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高能质子照相系统由四极磁透镜和准直器组成,实际透镜的边缘场将影响成像系统的性能.本文将含边缘场的磁场梯度用贝尔函数近似,提出了一种含边缘场的成像系统优化方法.通过Geant 4程序模拟了能量为1.6 GeV的质子成像系统,并通过优化方法给出了考虑边缘场的优化后的系统参数.研究了考虑边缘场时的成像系统参数对准直器孔径的影响.通过对比理想成像系统和优化前后的成像系统在使用准直器时的客体通量分布,研究了边缘场对质子通过客体的通量影响.结果表明,优化后的成像系统可以减小质子通过客体后的通量误差,并且积分差值在10^–2量级时,准直器的孔径参数变化亦在10^–2量级. 相似文献
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Effects of the insulated magnetic field and oblique incidence of electrons on the multipactor in MILO 下载免费PDF全文
The theoretical analysis and actual performance of the single-surface multipactor discharge model in the presence of a magnetic field are conducted through simulations. The effects of the magnitude of the insulated magnetic field and the oblique incidence of electrons on the multipactor are analysed. The results show that the multipactor susceptibility region shrinks gradually as the magnetic field increases when the electron cyclotron frequency is close to the RF frequency of the electric field. As a result, the evolution of the multipactor discharge will reach saturation earlier and become saturated at a higher level than the case when the magnetic field is absent, but the change of evolution and saturation as the insulated magnetic field increases is not obvious. 相似文献
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为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响,建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型,仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响,发现增长栅长、降低鳍宽和增加鳍高有助于抑制短沟道效应;1×1017 cm-3以下的低沟道掺杂浓度对器件特性影响不大,但高掺杂会使器件失效;器件工作温度的升高会导致器件性能的下降;采用高K介质材料作为栅极器件性能优于传统材料SiO2。 相似文献
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导出了磁绝缘传输线振荡器 (MILO)中辐射场的非线性演化方程 ,并讨论了在临界值点附近可能出现非线性不稳定解的条件。结论是 :(1)非线性增长速率与线性增长速率的比值g <1.2 ,且远离 g γ =1(γ为非线性相位增长率与线性相位增长率的比值 )点时 ,出现非稳定解的失谐量临界值很小 ,而线性增长速率临界值临界值很大 ,容易出现非稳定解 ;(2 )当 g≥ 1.2时 ,任意小的失谐量都可以使场出现非稳定解 ;(3)线性增长速率越大 ,越不容易出现非稳定解 相似文献
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通过SRIM程序的快速损伤计算与全级联计算两种常用模式,对单元素靶材料进行粒子辐照模拟计算,分别利用基于损伤能量间接计算移位数的NRT位移模型方法和直接通过输出文件读取的方法获得移位数,并对数据进行相应的处理及分析对比,结果表明:对于单元素靶来说,在SRIM快速损伤和全级联两种计算模式下,利用NRT位移模型数值计算得到的移位数基本一致,都可以用于进一步计算得到可靠的位移损伤剂量(dpa);而通过SRIM两种模式下的输出文件数据直接获得的移位数则有两倍左右的差异,要想得到相对可靠的dpa相关参数,需要根据不同辐照情况选取合适的计算模式。 相似文献
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