金属氧化物TFT驱动AMOLED显示研究进展

金属氧化物薄膜晶体管（metal oxide thin film transistor,MOTFT）由于具有迁移率高、均匀性好、工艺简单、工艺温度低、成本低等优势,非常适合高分辨率、大尺寸液晶显示（LCD）和有源矩阵有机发光二极管显示（AMOLED）等新型显示技术发展的需要,因此受到业界和学界的广泛关注．结合本课题组的工作,本文阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论．本课题组开发的新型MOTFT迁移率可达35cm^2／（Vs）,阈值电压为1．63V,开关比为10^9,亚阈值摆幅为0．21Wdecade．基于自主开发的MOTFT背板,在国内率先实现了3—5英寸彩色AMOLED显示屏、透明AMOLED显示屏以及柔性AMOLED显示屏,展示了MOTFT背板良好的应用前景．     

新型电磷光咔唑-co-吡啶共聚物的合成与发光性能

用Suzuki缩聚反应制备了一系列新型咔唑-吡啶共轭主链上含有金属铱配合物单元的共聚物. 共聚物发光器件结构为ITO/PEDOT:PSS/polymer＋PBD (w＝30%)/CsF/Al [氧化铟锡/苯磺酸掺杂聚乙烯基二氧噻吩/聚合物＋2,4-二苯-5-4-叔丁基苯-1,3,4-恶二唑(w＝30%)/氟化铯/铝]. 基于共聚物PCzPyIrMppy2的器件在电流密度为20.8 mA/cm2时, 最大外量子效率和流明效率分别达到4.1%和6.1 cd/A. 在电流密度200 mA/cm2时, 器件的最大外量子效率和流明效率仍分别达到3.2%和4.8 cd/A, 器件的发光的最大波长位于570 nm, 最大亮度达到13251 cd/m2. 研究结果表明, 在共轭聚合物主链上引入螯合金属铱配合单元是实现高效、稳定的电致磷光器件的有效方法之一.     

利用复数解不等式问题

众所周知,不等式的概念是建立在实数基础上的,不全为实数的两个复数不能比较大小。但是,复数与不等式并非水火不容,它们之间存在着一种“血缘”关系——反映在复数的实部、虚部和模之间的关系,以及几个复数的模之间的关系。     

使用铜源漏电极的非晶氧化铟锌薄膜晶体管的研究

为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器件。结果表明:所制备的Cu膜呈多晶结构;引入a-IZO粘附层增强了Cu膜与衬底的粘附性;同时,Cu在a-IZO中的扩散得到了抑制。所制备的TFT的迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压分别为12.9 cm2/(V·s)、0.28 V/dec和-0.6 V。     

有机电致发光器件及显示驱动研究进展

经过30多年的发展，得益于对高效有机半导体材料、新型器件结构、器件工作机理的深入理解以及产业界坚持不懈的工程探索，有机发光二极管（Organic light-emitting diodes,OLEDs）的综合性能取得了突破性进展，并成功实现了商业化应用，OLEDs新型显示已成为新一代信息技术的先导性支柱产业。本文将从OLEDs器件角度阐述有机电致发光器件以及显示驱动的研究进展，首先结合光电器件性能提升介绍OLED的基本器件结构演变过程，随后系统性重点阐述现阶段产业上广泛使用以及极具应用前景的器件结构，包括p-i-n OLEDs器件结构、叠层器件结构、非掺杂器件结构，最后简述OLEDs显示驱动技术，以期为相关科研工作者提供一些有益的参考。