4,4''-对偶氮苯重氮氨基偶氮苯与汞(Ⅱ)的显色反应及其应用

废水中镉、汞的含量是环境污染最重要的指标,镉、汞离子及其盐均是致癌物质,因此,简单、快速、准确地测定环境废水中镉、汞的含量具有十分重要的意义.     

关于复数的几个问题

1.虚数i是否存在? 虚第i是存存的。在复数a bi(a、b∈R)用直角坐标系的点(a,6)来表示的意义下,点(0,1)就表示i,所以i是存在的。     

光场时空对称性及其在光学技术中的应用

本文论述光波场的时问、空间对称性,包括拍频导致的“空间放大”与“时间放大”;多束光干涉提高条纹细锐度“空间压缩”、锁模技术中脉冲的“时间压缩”;空间调制与时间调制;非线性效应中的时间倍频与空间倍频;空间相干性与时间相干性;时域测不准与空域测不准。     

太平洋赤道区水中氢氧同位素的分布

地球上氢氧同位素的分布,自Riesenfelol和作者之一于1936年提出以HDO和H_2~(18)O蒸气压作理论说明以来,各国学者进一步论证了许多其他的规律性并作过比较完整的解释。     

大视角两步彩虹全息术

本文巧妙地运用了全息图的光路可逆性,采用两面反射镜与小面积全息图相结合,制得了视场角接近180°的大视角彩虹全息图.整个过程分两步完成,无需任何特殊的光学元件.文中给出了实验结果,并进行了讨论.     

对“生物组织超声散射的一种改进模式”的质疑

波在随机介质中散射和传输的理论,近年来得到了广泛的研究和应用。随机介质一般可分为离散的散射粒子,连续的随机介质,以及随机粗糙面等。大量的自然物质,比如地表中的植被、冰雪,生物组织的血和肝脏,以及一些工程材料等,都可看作是连续的随机介质。其介电常数的起伏(如植被),密度起伏(如湍流),或弹性起伏(如生物组织)等,对波产生了散射。计算波的散射一般有辐射传输理论和波的解析理论。在波的解析理论中,有微扰迭代法,或玻恩近似法,以及计算散射强度的广义玻恩近似等。用以计算一阶,二阶,或更高阶的双向和后向散射系数。     

化学反应对竖直平板边界磁流体动力学微极流体滑流的影响

对半无限竖直平板为边界的多孔介质，研究了传热、传质对微极流体不稳定滑流的影响，其化学反应是一级均匀的。均匀磁场垂直作用于可以吸收微极流体的多孔表面，吸引速度随着时间而变化。自由流动的速度随着微小扰动而呈指数增大或减小。采用近似方法获得了微极流体的速度、微转动、温度、浓度的表达式，还得到了在不同流体特征和流动条件下，壁面的摩擦系数、耦合应力系数、传热率和传质率。     

含改性松香的丁二醇二缩水甘油醚固化反应动力学研究

设计了含改性松香无苯环的环氧固化体系和无松香的对照体系,分别是无松香体系Ⅰ：丁二醇二缩水甘油醚（BDGE）和甲基六氢苯酐（MeHHPA）;无规体系Ⅱ：丙烯酸松香（AR）、BDGE和MeHHPA;有规体系Ⅲ：丙烯酸松香基环氧树脂（ARE,由AR和BDGE预聚而来）和MeHHPA。对三体系的固化反应应用动态示差扫描量热仪（DSC）进行了研究,利用KAS法求得不同转化率下的表观活化能,通过整个反应过程反应活化能的变化,得到了三体系反应的内在机理,结果发现松香基的引入及引入顺序都对固化反应产生影响。     

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为了研究靶材料对快电子能量分布的影响,采用电子谱仪测量了飞秒激光与Cu和CH靶相互作用中在靶前和靶后产生的快电子能谱。结果显示,在靶前Cu和CH靶的快电子能谱相似,反应了快电子发射对靶材料的依赖性较弱;在靶后Cu和CH靶的快电子能谱具有明显的差异,说明电子的输运过程与靶材料密切相关。冷电子环流以及自生磁场是导致Cu靶快电子能谱"软化"的原因,而对于CH靶麦克斯韦分布的快电子能谱主要由碰撞机制决定。     

Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method

Nonpolar （1120） GaN films are grown on the etched a-plane GaN substrates via metalorganic vapor phase epitaxy. High-resolution X-ray diffraction analysis shows great decreases in the full width at half maximum of the samples grown on etched substrates compared with those of the sample without etching, both on-axis and off-axis, indicating the reduced dislocation densities and improved crystalline quality of these samples. The spatial mapping of the E2 （high） phonon mode demonstrates the smaller line width with a black background in the wing region, which testifies the reduced dislocation densities and enhanced crystalline quality of the epitaxial lateral overgrowth areas. Raman scattering spectra of the E2 （high） peaks exhibit in-plane compressive stress for all the overgrowth samples, and the E2 （high） peaks of samples grown on etched substrates shift toward the lower frequency range, indicating the relaxations of in-plane stress in these GaN films. Furthermore, room temperature photoluminescence measurement demonstrates a significant decrease in the yellow-band emission intensity of a-plane GaN grown on etched templates, which also illustrates the better optical properties of these samples.