首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15篇
  免费   19篇
  国内免费   1篇
化学   5篇
晶体学   13篇
力学   1篇
物理学   16篇
  2023年   2篇
  2022年   1篇
  2021年   3篇
  2020年   3篇
  2019年   4篇
  2018年   3篇
  2017年   1篇
  2016年   2篇
  2014年   2篇
  2013年   1篇
  2012年   1篇
  2011年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
  2004年   2篇
  2003年   2篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
排序方式: 共有35条查询结果,搜索用时 0 毫秒
21.
段欢  崔瑞瑞  邓朝勇 《人工晶体学报》2020,49(12):2302-2307
本文采用高温固相法成功合成了一系列Ba2YAlO5∶0.2Eu3+, xNa+(x=0.01,0.03,0.05,0.10,0.20,0.30)荧光粉,研究了Eu3+,Na+掺杂对晶体结构的影响。使用扫描电子显微镜观察荧光材料的微观形貌,使用荧光光谱仪对荧光粉的激发和发射光学特性进行观测和分析,从理论上研究了浓度猝灭和能量传递现象。在613 nm监测波段下,激发光谱在270~290 nm处出现O2-→Eu3+电荷转移带,395 nm和465 nm处出现峰值,在465 nm处峰值最大,对应于7F05D2跃迁。在465 nm监测波长下,观察到在613 nm处发射峰最强,对应于5D07F2跃迁,钠离子最优掺杂浓度为x=0.03。通过理论计算得出基质中的能量传递在最近邻离子之间。对发光材料进行热稳定性测试和分析,计算得到热猝灭激活能的值为0.058 eV,计算出Ba2YAlO5∶0.2Eu3+, 0.03 Na+荧光粉的色坐标位于(0.61, 0.39),非常接近于国际照明委员会规定的标准色坐标(0.67, 0.33)。  相似文献   
22.
基于力学参数模型研究了NFO/BTO层状复合薄膜的磁电效应,发现当压电相的体积分数约为0.47时,磁电耦合性能最好.通过脉冲激光沉积法在掺0.7;Nb的(001)-STO衬底上生长了不同体积分数比的2-2型NFO/BCZT异质结构的磁电复合薄膜.XRD结果表明:NFO/BCZT磁电复合薄膜均为(00l)择优取向生长结构.通过锁相技术测试了NFO/BCZT复合薄膜的磁电耦合系数,测试结果表明压电相体积稍大于铁磁层体积时,磁电性能最佳.实验结果与理论结果存在一定差异,主要是由于材料实际参数与计算所用参数有差异、界面的非理想耦合无法得到准确的k值以及复合薄膜微观结构、应力等影响.  相似文献   
23.
采用传统高温固相反应法制备了Pr3+离子掺杂的铋层结构铁电氧化物Ca0.98Pr0.02Bi2Ta2O9(CBTO:Pr3+)荧光粉。利用X射线衍射、荧光光谱等研究了分别添加四种不同助熔剂(H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2)对CBTO:Pr3+粉体的晶体结构、发光强度的影响。结果表明,与未加助熔剂的样品相比,H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2的添加量为5%(摩尔分数)时,CBTO:Pr3+的发光强度分别提高了63%,43%,43%和29%;助熔剂的添加量为10%时,发光强度分别提高了186%,10%,13%和31%。随着H3BO3添加量的增加,CBTO:Pr3+的发光强度先增强后降低,在添加量为10%时,发光强度最大。样品温度特性测试表明CBTO:Pr3+粉体的热稳定性需要进一步改善。  相似文献   
24.
采用高温固相反应法合成了Eu2+激活的BaMgAl10O17Eu2+荧光粉,并对其发射特性进行了研究.当激活剂离子Eu2+浓度逐步增加时,在254 nm紫外以及147 nm真空紫外激发下,其发射强度和色坐标,,值都体现出了相似的变化规律.在高激活剂离子浓度的BaMgAl10O17:Eu2+ 中存在激活剂离子浓度猝灭现象,同时也对高激活剂离子浓度条件下体系的相关系,以及其对发射特性的影响进行了分析.  相似文献   
25.
王肖芳  张弛  邓朝勇 《发光学报》2016,37(9):1037-1042
采用高温固相法制备Ca_(2-x)SnO_4:xEu~(3+)(x=0,0.001,0.005,0.01,0.015,0.02)发光材料,分别在空气和真空氛围中进行烧结,研究Eu3+掺杂浓度及基质中氧空位对样品发光性能的影响。随着Eu~(3+)离子浓度的增加,发射强度呈逐渐增大的趋势,主发射峰由两个分别位于614 nm和618 nm的峰逐步合为一个位于616nm的发射峰。在Ca_(2-x)SnO_4∶xEu~(3+)样品的激发光谱中,存在着200~295 nm的Eu~(3+)-O~(2-)电荷迁移带,随着Eu~(3+)离子浓度的增加,电荷迁移带的峰位由271 nm红移到286 nm。此外,在Eu~(3+)离子掺杂浓度相同的情况下,真空中烧结得到样品的发光强度是空气中烧结得到样品的2倍。这是由于在真空氛围中烧结产生的氧空位增加使得传导电子密度升高,导致发光强度增加。而且,氧空位的增加导致电子陷阱的增多,这使得Ca_(2-x)SnO_4∶xEu~(3+)样品的余辉性能得到了很大程度的提高。  相似文献   
26.
