聚乙烯-碳酸钙复合材料的光氧化降解及沿深度的分布

研究了聚乙烯-碳酸钙复合材料薄膜和厚试样的自然光氧化降解.结果表明,碳酸钙含量对复合材料的氧化程度影响不大,但羟基指数随碳酸钙含量增大而增大.不同的表面处理对复合材料的氧化降解影响很大,用钛酸酯进行表面处理,可大大促进聚乙烯的氧化降解,其它的偶联剂则没有明显的影响.用显微红外研究厚试样中氧化程度随深度的变化,发现从表面到中心,不同体系的羰基指数表现出不同程度的衰减,断面呈不同的老化形貌.含钛酸酯的体系,羰基指数沿深度方向明显下降,曲线的转折点与断面上的裂纹深度相对应.填充碳酸钙以及碳酸钙的表面处理会明显降低聚乙烯的结晶度.结合氧化程度分布、裂纹以及结晶度对复合材料的光氧化机理进行了讨论.     

MH/Ni电池储存性能的改善及其机理研究

应用恒电流充放电法和循环伏安法研究了MH/Ni电池的储存性能.结果表明,储存期间当电池开路电压下降至1.0V以下后,组成正极导电网络的CoOOH将被还原并在随后的充电过程中不能完全复原,导致电池储存性能下降.如于正极中加入镍粉作导电剂,便能在一定程度上减缓这种影响,改善电池的储存性能.     

超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱研究

利用785 nm波长激光作为激发源,测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线,而是一条在高斯型荧光谱上叠加了一定频率间隔小锯齿峰的曲线.经实验验证和理论分析证明该荧光谱上的小锯齿峰是一种干涉条纹,与超二代微光像增强器的结构有关.干涉条纹之间的间距与相邻两干涉峰波长的乘积成正比,与超二代微光像增强器的近贴聚焦距离成反比.干涉条纹调制度大小与Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的厚度成反比.通过测量超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱上两相邻干涉条纹的间距和调制度,就可以测量或比较出不同超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的膜厚、近贴聚焦距离.研究结果对提高超二代微光像增强器阴极灵敏度和分辨力提供了一个有效的分析手段.     

聚酰亚胺改性酚醛泡沫

介绍了聚酰亚胺(PI)与酚醛树脂的共混改性方法,同时探讨了聚乙二醇(PEG)的加入对酚醛/聚酰亚胺复合体系的性能影响.结果显示经聚酰亚胺改性后,酚醛复合材料形成了网络互穿结构,其热稳定性、压缩强度以及隔热性能均有明显提高,粉化率、吸水率也有所降低,但仍然具有较高的脆性.在酚醛/聚酰亚胺复合体系中适当的加入聚乙二醇后,材料的脆性得到改善,然而其它性能如压缩强度、热稳定性和隔热性却比加入前有所降低.通过研究发现,为了改善酚醛泡沫塑料总体性能,聚酰亚胺和聚乙二醇的最佳用量均为3%～5%.     

人造非线性介质的简并的四波混频

本文报道了一种人造非线性介质——悬浮粒子溶液的简并的四波混频作用。用调QNd:YAG倍频激光作泵浦源,测得这种介质的三阶非线性极化率x~(3)～5.10×10~(-2)esu,此值为CS_2的值的三倍。用连续波读出光束测量了密度光栅的衰变时间。     

Spin—Other—Orbit Effect in Two—Mode Multiphoton Ionization

A previously unknown “spin-other-orbit” effect of photon modes is predicted by solving a Schrodinger-like equation for a non-relativistic electron interacting with a two-mode intense photon field propagating in two perpendicular directions.A multiphoton ionization experiment to test this effect is suggested.Transition rates which manifest this effect to be measured in the experiment are calculated and presented graphically.A detailed comparison between this effect and the well-known spin-other-orbit effect of electrons is included.     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究

本文介绍了AlGaAs/GaAs外延层生长的应变状况的生长温度控制模型,并根据AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了AlGaAs/GaAs外延生长的应变状况的生长温度控制模型.     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析

本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点,分析了透射式GaAs光电阴极样品AlGaAs/GaAs外延层的倒易点二维图,获得了晶面弯曲以及AlGaAs外延层中Al组份变化等方面的信息,为优化外延工艺提供了可靠的保证.     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半峰宽研究

本文研究了晶体X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系,外延层之间X射线衍射的非相干叠加以及热应力引起的晶格应变和晶面弯曲对摇摆曲线半峰宽宽窄的影响.