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31.
宁成 李正宏 华欣生 徐荣昆 彭先觉 许泽平 杨建伦 郭存 蒋世伦 丰树平 杨礼兵 晏成立 宋凤军 V.P.Smirnov Yu.G.Kalinin A.S.Kingsep A.S.Chernenko E.V.Grabovsky 《物理学报》2004,53(7):2244-2249
利用铝丝和钨丝混合编制的丝阵作为Z箍缩的负载,在俄罗斯Kurchatov研究所的S300强流装置上对其Z箍缩过程进行了实验研究,并与纯铝丝阵和纯钨丝阵的实验结果进行了比较.不同材料组成的丝阵的Z箍缩x射线能谱之间有明显差异,混编丝阵的铝K壳层的x射线辐射强度比纯铝丝阵的弱,在纯钨丝阵Z箍缩中没有发现波长小于1.6nm的线辐射.混编丝阵Z箍缩的x射线发光区域比纯铝丝阵的小,但比纯钨丝阵的大,混编丝阵的x射线产额比纯铝丝阵的大,但比纯钨丝阵的略低.在驱动电流为2.5—2.8MA条件下,Z箍缩的径向收缩比为4—5,x射线辐射脉冲脉宽为25ns左右,峰值为0.3—0.5TW,总能量为10—20kJ.激光探针的阴影像显示了丝阵等离子体形成的细致过程,还表明了等离子体的边界面不够清晰,其不稳定性有明显的发展,内部有丰富的结构.
关键词:
Z箍缩
混编丝阵
S300强流装置 相似文献
32.
随脉冲功率技术向高重复频率、长寿命等方向发展,储能元件和开关元件在瞬态强场条件下的稳定性能检测十分必要。基于固态开关技术研制了一种百kV,μs时间尺度下的瞬态强场测试平台,主要由高压直流充电电源、初级单元、脉冲变压器、磁脉冲压缩网络、复位系统和测试腔体组成,实现了一体化结构,使用便利。首先,针对电容器测试条件,建立了完整的电路模型,详细设计了系统中各关键参量;然后,利用晶闸管组件作为初级单元控制开关,利用磁开关进行两级脉冲压缩,建立了实验装置;最后,给出了40 nF小批量陶瓷电容器的典型实验测试结果,测试电压50 kV,脉冲宽度1 μs,重复频率10 Hz,运行时间85 min(对应51 000个脉冲),平台稳定可靠性良好,为后续开展相关测试研究奠定了基础。 相似文献
33.
34.
异构IP网络中的拓扑自动搜索算法 总被引:3,自引:2,他引:1
针对异构IP网络的拓扑结构建立了网络管理的对象模型,并在此基础上提出了在管理域中实现拓扑逻辑连接和物理连接自动搜索的算法,其中对交换域内物理连接的搜索算法弥补了当前网络管理平台仅提供逻辑连接拓扑图的不足,算法以定理及伪码的形式阐述,并给出了关键的数据结构,试验结果表明,该算法参高效,准确地生成异构IP网络的拓扑图,为智能化的网络故障和性能管理奠定了基础。 相似文献
35.
将人工智能算法引入目标检测,空间红外弱小目标的检测也可归为模糊检测的二分类问题。依据空中红外弱小目标的探测模型,建立了信号电压比光谱模型,仿真分析表明电压比变化趋势与目标的速度、姿态和两机态势有关,可用以检测目标。采用动态特征构建理论,构建了红外弱小目标的双色比特征空间,基于该特征空间,优化最小二乘分类算法,用于从光谱信号层级检测目标。该方法不仅缩小了样本数据量,而且防止了高斯核函数参数选择引起的“过拟合”现象,既保证了分类精度,又使分类速率提高近1倍,为人工智能算法用于红外弱小目标检测提供了参考依据。 相似文献
36.
与传统的端发射半导体激光器相比,垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)具有可单模输出,光束对称性好,可被高度聚焦,进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优 点.为了得到高功率的激光输出,除了要增大VCSEL的发射面积之外,关键的是要选择适 当的量子阱层数、有源区电流密度的均匀分布和良好的热管理等.本文详细研究和分析了高功率VCSEL有源区量子阱层数,有源区直径,材料的热导和电阻,电极间距等对VCSEL 器件性能的影响.通过优化参数,进行最佳设计,研制出了980 nm In0.2Ga0.8As/Ga
关键词:
垂直腔面发射激光器(VCSEL)
量子阱
高功率 相似文献
37.
一、引 言 在聚变装置真空室里由于等离子体与第一壁表面相互作用,使得器壁局部过热蒸发产生杂质气体,如H_2O,CO,CH_4,C等。这些气体在托卡马克装置放电期间将会导致等离子体能量损失,另外还涉及氢的再循环问题。研究这些现象可以了解托卡马克装置真空室第一壁上吸附气体层的组分及相对含量,以改善真空室的边界条件,进一步减少等离子体能量损失。 相似文献
38.
39.
以2,6,6-三甲基环己-2-烯-1,4-二酮为原料, 经选择性羰基保护、Wittig反应、脱保护基、 腈基水解和还原等5步反应合成了目标化合物, 总产率可达6.0%. 相似文献
40.
介绍由低压石英汞灯、错钕滤光片、透射比标准滤光片、杂散光滤光片等组成标准装置开展紫外、可见分光光度计的检定问题。 相似文献