以酚醛树脂(PF)、碳纳米管(CNTs)和泡沫铜(Cu)为原料,在反应釜内经无压浸渗和加压固化技术,制得一种新型PF/CNTs-Cu复合材料.在CSM摩擦磨损仪上,对不同CNTs含量的PF/CNTs-Cu复合材料进行了载流摩擦磨损测试.结果表明:未经CNTs改性的PF/Cu复合材料,摩擦系数和磨损率均最大,摩擦表面存在大量的犁沟痕迹,表现为典型的磨粒磨损.经CNTs改性后的PF/CNTs-Cu复合材料,载流摩擦磨损性能获得较大程度的改善.当CNTs质量分数在0.25%~1.0%范围内时,随着CNTs含量的增加,摩擦系数和磨损率逐渐减小,并在质量分数为1.0%时达到最小值.摩擦磨损机制则由最初的磨粒磨损逐渐转变为黏着磨损.当CNTs达到1.5%时,由于CNTs的团聚作用,导致复合材料的摩擦磨损性能急剧下降,摩擦磨损机制转变为磨粒磨损和黏着磨损共同作用形式.  相似文献   
27.
采用高温固相法制备了Ca(1-x)Al2Si2O8:xEu2+(x=0.005,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.20)和加入过量SiO2的CaAl2Si2O8:0.04Eu,xSiO2(x=0,0.05,0.100,0.200,0.300).利用X射线衍射(XRD)对样品的晶体结构进行了表征,利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了分析.XRD结果表明,所生成的CaAl2Si2O8:0.04Eu,xSiO2样品除了因反应未完全的氧化铝杂质相外基本是纯相.Ca(1-x)Al2Si2O8:xEu2+样品的激发和发射光谱表明,随着掺杂浓度的增加会出现红移现象.当Eu2+的掺杂浓度为超过4mol;时,出现浓度猝灭.当在空气气氛下烧结时,样品出现现了自还原现象.当过量SiO2的加入,Eu2+的发光强度会逐渐减弱,而Eu3+的发光强度会逐渐增强,SiO2的过量添加可以抑制自还原现象的产生.  相似文献   
28.
采用脉冲激光沉积法在(001)-SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)衬底上生长了2-2型NiFe2O4/(0.8BaTiO3-0.2Na0.5 Bi0.5TiO3)(NFO/BT-NBT)磁电复合薄膜.X射线衍射仪(XRD)结果显示所有薄膜均为(00l)择优取向结构.物理性能测试结果表明:NFO/BT-NBT复合薄膜同时具有良好的铁磁性和铁电性,但不同的沉积顺序对复合薄膜的磁电耦合性能产生重要影响.以铁磁材料NFO为顶层的NFO/BT-NBT/SRO/STO异质结的磁电耦合系数(αE~110 mV·cm-1·Oe-1)大于以铁电材料BT-NBT为顶层的BT-NBT/NFO/SRO/STO异质结的磁电耦合系数(αE~80 mV·cm-1·Oe-1),这是NFO层受到衬底束缚作用不同的结果.  相似文献   
29.
利用溶胶-凝胶法分别在Pt/TiO2/SiO2/Si和ITO/玻璃衬底上制备纯相的铁酸铋(BiFeO3)和La掺杂的铁酸铋(Bi1-xLaxFeO3,x=0.05,0.1)薄膜.XRD测试表明BLFO薄膜为纯钙钛矿相,都呈(111)方向的菱形结构,La掺杂可以提高BFO薄膜的结构稳定性.镧掺杂铁酸铋具有更大的剩余极化值和较小的漏电流.此外,随着La成分的增加,薄膜的基本吸收边呈现红移,并通过Tauc公式计算拟合观察到BLFO的光学带隙逐渐减小.结果发现随着La掺杂量(0,5mol;,10mol;)逐渐增大,薄膜的剩余极化值越大,其禁带宽度(Eg)越小.  相似文献   
30.
本文通过高温固相反应成功制备了Sr3ZnNb2O9∶0.3Eu3+,xNa+(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)系列荧光粉。X射线衍射分析和精修结果表明,Eu3+和Na+成功掺杂到Sr3ZnNb2O9基质中,并部分取代了Zn2+。采用扫描电子显微镜测试了样品的微观形貌和元素分布。光谱特性和热稳定性研究表明,Na+的最佳掺杂浓度为x=0.2,Na+的引入提高了Sr3ZnNb2O9∶0.3Eu3+荧光粉的热稳定性,活化能为0.163 eV。计算出Sr3ZnNb2O9∶0.3Eu3+, 0.2Na+样品...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号