脉冲磁过滤阴极弧沉积中基片台悬浮电位研究

通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位，发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大。当阳极接地时基片台悬浮电位可达－60V，而弧源悬浮时却只有－5V。因此，要获得相似沉积条件的沉积薄膜，弧源接地方式不同，给基片施加偏压也应有所不同。     

CaCu3Ti4O12陶瓷的微观结构和电学性能

利用传统的固相反应工艺,在不同的烧结温度下制备了一系列的CaCu3Ti4O12陶瓷样品,考察了其微观结构以及介电和复阻抗方面的电学性质.研究发现这些样品在微观结构方面可分为三种类型,高介电性与微观结构有着密切的关联性.室温下,样品的低频介电常数随陶瓷晶粒尺寸的增大而提高.随着测试温度的升高,不同微观结构类型的样品呈现出不同的电学性质的变化,但其中也存在着一些相同的特征.高温下,介电频谱呈现出一个低频介电响应和两个类Debye型弛豫色散,复阻抗谱呈现出三个Cole-Cole半圆弧.将实验上观测到的电学性质的起因归于陶瓷多晶微结构中的晶畴、晶界和晶粒内的缺陷.     

一种新型大气压毛细管介质阻挡放电冷等离子体射流技术

介绍一种结构设计简单、操作运行方便的新型毫米量级大气压冷等离子体射流发生技术.这种射流可以在大气压条件下，利用多种工作气体(如Ar,He,N₂)，通过毛细管介质阻挡放电(DBD)的方式实现.使用频率为33kHz，峰值电压为1—12kV的双向脉冲电源，利用Ar,He,N₂等工作气体，在毛细管内形成了稳定的冷等离子体射流.放电区域的光辐射空间分布利用商用CCD摄像机记录，从中研究放电形态和空间分布，观察到了在DBD区域的流动气体放电和在毛细管出口处形成的等离子体射流 关键词： 冷等离子体射流 毛细管介质阻挡放电 射流射程 射流激发温度     

用发射光谱法测量氮气直流辉光放电的转动温度

本文报道了氮气气压分别为10和20Pa时，对直流辉光放电的发射光谱进行测量和分析的结果。选择的研究对象为N2放电中形成的N2^ B^2∑u^ →X^2∑g^ 跃迁的Δv=v′-v″=0谱带系中v′=0→v″=0谱带的R支。在阴极背面辉光区、阴极鞘层区、正柱区以及阳极辉光区中分别选择一点进行了转动分辨的发射光谱的测量。利用自己编写的光谱拟合程序，获得了相应的实验条件下N2^ 的转动温度，给出了转动温度随放电电压的变化趋势，其结果可以用直流放电的帕邢定律得到很好的解释。在10和20Pa气压下，放电的阴极鞘层区、正柱区、阳极辉光区中的转动温度都随放电电压呈现出了不同的变化趋势，甚至是完全相反的变化趋势。我们认为这是由于气压不同时，放电状态不同所致：气压为10Pa时的放电是正常辉光放电，而气压为时20Pa的放电为反常辉光放电。     

Theoretical analysis of ion kinetic energies and DLC film deposition by CH4＋ Ar （He） dielectric barrier discharge plasmas

The kinetic energy of ions in dielectric barrier discharge plasmas are analysed theoretically using the model of binary collisions between ions and gas molecules. Langevin equation for ions in other gases, Blanc law for ions in mixed gases, and the two-temperature model for ions at higher reduced field are used to determine the ion mobility. The kinetic energies of ions in CH4 ＋ Ar（He） dielectric barrier discharge plasma at a fixed total gas pressure and various Ar （He） concentrations are calculated. It is found that with increasing Ar （He） concentration in CH4 ＋ Ar （He） from 20% to 83%, the CH4＋ kinetic energy increases from 69.6 （43.9） to 92.1 （128.5）eV, while the Ar＋ （He＋） kinetic energy decreases from 97 （145.2） to 78.8 （75.5）eV. The increase of CH4＋ kinetic energy is responsible for the increase of hardness of diamond-like carbon films deposited by CH4 ＋ Ar （He） dielectric barrier discharge without bias voltage over substrates.