MgB和MgB_2(~1A_1)的结构与解析势能函数

分别采用QCISD/6-311G和QCISD/6-311++G(df)方法,对MgB和MgB2分子的微观结构进行理论计算.在此计算基础上,运用多体展式理论方法,推导出MgB2分子的解析势能函数,其等值势能面图准确再现了MgB2分子的结构特征及势阱深度,并讨论了B+MgB和Mg+BB分子反应的势能面特征.这些结果可用于微观反应动力学的研究.     

频率啁啾脉冲下里德堡锂原子量子态布居跃迁

采用含时多态展开方法(TDMA),结合B样条技术,计算了频率啁啾脉冲激光场中里德堡锂原子五个量子态之间的跃迁情况,并分析了激光场的四个主要参数对跃迁的影响.结果表明当取合适的激光参数时,可以实现布居数在量子态间的有效跃迁,从而一定程度上可以实现量子态的人工控制.     

SiX2(X=H,F)分子的结构与势能函数

应用QCISD/6-311++G(3df,3pd)和B3P86/6-311++G(3d2f)对SiH2,SiF2的结构进行了优化,优化出SiH2分子的稳定构型为C2v,电子态为1A1,其平衡核间距Re=0.15149 nm、键角∠HSiH=92.5025°,离解能为3.7098 eV.SiF2分子的稳定构型为C2v,电子态为1A1,其平衡核间距Re=0.16014 nm、键角∠FSiF=100.7079°、离解能为14.1391eV.并对它们的力常数及谐振频率进行了进一步的计算.在推断出SiX2(X=H,F)的离解极限的基础上,应用多体展式理论方法,导出了基态SiX:(X=H,F)分子的解析势能函数,该势能表面准确地再现了SiX:(X=H,F)分子的结构特征和能量变化.分析讨论势能面的静态特征时得到SiH+H-SiH2反应中存在鞍点,活化能为192.971 kJ/mol,为有阈能的反应.而SiF+F→SiF2反应中没有鞍点,是无阈能的反应.     

太赫兹波段PCH7液晶分子极化率密度泛函研究

本文采用密度泛函方法计算了液晶分子PCH7在太赫兹波段的动态极化率,采用B3LYP/6-311G(d)方法对PCH7分子进行几何结构优化,在优化构型基础上,采用M06-2x/6-311++G(2d,p)方法计算了体系分子在589nm和1.5THz时的含频极化率,通过极化率密度考察了尾链、核心结构和极性取代基等不同基团对极化率数值的贡献。     

太赫兹波段PCH7液晶分子极化率密度泛函研究

本文采用密度泛函方法计算了液晶分子PCH7在太赫兹波段的动态极化率,采用B3LYP/6-311G(d)方法对PCH7分子进行几何结构优化,在优化构型基础上,采用M06-2x/6-311++G(2d,p)方法计算了体系分子在589nm和1.5THz时的含频极化率,通过极化率密度考察了尾链、核心结构和极性取代基等不同基团对极化率数值的贡献.