首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   150篇
  免费   27篇
  国内免费   48篇
化学   127篇
晶体学   2篇
力学   7篇
数学   14篇
物理学   75篇
  2023年   3篇
  2022年   4篇
  2021年   7篇
  2019年   15篇
  2018年   9篇
  2017年   7篇
  2016年   12篇
  2015年   9篇
  2014年   14篇
  2013年   13篇
  2012年   13篇
  2011年   11篇
  2010年   16篇
  2009年   5篇
  2008年   17篇
  2007年   9篇
  2006年   7篇
  2005年   7篇
  2004年   4篇
  2003年   5篇
  2002年   3篇
  2001年   4篇
  2000年   2篇
  1999年   4篇
  1998年   3篇
  1997年   2篇
  1996年   5篇
  1995年   2篇
  1994年   1篇
  1992年   3篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1988年   3篇
  1987年   2篇
  1985年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有225条查询结果,搜索用时 15 毫秒
211.
李梅 《物理通报》2023,(1):54-57
教师的信息素养在教学中表现为信息化教学能力.通过信息技术与物理学科教学的有机融合,在学科融合实践中构建参与性、主体性、交互性的“三性”课堂,提升教师的信息化教学设计、实施和评价能力,进而促进教师信息素养的提升.  相似文献   
212.
以具有类过氧化物酶性质的Pt NPs@Mn-MOF纳米复合材料作为电极基底, 采用丝网印刷电极构建了一种无标记型电化学适体传感器, 用于赭曲霉毒素(OTA)的检测. 利用Pt NPs@Mn-MOF的模拟酶特性, 将其作为电极基底用于捕获OTA适体链, 同时催化H2O2还原产生电流响应信号. OTA的引入会减少纳米酶的催化活性位点, 从而导致电流信号降低. 在0.01~300 ng/mL范围内, 随着OTA浓度的增加, 电流响应值逐渐降低; 采用计时电流法检测电流响应信号, 从而间接实现了对OTA的定量检测. 此外, 该生物传感器通过U盘式小型工作站进行检测, 不仅可与电脑连接进行检测, 还可与手机连接进而实现实时检测, 并且其检测灵敏度高、 重现性好, 检出限低至3.33 pg/mL(S/N=3). 该传感器可用于真实玉米样品中OTA的检测, 在真菌毒素现场检测中展现出潜在的应用价值.  相似文献   
213.
采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料.X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好.研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明.所制备的不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料,在室温下的发光波长可以覆盖1....  相似文献   
214.
InGaAsSb/InP的MBE生长及特性   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。  相似文献   
215.
曹杨  习凯  徐彦楠  李梅  李博  毕津顺  刘明 《物理学报》2019,68(3):38501-038501
基于~(60)Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特性退化的规律与物理机制.总剂量辐照引起闪存单元I-V特性曲线漂移、存储窗口变小和静态电流增大等电学特性的退化现象,并对其数据保持能力产生影响.编程态闪存单元的I_d-V_g曲线在辐照后显著负向漂移,而擦除态负向漂移幅度较小.对比两种射线辐照,擦除态的I_d-V_g曲线漂移方向不同.相比于擦除态,富含存储电子的编程态对总剂量辐照更为敏感;且相比于~(60)Co-γ射线,本文观测到了显著的X射线剂量增强效应.利用TCAD和Geant 4工具,从能带理论详细讨论了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元电离总剂量效应和损伤的物理机制,并模拟和深入分析了X射线的剂量增强效应.  相似文献   
216.
N-杂环卡宾(NHCs)及其金属配合物是有机金属化学学科的研究热点,在催化领域获得广泛应用。向NHCs杂环添加新颖官能团,构建复杂NHCs及其金属配合物可实现不同催化性能。糖类化合物具有生物相容性、水溶性、手性、无毒副作用且广泛存在于自然界,将糖取代基引入NHCs不仅可以改善水溶性,还可以引入手性元素。糖基-NHCs及其金属配合物在催化和药化领域显现出巨大潜力。本文就国内外含单糖D-吡喃葡萄糖、D-吡喃半乳糖、β-氨基葡萄糖、氨基半乳糖和氨基甘露糖等糖基衍生NHCs前体及NHCs金属配合物的重要研究成果进行了综述。根据糖基稠环碳原子与NHCs杂环的连接方式,将NHCs及其金属配合物分为5种类型,包括C-1、C-2、C-3、C-6及其他。从糖基-NHCs及其过渡金属配合物的合成、结构和催化性能方面进行了深入讨论,着重介绍了糖基和NHCs及其金属配合物在催化性能之间的关联性,并进行了简短的评述。最后,对糖基-NHCs及其过渡金属配合物的催化性能特别是在不对称反应中的应用前景及其影响因素进行了展望。  相似文献   
217.
