和7.52;,与Pt相应器件的性能相当.这一结果进一步证实了硒化物作为对电极材料的可行性,为新型硒化物对电极的研究提供基础. 相似文献
44.
BiVO4/SiO2复合材料的制备及光学性能 总被引:4,自引:3,他引:1
以Bi(NO3)3 、NH4VO3 和Na2SiO3为原料,采用沉淀法制备了BiVO4/SiO2复合材料.利用扫描电镜(SEM)、X 射线衍射(XRD)及紫外-可见光吸收测试(UV-vis)对样品的晶相组成、微观结构和紫外-可见光吸收特性进行了表征.紫外-可见光吸收光谱分析表明:BiVO4/SiO2复合材料具有较宽的紫外-可见光吸收范围,计算其光学带隙为2.39 eV.光催化降价亚甲基蓝性能测试表明:BiVO4包覆SiO2能有效提高其催化性能. 相似文献
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2000年6月,北京大学出版社出版了《中文核心期刊要目总览》2000年版(即第三版),该书确定了30种中文物理学类核心期刊,《物理》名列其中. 此次中文核心期刊的重新研制筛选,被列为“国家教委人文科学研究‘九五’规划项目”.研制者认真总结前两次研制工作的经验,依据文献计量学的原理和方法,检索、计算和分析了大量国内外相关文献,对核心期刊的理论和方法进行了深入地研究和探讨,力求使研制方法更加科学合理.并采用了中国科学院文献情报中心、中国社会科学院文献信息中心、上海图书馆、中国人民大学书报资料中心及西南信息中心等单位编制的文献数据库作为统计工具,经过严格的筛选,并请学科专家鉴定,从我国正在出版的近万种中文期刊中确定了1568种期刊为核心期刊,《物理》被列为物理类核心期刊. 近年来《物理》的出版质量及内容质量都有稳步的提高,这次被列入中文物理类核心期刊更充分说明了《物理》的进步.在此,我们衷心感谢广大读者和作者长期以来对《物理》的关心和支持!欢迎大家继续踊跃投稿并订阅《物理》! 《物理》编辑部 2000年10月 相似文献
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较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMGGa(CH3)3,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。
关键词: 相似文献
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