排序方式: 共有34条查询结果,搜索用时 13 毫秒
31.
分别使用2维和3维分形方法对单点金刚石车削加工的KDP晶体表面形貌进行了分析,并对表面的3维分形维数和3维粗糙度表征参数进行了比较,分析了二者对表面形貌表征的差异。使用2维轮廓分形方法计算了KDP晶体表面圆周各方向上的分形维数。通过分析得出:3维分形维数与表面粗糙度值成反比关系;使用单点金刚石车削方法加工KDP晶体会形成各向异性特征明显的已加工表面,在一定程度上容易形成小尺度波纹;已加工表面是否具有明显的小尺度波纹特征与表面粗糙度值并无直接关系,但与其表面轮廓分形状态分布密切相关;KDP晶体表面2维功率谱密度与其分形状态具有相近的方向性特征。 相似文献
32.
光学非球曲面器件的超精密磨削加工技术研究 总被引:8,自引:1,他引:7
为磨削加工出高精度、高质量的光学非球曲面器件。详尽分析了砂轮的安装及半径等误差对零件加工精度的影响。设计研制出了一套非球曲面磨削系统 ,并用它进行了实验研究。实验结果表明 :要获得高精度的非球曲面器件 ,只有当金刚石砂轮的平均磨粒尺寸低于 10 μm ,并在采用较高的砂轮线速度和较小的进给量的情况下 ,才能实现光学非球曲面的超精密磨削加工 ,经过各种磨削参数的优化选择 ,其非球曲面最终的零件轮廓精度为 0 4 μm ,表面粗糙度Ra优于 0 0 1μm。 相似文献
33.
D-A型共轭低聚物的电子性质及D-A比对其影响的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以[1,2,5]噻重氮并[3,4-g]喹喔啉(TQ)为受体、 噻吩(Th)、 噻吩并[3,2-b]噻吩(TTh)和吡咯(Py)为供体, 设计了6类供体-受体(D-A)型共轭低聚物. 采用杂化的密度泛函方法(B3LYP), 研究了此6类低聚物的电子结构和性质. 电子密度拓朴分析和核独立化学位移计算表明, 随着聚合度的增加, 体系共轭程度增强, HOMO-LUMO能级差逐渐减小. 同时, 随着聚合度的增加, 低聚物电离能减小, 电子亲和势增大. 供体-受体摩尔比(D-A比)对低聚物的性质有重要影响, 提高D-A比能有效地增大分子内电荷迁移, 从而使HOMO-LUMO能级差减小. Py不仅是一个强的电子供体, 还是一个潜在的氢键供体. 在含Py结构单元的低聚物中, 由于分子内氢键的存在使其具有较大的分子内电荷迁移值. 所设计的6种基于TQ的四聚体均具有较小的HOMO-LUMO能级差(<1 eV), 使其相应的聚合物的能隙更小, 可作为潜在的性能优良的导电材料. 相似文献
34.