适应改革形势搞好物理教学

随着教育形势的发展及素质教育的大力推行,我国的中小学教育正面临一场变革,而作为以基本技能教育为主的中等专业学校的基础学科教学也将面临着重大的转变,物理学科教学的变革也势在必行,物理教学方法要改革,课程要调整,物理教学的任务不仅是学习物理知识和培养能力,而且对培养能力提出了更高的要求。相应的对物理教师也提出了更高更新的要求。     

鼠脑红蛋白突变体F106L与氰根的结合作用

构建了鼠脑红蛋白(Mouse neuroglobin)的突变体F106L, 以探求近端残基对脑红蛋白血红素口袋结构的贡献. 通过溶液核磁共振方法研究了外来配体氰根离子与NgbF106L蛋白的结合作用, 结果显示, 此结合存在动力学过程, 并且NgbF106LCN 突变蛋白氰根络合物可以可逆地释放氰根离子, 并使原来的第6配体His64(E7)又结合回到血红素铁上. 研究结果揭示, G5(Phe106)残基对脑红蛋白血红素构象而言较为保守; QM/MM结构优化结果表明, 位于G5 和FG5的近端残基对蛋白结构稳定性具有重要作用, 并可调控外来配体与蛋白作用的配位平衡与热动力学性质.     

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型,建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上,采用全组态完全对角化方法,对Al2O3晶体中V3+的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明,V3+掺入Al2O3晶体后,上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al2O3:V3+晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上,研究了三角晶场下3d2离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现,自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的,微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.     

色噪声驱动的肿瘤细胞增长系统的瞬态性质:平均首通时间

研究了受色高斯噪声驱动的肿瘤细胞增长系统的瞬态态性质(平均首通时间T). 据Novikov定理和Fox近似方法得到相应的Fokker-Planck方程,使用最快下降法得到了肿瘤细胞增长系统的平均首通时间的解析表达式.经过数值计算,结果表明：肿瘤增长系统的T在正关联(0<λ<1, λ为关联噪声强度)和负关联(-1<λ<0)呈现出不同的特性. 正关联时,噪声强度和对应的关联时间在态转化过程中起着相反的作用;然而,负关联时,肿瘤增长系统的关键词： 色噪声 肿瘤细胞增长系统 平均首通时间     

脱乙酰壳多糖抑制真菌生长的构效关系

本研究目标是研究脱乙酰壳多糖的化学结构(乙酰化程度DA和聚合程度DP)与它的抑制真菌生长能力之间的构效关系. 选用了12个分属于3个系列、化学结构相关而又不同的、结构清晰的脱乙酰壳多糖和3种不同的真菌(Fusarium solani, Fusarium graminearum和Ustilago maydis). 通过分别测定每个脱乙酰壳多糖对3种真菌的生长曲线和最低抑制浓度(MIC, minimum inhibitory concentration); 比较各个系列脱乙酰壳多糖的MIC和它的化学结构(DA和DP)之间的关系. 结果显示对同一种真菌, 不同脱乙酰壳多糖的抑制真菌生长曲线形态和MIC是各不相同的; 同样同一脱乙酰壳多糖, 对不同真菌也有其特殊的生长曲线和MIC; 通常随着脱乙酰壳多糖中DA的递增, MIC是增加的, 其抑制真菌的活性是降低的; 在DA相同的条件下, 随着DP的递增, MIC也是增加的, 其抑制真菌的活性是减低的. 所以可以说, 脱乙酰壳多糖抑制真菌生长的能力与其化学结构紧密相关, 在本实验的条件下, 脱乙酰壳多糖分子越小, 分子中的自由氨基越多, 抑制真菌的活性越大.     

YAG:V2+激光材料晶格畸变及其EPR参量研究

利用Newman的晶场叠加模型,建立了晶体微观结构与电子顺磁共振(EPR)参量之间的定量关系.采用全组态完全对角化方法,对YAG:V2+晶体的局域晶格畸变及其EPR参量进行了系统的研究,结果表明:V2+离子掺入YAG晶体后,V2+离子的局域结构产生压缩三角晶格畸变,沿[111]晶轴方向V2+离子上方的三个O2-配体与下方的三个O2-配体均偏离[111]轴1.96°,从而成功地解释了YAG:V2+晶体的EPR参量.同时研究也表明,SS与SOO磁相互作用对EPR参量的贡献不可忽略.     

红外共形整流罩热噪声分析与修正

飞行器在大气层中超音速飞行时,被气动加热的光学整流罩产生强的红外辐射,降低了红外目标的跟踪识别能力。分析了共形光学系统整流罩热噪声的产生机理,利用红外黑体,对320K~460K的整流罩热噪声进行了测试。利用二元非线性回归分析法确定了二次曲面作为噪声修正模型,其曲面拟合的决定系数均值达到0.8683。在整流罩温度从460K下降至320K的过程中,对1K温差的靶条成像,图像信噪比均值为7.2dB。利用噪声修正模型对图像进行噪声修正后,图像信噪比均值提高至13.7dB,使红外图像信噪比提高了6.5dB。该结果为导引头目标识别跟踪系统的设计和光学系统的优化提供了部分依据。     

Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释

在考虑微小磁相互作用(包括SS、SOO和OO作用)的基础上,采用全组态完全对角化方法,建立了A l2O3晶体中V2 离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系,对A l2O3:V2 晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿(SH)参量给出了统一的解释。结果表明,V2 离子进入A l2O3晶体后,上下配体氧平面分别沿C3轴向远离三角中心的方向移动了0.0021nm和0.0020nm。理论计算结果与实验值符合甚好。     

三角对称下3d3离子2E态g因子性质研究

采用完全对角化方法,以尖晶石结构的ZnAl₂Ｏ₄:Cr^3＋,ZnGa₂Ｏ₄:Cr^3＋和MgAl₂Ｏ₄:Cr^3＋系列晶体为例,联系晶格局域结构,对三角对称下3d³离子²E态g因子性质进行了研究.研究中考虑了包括自旋与自旋相互作用、自旋与另一轨 关键词： 2E态g因子')" href="#">²E态g因子 3离子')" href="#">3d³离子 尖晶石结构 磁相互作用     

10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析

随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且其模型未考虑到沟道饱和区.本文针对小尺寸纳米级MOSFET器件,并根据器件结构特征和热噪声的基本特性,建立了10 nm器件的热噪声模型,该模型体现沟道区、衬底区及栅、源、漏区,同时考虑到沟道饱和区的热噪声.在模型的基础上,分析沟道热噪声、总热噪声随偏置参量及器件参数之间的关系,验证了沟道饱和区热噪声的存在,并与已有实验结果一致,所得结论有助于提高纳米级小尺寸MOSFET器件的工作效率、寿命及响应速度等.