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31.
32.
在北京同步辐射装置上应用同步辐射X射线小角散射技术研究TATB样品微孔状况,分析了微孔结构参数的变化。采用不同制备工艺(机械研磨、化学合成、气流细化、全结晶、粉碎)和不同存放时间的TATB粉末样品共计7份。 相似文献
33.
遗传中紧空间与散射分解 总被引:5,自引:0,他引:5
本文证明了可数仿紧(中紧、亚紧)空间有类似Junnila的刻画,遗传中紧空间不具有类似Junnila的刻画,并给出了每个散射分解有紧有限的开膨胀的充要条件. 相似文献
34.
本文对在过渡金属铁、镍电极表面制备得到的γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)膜进行了研究。实验中对硅烷膜用X-射线光电子能谱(XPS)、现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)和原子力显微镜(AFM)进行了表征。X-射线光电子能谱(XPS)的结果发现存在两个N1s峰,表明γ-APS膜中的氨基有两种存在方式:自由氨基和质子化氨基。实验中还发现现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)是研究金属/γ-APS体系中界面层结构非常有效的手段,SERS结果表明硅醇羟基和氨基发生了竞争吸附,且γ-APS分子在外加电位等条件的影响下吸附状态会发生一定变化。原子力显微镜(AFM)的表征结果在微观上显示电极表面的γ-APS膜上形成了一种较规则的微孔结构,这种结构可能与基底的性质有关。 相似文献
35.
从电子上看康普顿效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在康普顿效应中,散射光子与入射光子的频率不同,但在电子静止的参考系,可以证明光子的频率在碰撞前后相同。 相似文献
36.
37.
采用高温热解法 ,以二茂铁 乙二胺有机溶剂为前驱液制备CNx 纳米管过程中 ,改变前驱液配比 ,对 86 0℃ ,不同二茂铁含量条件下制备出的CNx 纳米管进行了产量统计、形貌结构观察和拉曼光谱研究。结果显示 :随着前躯液中二茂铁含量的相对增大 ,不但CNx 纳米管产量随之增加 ,而且产物中“竹节状”结构纳米管相对“中空”结构纳米管的比重也增大 ;拉曼光谱结果进一步证实了由于“竹节状”结构CNx 纳米管的含量或比重增加所带来的纳米管样品整体或平均含氮量的升高而导致的样品结晶有序程度的降低。对单独钴粉和二茂铁催化条件下生成CNx 纳米管的形貌观察进一步证实 :二茂铁在热解法制备“竹节状”结构CNx 纳米管过程中的浮动催化作用显著 ,有利于实现含氮量较高、结构均匀的CNx 纳米管的可控制生长。 相似文献
38.
39.
The first hyperpolarizabilities of a series of novel azulenic-barbituric acid chromophores have been studied by using 12 excitation wavelengths, ranging from 900 to 1907 nm. The dispersion relation of the first hyperpolarizabilities of chromophores holds the same tendency as the experimental results. In addition, the static first hyperpolarizability β0 of molecules was calculated by means of the Sum-Over-States (SOS) expression and the two-level formula respectively. The results show that these molecules possess large static first hyperpolarizabilities and the, β0 value increases as the donor or acceptor strength enhances; the distorted degree of molecules has also an important influence on the β0 value. 相似文献
40.
A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot. 相似文献