30CrMnSiNi2A钢干滑动摩擦磨损特性研究   总被引:3,自引:3,他引:0  
利用销盘高速干滑动摩擦磨损试验机,对30Cr Mn Si Ni2A低合金超高强度钢的摩擦磨损性能进行了研究,应用JSM-6390A型扫描电子显微镜和X-衍射方法对摩擦磨损表面进行观察,表征其摩擦表面的微观形貌、摩擦磨损产生的磨屑以及由于摩擦产热而引起的氧化物,进而推断出磨损机制.结果表明:摩擦系数随速度和载荷的增大而减少,其速度是影响摩擦系数的主要因素;在摩擦初期当摩擦系数快速下降时,摩擦表面温度急剧增加,当达到一定数值后二者都形成一个动态的平衡;随着速度和载荷增大,磨损机理主要由氧化磨损转变为剥落、塑性变形、犁沟以及黏着磨损,且磨损表层的氧化物由Fe O转变为Fe_3O_4和Fe_2O_3,当出现Fe_2O_3氧化物时,磨损率急剧升高.  相似文献   
218.
姜涛  田杰  王宁  彭述明  李梅  韩伟  张密林 《物理化学学报》2016,32(10):2531-2537
在773 K条件下,研究了La(III)在LiCl-KCl熔盐中W和Ni电极上的电化学行为。La(III)还原反应是一步三电子转移的准可逆反应;通过在Ni电极上直接电沉积La的方法可以获得La-Ni金属间化合物;恒电位电解可以获得含三种金属间化合物(LaNi5、La7Ni16和La2Ni3)的La-Ni合金层,并且通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜-能谱分析仪(SEM-EDS)确定物相并表征结构。采用开路计时电位法估算了LaNi5金属间化合物的标准生成吉布斯自由能。揭示了恒电位电解方法是制备La-Ni镀层合金以及提取熔盐中La的有效方法。  相似文献   
219.
在1023 K条件下,开展了Zr(IV)在KCl-MgCl2-K2ZrF6和KCl-MgCl2-K2ZrF6-ZrO2熔盐中Mo电极上的电化学实验,并获得如下结果:Zr(IV)还原为Zr(0)是通过两步反应,即Zr(IV)+ 2e- → Zr(II)和Zr(II)+2e- → Zr(0)。两个反应是准可逆的。KCl-MgCl2-K2ZrF6-ZrO2熔盐中的电极反应表明在预沉积的Zr上欠电位沉积Mg可以用来制备Mg-Zr合金。感应耦合离体子体-原子发射光谱(ICP-AES)分析结果表明,在1023 K和KCl-MgCl2-K2ZrF6-ZrO2熔盐中K2ZrF6含量在9.2%(w)条件下,恒电流电解获得的Mg-Zr合金中Zr含量可以达到7.2%(w)。并采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜-能谱仪(SEM-EPS)对合金进行表征。利用KCl、MgCl2、K2ZrF6、KF和ZrO2为原料,直接恒电流电解制备Mg-Zr合金是可行的,且在确定反应条件下实现合金中Zr含量可控;揭示了KCl-MgCl2熔盐体系可以实现Mg和Zr的共电沉积,并且验证了直接电解ZrO2获得Mg-Zr合金的可行性。  相似文献   
220.
通过实地走访问卷调查、企业对接会议、招聘会上调查、网上问卷调查等方式对珠三角地区生物医药企业的人才需求状况进行了调查。结果发现企业QC类人才需求最多,占需求岗位的33%;各企业对人才都提出了学历、工作经验、语言技能、计算机技能等基本要求;18%的企业方表示最需吃苦耐劳型人才,并强调生物类人才首先应熟悉掌握仪器分析技术和微生物技术;84%的公司愿意为相关专业大学生提供实习岗位。因此,学校应着重培养学生综合素质,提高学生动手能力,让学生掌握必备专业技能,同时,学生也应树立正确的就业观。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号