直流叠加脉冲电压下FLTD气体开关击穿特性

分析了直流叠加脉冲电压(定义为复合电压)下次级感应电压触发快脉冲直线变压器驱动源(FLTD)中气体开关击穿延时过程,给出了击穿延时的估算公式。初步实验研究了FLTD用三电极气体开关在复合电压作用下的击穿特性,结果表明:在±70kV直流充电电压叠加300kV/30ns快脉冲电压的复合电压作用下,气体开关的击穿延时小于相同工作系数下常规触发方式的击穿延时,采用SF6气体绝缘时,击穿延时较常规触发方式减小了17%~30%;采用N2绝缘时,减小了约50%,开关工作系数为55%时,击穿延时抖动小于5ns;理论估算的复合电压下击穿延时与实测结果基本吻合。     

取代基对2-脲基-4(1H)-嘧啶酮衍生物聚集行为的影响

UPy结构上的6位取代基会影响UPy结构上的离域π电子云的密度,6位取代基的给电子诱导效应越强,π电子云的密度越大,四重氢键的作用越强。脲基嘧啶酮结构即UPy结构的二聚体存在着最低的势能,表明该结构在体系内最为稳定。随着嘧啶环上的电子云密度增加,离域π键间的电子斥力增强,(001)晶面间距d逐渐增大。异氰酸酯结构的空间位阻的增大会阻碍UPy中的氢原子与相邻的嘧啶酮之间的接触,使得氢键作用强度减弱,同时较大的空间位阻会阻碍嘧啶环间的π–π相互作用,使得(001)晶面间距增大。     

15 MA Z箍缩装置真空磁绝缘传输线鞘层电子流分析

基于建立的15 MA Z箍缩装置等效电路模型,获得了外层磁绝缘传输线(magnetically-insulated transmission line,MITL)鞘层电子流分布规律:从时间上看,鞘层电子流幅值先减小、后增大,波形呈“马鞍”型;从空间上看,鞘层电子流沿着功率流方向逐渐减小.分析了MITL参数,包括恒阻抗段真空阻抗、恒间隙段间距,以及柱孔盘旋面位置半径对MITL末端鞘层电子流的影响.计算结果显示:MITL末端鞘层电子流受MITL末端阻抗和柱孔盘旋面位置半径的影响较大.当15 MA装置四层MITL并联真空阻抗从0.42Ω增大到0.84Ω时,在负载聚爆前5 ns时刻,MITL末端鞘层电子流从184.7 kA降低至106.9 kA,负载峰值电流减小约0.5 MA.