Visual measurement of the microscopic temperature of porous graphene based on cholesteric liquid crystal microcapsules

Measuring the microscopic temperature of graphene is challenging.We used cholesteric liquid crystal microcapsules(CLCMs)as temperature sensors to detect the local temperature of three-dimensional porous graphene through quantitative visualization.Based on a CLCM(~20μm in size),we determined the temperature variation in a small area with an accuracy of 0.1℃.By analyzing the color changes between two CLCMs,we demonstrated the temperature changes dynamically in a region with a diameter of approximately 110μm.Furthermore,by comparing the color evolution among the three CLCMs,we visualized the anisotropic thermal properties in the micro-zone.This convenient and low-cost temperature measurement method is expected to further improve graphene-based devices.     

放电等离子体极紫外光源中的主脉冲电源

描述了Z箍缩放电等离子体极紫外光源系统中的主脉冲电源,给出了主电路拓扑结构,重点介绍了三级磁脉冲压缩网络,给出了关键参数的设计计算,并且介绍了新颖的末级磁脉冲压缩放电结构。实验结果显示:各级磁脉冲压缩效果达到设计指标,电源输出电压峰达30 kV,输出电流峰值大于40 kA,电流脉冲宽度200 ns,满足Z箍缩放电等离子极紫外光源对主脉冲的要求。     

强流脉冲电子束诱发纯钛表面的微观结构及应力状态

利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯钛进行轰击,采用X射线衍射,扫描电子显微镜及透射电子显微镜技术详细分析了轰击样品表层的结构和缺陷. X射线衍射分析表明, HCPEB能够在材料表层诱发幅值为 GPa量级的压应力,并在(100), (102)和(103)晶面出现择优取向.表层微观结构的观察表明: HCPEB轰击后材料表层发生了马氏体相变,形成了大量的片状马氏体组织; 此外, HCPEB轰击还在辐照表面诱发了强烈的塑性变形,一次轰击后,晶粒内部的塑性变形以(100)晶面的位错滑移为主,位错密度显著提高;多次轰击后,样品变形结构发生变化,变形孪晶的数量明显增多. 这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,进而提高材料表面硬度, 为HCPEB技术进行纯钛表面强化提供了一条有效的途径.     

Na3V2(PO4)2O2F钠离子电池正极材料的水热法制备及性能

采用水热法制备了Na_3V_2(PO_4)_2O_2F (NVPOF)钠离子电池正极材料,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和恒流充放电(GCD)等方法研究了其形貌、结构与电化学性能。结果显示,纯相NVPOF形貌规则,呈长1～3μm、宽300 nm～1μm、长宽比为2～3的四棱柱形貌。NVPOF具有2对平稳的充放电平台,在0.2C和2C电流密度下,放电比容量达到124.2和70.5 m Ah·g~(-1),经100次循环后,放电比容量仍有105.8和59.6 m Ah·g~(-1),容量保持率达到85.2%和84.5%,库仑效率基本在97%以上,且低温(0℃)电化学性能也有不错的表现。经还原氧化石墨烯(r GO)包覆提高电子电导率,NVPOF@r GO在0.5C和2C的室温放电比容量高达124.4和88.4 m Ah·g~(-1),且2C倍率下循环200圈后的比容量仍有78.7 m Ah·g~(-1),容量保持率高达89%,库仑效率始终保持在99%左右,显示出优异的倍率和循环性能。     

硝酸钡晶体中a<110>螺位错双折射象的实验研究

在实验上观察到硝酸钡晶体中Burgers矢量为a<110>螺位错的双折射端点象(Viewed end-on).测定了双折射象中等强度曲线的形状与分布,得到了a<110>螺位错端点象的消光规律,并对上述结果进行了理论解释.     

共混型高分子梯度材料的研究进展

共混型高分子梯度材料具有综合性能好、制备更简便等优点,近年来备受研究者的关注.本文综述了近十年来共混型高分子梯度材料的研究进展.介绍了在溶液体系、熔融体系、乳液体系中通过共混方法构筑高分子梯度材料的制备方法,如溶解扩散法、电场诱导法、温度梯度法等.对在不同共混体系中预测聚合物组分的分散相或组成形成梯度变化的相关理论进行了评述,分析了影响梯度相结构形成的各种因素,并进一步分析了共混型高分子梯度材料的发展方向和研究重点.     

太赫兹液晶材料与器件研究进展

液晶是一种性能优异的可调控光电功能材料,基于液晶的太赫兹器件有着广泛的应用前景,但高性能太赫兹功能器件的研发仍处于初级阶段.本文综述了太赫兹领域液晶材料与器件的研究现状,探讨了液晶技术与太赫兹技术相结合的发展趋势.