简易相序指示器的安全性与实用性

用白炽灯与电感或电容器组成的简易相序指示器电路,参数之间的关系可以有很多种不同的选择,从安全,实用的角度考虑,本文给出了普通电压计算公式及部分参数关系表。     

[111]晶向银纳米杆结构稳定性的分子动力学研究

采用三维分子动力学模拟方法和Finnis-Sinclair型多体势,以[111]晶向银纳米杆为研究对象,模拟研究不同尺寸纳米杆在不同温度弛豫过程中的动态平衡变化过程,分析研究弛豫后银纳米杆的稳态结构变化、平均势能的变化及其在不同时刻结构的演变过程.结果表明,温度对银纳米杆结构稳定性将产生重大影响,银纳米杆存在一临界失稳温度,当温度小于临界失稳温度时,体系保持完好线状晶态,当温度大于临界失稳温度小于熔点时,体系坍塌熔化后发生重结晶,体系形成由(111)和(100)面围成的多面体;随银纳米杆截面尺寸增大,其临界失稳温度、熔点均增大,当截面尺寸大于2 nm时,临界失稳温度趋近于熔点,失稳现象只在一很窄温度区域内存在.     

入射粒子与靶相互作用中电子能损的高阶修正

研究了在较高能入射离子（He离子、 12_C离子）与靶相互作用中电子能量损失的物理机制, 分别探讨了电子能量损失中的相对论修正、 壳修正、 密度修正以及Barkas效应和Bloch效应等修正的贡献, 发现壳修正、 Barkas效应修正和Bloch效应修正在能量小于100 MeV时是重要的, 而相对论修正和密度修正是在能量大于100 MeV时起作用。 加入各种修正项之后, 电子阻止本领的计算结果和实验值（ICRU49）符合更好。 The mechanisms of electronic energy loss in the process of incident particles interaction with Si and Al₂O₃ at proper energies are investigated. The contribution to the electronic energy loss from high order corrections, such as the relativistic correction, the shell correction, the density correction, the Barkas effect correction and the Bloch effect correction are discussed respectively. It is found that the shell correction, the Barkas effect correction and the Bloch effect correction are important at low energies, the relativistic correction and the density correction are important at high energies. The calculated results with these higher order corrections are in good agreement with the experiment data (ICRU49).     

Aod≠∞，γid≠∞时比例运算电路的分析与计算

分析了两种比例运算电路在开环放大倍数Aod和差模输入电阻γid均为有限值时的闭环特性，导出了Avf,γif和γof的表达式。     

高容量金属镓薄膜和粉体作为锂离子电池负极材料的自修复行为研究

锂离子电池合金类负极材料比如Si, Sn, 因其理论容量远高于目前商业化石墨负极材料受到了广泛的关注. 然而, 受限于这类材料的循环稳定性, 距离其产业化仍然有一定的距离, 主要是由于其在电化学充放电过程中锂离子的嵌入和脱出产生巨大的应力而导致出现的不可修复的裂纹. 利用金属镓低熔点的物理特性, 在其熔点之上研究其脱嵌锂过程中的自修复能力. 对制备出金属镓薄膜电极研究发现, 25次充放电后, 因为固体电解质(SEI)的持续生成, 有效自修复区域降低为34 μm, 自修复区域随着循环次数的增加逐渐降低. 同时通过简单的液相分散方法制备出金属镓粉末电极, 金属镓粉末大小为3.43 μm, 尺寸小于有效自修复区域, 电化学分析显示该金属镓粉末电极前25次循环能够实现高的可逆容量和稳定的循环性能, 25次循环后的金属镓粉末电极的SEM分析显示裂纹平均尺寸大小为1 μm, 说明金属镓在液体电解液体系中的自修复能力有限. 金属镓有望用于非液态电解质体系中的裂纹修复, 比如对全固态电池中金属锂粉化的修复.     

BC501A中子探测器的能量刻度及其在聚乙烯中子学积分实验中的应用

利用标准放射伽玛源（22Na,137Cs）测量了尺寸为Φ5.08 cm×2.54 cm的BC501A中子探测器的脉冲幅度谱,并利用MCNP软件进行了模拟,详细考虑了探测器的几何尺寸、材料、以及能量分辨函数,计算结果很好地再现了实验数据,精确地确定了康普顿边缘的位置,完成了BC501A中子探测器的能量刻度。并采用14.8 MeV的T（d,n）4He中子源对聚乙烯样品开展了中子学积分实验,结果表明,BC501 A中子探测器的能量刻度过程以及聚乙烯中子学积分实验数据的处理过程是完全合理并且可靠的。The pulse-height spectra of the BC501A scintillator (Φ5.08 cm×2.54 cm) were measured using 22Na, 137Cs γ-ray source, in which MCNP simulation was applied. The simulated pulse-height spectra show a good agreement with the measured data considering the geometry, material and energy resolution function of the scintillator. The position of the Compton edge has been precisely determined and an accurate energy calibration of BC501A scintillator was also achieved. An neutronics integral experiment of polythene with 14.8 MeV T(d, n)4He neutron source was carried out. The results indicate that the procedures of the energy calibration experiment of BC501A scintillator and the data analyzing in the polythene integral experiment are reasonable and reliable.     

坩埚预处理技术在氮化铝晶体生长工艺中的应用

在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一.实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层,可以有效地解决高温下钨坩埚体与盖相粘结的问题,大大提高了坩埚的使用寿命.使用经过预处理的钨坩埚,用物理气相法生长出φ0.8mm×1.5mm氮化铝单晶体和φ36mm×5mm氮化铝多晶片.     

卷积积分与三要素法在电路分析中的应用

一阶电路在任意激励下的零状态响应，既可以用卷积积分法，也可以用三要素法进行分析与计算，本文通过对具体电路的计算，以阐明这两种方法的特点。     

侧基横挂偶极单元的液晶聚苯撑乙炔的合成与表征

为了制备电致偏振光发光材料, 以对苯二乙炔和2,5-二溴苯衍生物为单体,通过Sonogashira偶联反应, 采用不同Pd催化剂, 合成了一种侧基横挂偶极基团的液晶聚苯撑乙炔. 单体的化学结构通过IR, NMR和元素分析等方法得到确证. 聚合物外观为黄色粉状固体, 室温下溶于CHCl3和THF等有机溶剂. 将聚合物加热到各自的玻璃化转变温度以上都能形成液晶态并显示双向液晶性. 考察了不同催化剂对合成的聚合物的分子量、聚合物链中单体单元的结构排列以及液晶性质的影响. 结果表明, 两种不同的Pd催化剂对合成的聚合物的分子量以及液晶态温度范围影响不大, 但对聚合物的立构规整性以及聚合物的液晶态织构有较大的影响. Pd(PPh3)4作催化剂合成的聚合物中单体单元的结构排列较单一, 可以观察到清晰的液晶态织构. 以PdCl2(PPh3)2为催化剂合成的聚合物链中单体单元的结构排列相对复杂, 液晶态织构不明显. 变温X 射线衍射研究证实聚合物均为向列相液晶.