排序方式: 共有43条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev 相似文献
33.
34.
利用物理气相沉积方法,在Si衬底上制备了CdTe纳米线和纳米晶.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究表明所得产物为四方结构CdTe.CdTe纳米线的直径约20nm,长度约为几个微米,纳米晶粒径约为100 nm.分析了载流气体流速、温度等因素对过饱和度的影响,进而影响低维纳米材料的形貌结构. 相似文献
35.
分别采用X射线衍射(XRD)、俄歇电子谱(AES)、X射线光电与谱(XPS)研究喷涂烧结CdS(Se)薄膜在有氮气氛下热退火前后结构,并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响,结果表明,表现几个原子层范围内的CdS(Se)膜的非化学计量组成和CdO降低了薄膜的光电性能和寿命。 相似文献
36.
在常规真空镀膜仪中,我们首创了一种利用真空热蒸发原理在催化剂Bi的辅助下制备一维CdS纳米带的方法.X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱(EDX)实验证明所得纳米带为纯的六方纤锌矿型CdS结构.扫描电子显微镜(SEM)观察到CdS纳米带在较大范围内具有非常均匀的带宽.光致发光谱发现CdS纳米带有两个发光带.经分析推测CdS纳米带的生长机理为:生长前期为气-液-固(VLS)机制占主导地位,而气-固(VS)机制在纳米带的形成过程和生长的后期起决定作用. 相似文献
37.
在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2—13.2nm.X射线衍射图谱表明:可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善.由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1.80~1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV. 相似文献
38.
39.
晶种诱导水热合成二硫化钴CoS2粉体及结构精修 总被引:2,自引:0,他引:2
采用水热法,以EDTA作为螯合剂,加入N iSe2作为晶种,在碱性条件下合成CoS2粉体.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对所得产物的晶相组成及形貌进行表征,利用R ietve ld法及M aud程序对样品进行结构精修.R ietve ld精修结果表明,所得样品具有AB2型立方结构,空间群Pa3,晶格常数a=5.5340,并用M aud程序所得精修数据来表征产物晶粒形貌的立体结构. 相似文献
40.
利用X射线衍射(XRD)和喇曼(R am an)光谱对在陶瓷基底上近距离升华(CSS)制备的纯CdT e薄膜以及稀土镝(D y)离子5×1014cm-2高剂量注入的CdT e薄膜进行结构和喇曼特性分析,并讨论了离子注入后的退火效应.研究结果表明,退火处理基本消除了离子注入引起的的损伤,稀土D y离子的掺入改善了CdT e薄膜的结晶性能,增强了CdT e薄膜的喇曼活性.同时喇曼光谱的结果给出了CdT e薄膜中T e沉积物的存在情形. 相似文献